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    Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelemente
    41.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102016116019A1

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：DE102016116019

    申请日：2016-08-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  SCHUSTEREDER WERNER

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden eines Grabens, der sich von einer Vorderseitenoberfläche eines Halbleitersubstrats in das Halbleitersubstrat erstreckt. Ferner umfasst das Verfahren ein Bilden von Material, das strukturiert werden soll, im Inneren eines Grabens. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Bestrahlen des Materials, das strukturiert werden soll, mit einem geneigten reaktiven Ionenstrahl in einem nicht-orthogonalen Winkel in Bezug auf die Vorderseitenoberfläche, derart, dass ein unerwünschter Abschnitt des Materials, das strukturiert werden soll, aufgrund der Bestrahlung mit dem geneigten reaktiven Ionenstrahl entfernt wird, während eine Bestrahlung eines anderen Abschnitts des Materials, das strukturiert werden soll, durch einen Rand des Grabens maskiert ist.

    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser
    44.
    发明专利
    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser 未知

    公开(公告)号：DE102015202121B4

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102015202121

    申请日：2015-02-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND ,  WEBER HANS ,  JANTSCHER WOLFGANG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Halbleitervorrichtung (1), umfassend: – einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; – mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit implantierten Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; – mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit implantierten Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, wobei – eine Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) um weniger als 30% von einem Fixwert mindestens entlang 10% der Gesamtausdehnung der ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) abweicht.

    Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen mittels Ionenimplantation und Halbleitervorrichtung
    47.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen mittels Ionenimplantation und Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102013107632A1

    公开(公告)日：2014-01-23

    申请号：DE102013107632

    申请日：2013-07-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES ,  FUCHS DIETER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KNOEFLER ROMAN

    IPC: H01L21/265 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Herstellungsverfahren liefert eine Halbleitervorrichtung (500a) mit einer Substratschicht (139) und einer an der Substratschicht (139) angrenzenden epitaktischen Schicht (131). Die epitaktische Schicht umfasst erste Säulen (135) und zweite Säulen (136) von verschiedenen Leitfähigkeitstypen. Die ersten und die zweiten Säulen (135, 136) erstrecken sich längs einer Hauptkristallrichtung (485) entlang der eine Kanalisierung von implantierten Ionen (402) von einer ersten Oberfläche (101) in die epitaktische Schicht (131) auftritt. Ein vertikales Dotierstoffprofil von einer Säule aus den ersten und zweiten Säulen (135, 136) umfasst erste Teile (q1), die durch zweite Teile (q2) getrennt sind. In den ersten Teilen (q1) verändert sich eine Dotierstoffkonzentration um höchstens 30 %. In den zweiten Teilen (q2) ist die Dotierstoffkonzentration niedriger als in den ersten Teilen (q1). Das Verhältnis einer Gesamtlänge der ersten Teile (q1) zu der Gesamtlänge der ersten und zweiten Teile (q1, q2) beträgt wenigstens 50 %. Die gleichmäßigen Dotierstoffprofile verbessern die Eigenschaften der Halbleitervorrichtung.

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