公开(公告)号：WO2014127933A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/EP2014/050700

申请日：2014-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SCHWARZ, Thomas ,  VARGHESE, Tansen

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer Vorderseite und einer Rückseite, zum Aufbringen einer Opferschicht auf der Rückseite, zum Ausbilden eines Formkörpers, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird, und zum Entfernen der Opferschicht.

Abstract translation: 一种制造光电器件的方法，包括提供一个光电子半导体芯片具有前侧和后侧，用于在背面上沉积一牺牲层的步骤，以形成成型体，其中，所述光电子半导体芯片至少部分嵌入模制的主体，并除去 牺牲层。

公开(公告)号：WO2014016165A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/EP2013/064977

申请日：2013-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L23/3731 ,  H01L31/024 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Dünnfilmchip und ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Element. Dabei sind der Dünnfilmchip und das Element gemeinsam in einen Formkörper eingebettet.

Abstract translation: 一种光电子半导体器件，包括薄膜光电芯片和热传导且电绝缘的部件。 在此，薄膜芯片和元件共同嵌入的模塑制品。

公开(公告)号：WO2009079968A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：PCT/DE2008/001910

申请日：2008-11-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SCHULZ, Roland

Inventor： SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SCHULZ, Roland

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/02469 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20755

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem Laserbarren (2), einem flexiblen Leitungsträger (10), einem Trägerkörper (3) aus einem Metall oder einer Metalllegierung und einer Wärmesenke (4), welche zwischen dem Trägerkörper (3) und dem Laserbarren (2) angeordnet ist, wobei der Laserbarren (2) durch den flexiblen Leitungsträger (10) elektrisch kontaktiert wird und der Trägerkörper (3) in einer Dicke von mindestens 2 mm ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung der beschriebenen Halbleiterlaservorrichtung, wobei der Laserbarren (2) mittels einer Hartlotschicht (30) an die Wärmesenke (4) und die Wärmesenke (4) mittels einer weiteren Hartlotschicht (31) an den Trägerkörper (3) durch einen synchronen Lötprozess gelötet werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有激光条（2），柔性导体支撑件（10），支撑体上的半导体激光装置（3）由金属或金属合金和散热器（4）布置在所述载体本体（3）之间并且激光条（2）的 被布置，其中，通过柔性电缆载体（10）的激光器条（2）的电接触，并且在厚度为至少2mm形成载体主体（3）。 本发明还涉及一种用于描述制造半导体激光器件中，激光条（2）通过硬钎焊层（30）到所述散热器的装置（4）和所述散热器（4）由在所述载体主体上的进一步的钎焊层（31）的装置（3） 同步焊接工艺进行焊接。

公开(公告)号：WO2009039847A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001590

申请日：2008-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  DEUTSCHE THOMSON OHG ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  KUHLMANN, Werner ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  KNITTEL, Joachim

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  KUHLMANN, Werner ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  KNITTEL, Joachim

IPC: G11B7/12 ,  G11B33/14 ,  G11B7/085

CPC classification number: G11B7/12 ,  G11B7/08576 ,  G11B7/124 ,  G11B7/1359

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung mit einer Laserquelle (3), einer Detektoreinrichtung (5) und einer Prismenoptik (6), welche ausgebildet ist ein emittiertes Licht der Laserquelle (3) einem optischen Speichermedium (8) zuzuführen und Licht, welches von dem optischen Speichermedium (8) reflektiert wird der Detektoreinrichtung (5) zuzuführen. Die optoelektronische Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Trägerplatte (1) vorgesehen ist, auf welcher zumindest ein Pad (2) aus thermisch leitfähigem Material angeordnet ist, und die Laserquelle (3) und/oder die Prismenoptik (6) auf dem zumindest einen Pad (2) angeordnet sind bzw. ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件，包括一个激光源（3），检测器装置（5）和从所述激光源（3）的光学存储介质（8），并提供光，形成一个发射的光的棱镜透镜（6），其从光学 检测器装置（5）被反射的存储介质（8）的供应量。 该光电器件的特征在于，载板（1）被提供在其上的至少一个衬垫（2）由导热材料制成的，并且激光源（3）和/或棱镜的光学元件（6）到所述至少一个衬垫 （2）被布置和是。

公开(公告)号：WO2021105453A1

公开(公告)日：2021-06-03

申请号：PCT/EP2020/083771

申请日：2020-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Bauteil (100) mit einem Träger (10) und einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2) angegeben, bei dem der Träger eine einlagig ausgeführte und elektrisch leitfähige Trägerschicht (1) aufweist, wobei die Trägerschicht (1) strukturiert ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Teilschichten (1A, 1B) aufweist. Die Trägerschicht weist eine Montagefläche (1M) auf, auf der die Halbleiterchips (2) angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips (2) von der Trägerschicht (1) mechanisch getragen und mit den Teilschichten (1A, 1B) elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger (10) weist eine gemeinsame Elektrode für Halbleiterchips (2) einer Gruppe aus mehreren Halbleiterchips (2) auf, wobei die gemeinsame Elektrode durch eine der Teilschichten (1A, 1B) oder durch mehrere miteinander im elektrischen Kontakt stehende Teilschichten (1A, 1B) der Trägerschicht (1) gebildet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils (100) angegeben.

公开(公告)号：WO2021084049A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/080471

申请日：2020-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBNER, Andreas ,  HILLER, Uli ,  BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  SCHWARZ, Thomas ,  WITTMANN, Michael ,  GROETSCH, Stefan ,  SCHWALENBERG, Simon ,  WITTMANN, Sebastian

IPC: H01L25/075 ,  B32B17/10 ,  B60J7/04

Abstract: An optoelectronic device, in particular a display device, comprises: at least one optoelectronic light source (101), an at least partially transparent front layer (133), an at least partially transparent support layer (103), wherein the light source (101) is arranged between the front layer (133) and the support layer (103), wherein a front side of the light source (101) faces the front layer (133) and a rear side of the light source (101) faces the support layer (103), and wherein a limiting device (107) is provided in a circumferential direction around the light source (101), wherein the limiting device (107) limits a spatial region, in which the light source (101) emits light such that total internal reflection of the emitted light, in particular at an interface (143) between the front layer (133) and the outside, is avoided or at least reduced.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2019068523A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/EP2018/076013

申请日：2018-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01L25/16 ,  H01L33/48

Abstract: Lichtemittierendes Bauteil (10) mit einem IC-Chip (100) und einem LED-Chip (200), bei dem - der LED-Chip (200) auf einer Deckfläche (100a) des IC-Chips (100) angeordnet und mit diesem elektrisch gekoppelt ist, - der LED-Chip (200) mittels des IC-Chips (100) elektrisch ansteuerbar ist, - der IC-Chip (100) an einer von dem LED-Chip (200) abgewandten Bodenfläche (100b) zumindest zwei elektrische Anschlussflächen (101, 102) aufweist, und - das lichtemittierende Bauteil (10) über die Anschlussflächen (201, 202) elektrisch kontaktierbar und betreibbar ist.

公开(公告)号：WO2018228976A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：PCT/EP2018/065313

申请日：2018-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  PLÖSSL, Andreas ,  SINGER, Frank

IPC: H01L33/62

Abstract: Das Verfahren umfasst einen Schritt A), in dem ein Anschlussträger (1) bereitgestellt wird, der an einer Oberseite (13) eine Einfangstruktur (10) sowie ein oder mehrere neben der Einfangstruktur (10) angeordnete Anschlusselemente (11, 12) aufweist. In einem Schritt B) wird ein Bauteil (2) bereitgestellt, das an einer Montageseite (23) eine Ausrichtstruktur (20) sowie ein oder mehrere neben der Ausrichtstruktur (20) angeordnete Kontaktelemente (21, 22) aufweist. In einem Schritt C) wird das Bauteil (2) mit dem Anschlussträger (1) über eine Benetzungsflüssigkeit (3) verbunden, wobei die Einfangstruktur (10) und die Ausrichtstruktur (20) von der Benetzungsflüssigkeit (3) benetzt werden und das Bauteil (2) automatisch ausgerichtet wird.

公开(公告)号：WO2018134132A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/EP2018/050752

申请日：2018-01-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL, Andreas ,  HERRMANN, Siegfried ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  PFEUFFER, Alexander F.

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen von Quellsubstraten (21, 22, 23), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22, 23) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41,42, 43) bestückt ist, B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30), C) Erzeugen von Podesten (52, 53) an dem Zielsubstrat (3) oder an zumindest einem der Quellsubstrate (21, 22, 23), und D) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22, 23) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten undjede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) aufgrund der Podeste (52, 53) eine andere Höhe (H1, H2, H3) über der Montageebene (30) aufweist.