公开(公告)号：KR101564710B1

公开(公告)日：2015-11-02

申请号：KR1020140063619

申请日：2014-05-27

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  이근우 ,  최재원 ,  이병오 ,  윤홍민 ,  이희관 ,  이용수 ,  임웅선 ,  박미림 ,  박범두 ,  강호관

IPC: A61N5/06 ,  A61B5/0478 ,  C12M1/42

Abstract: 본발명은발광소자가집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에발광소자형성을위한정렬키를형성하고, 제1전극층을형성하는제2단계와, 상기정렬키를기준으로하여발광파장이다른복수개의발광소자를상기기판상에형성하는제3단계와, 상기기판상에형성되며, 상기발광소자와전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제4단계와, 상기발광소자와, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제5단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제6단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제7단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제8단계를포함하여이루어진것을특징으로하는파장제어가가능한탐침의제조방법및 이에의해제조된탐침을기술적요지로한다. 이에의해, 단일의탐침(기판) 상에발광파장이다른복수개의발광소자를형성함으로써, 한개의탐침으로다양한파장영역대의발광이가능하도록하여, 선택적으로신경의활성과억제의제어가가능하여의학적효용성이매우높으며, 제품의단가를낮추고, 공정의간단화로제품수율을향상시키는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造与发光二极管集成的探针的方法，更具体地，涉及一种用于制造能够控制波长的探针的方法以及由此制造的探针，其包括：制备基底的第一步骤 ; 形成用于在所述基板的一些区域上形成发光二极管的对准键以形成第一电极层的第二步骤; 基于对准键在基板上形成具有不同发射波长的多个发光二极管的第三步骤; 在与所述发光二极管电连接的基板上形成金属配线电极的第四工序; 形成绝缘膜以覆盖发光二极管，基板上的整个区域和金属互连电极的第五步骤; 在衬底上形成图案以形成探针的第六步骤; 抛光或蚀刻基板以减小基板的厚度的第七步骤; 以及从基板分离探针形图案的第八步骤。 因此，在单个探针（基板）上形成具有不同发射波长的多个发光二极管，以允许单个探针发射各种波长带的光并选择性地控制神经的激活或抑制，从而提供非常高的临床效用，减少 单位产品成本，并简化了提高产量的过程。

公开(公告)号：KR1020150079272A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130169387

申请日：2013-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김동현 ,  고유민 ,  성호근 ,  윤홍민 ,  김창환 ,  박덕수

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76801

Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로서,기판상에화합물반도체층이형성되는반도체소자의제조방법에있어서, 상기반도체소자에트렌치구조를형성하기위해패터닝된마스크를준비하는제1단계와, 상기화합물반도체층을상기패터닝된마스크를이용하여기판/화합물반도체층의계면까지에칭하여상기기판의표면이노출되도록하는제2단계와, 상기노출된기판을기판영역에서측면식각을이용하여상기기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이로식각된 "凸" 형상의트렌치구조를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및 그에의한반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해기판에트렌치구조를형성하여기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이까지기판영역이제거된트렌치구조에의해기생경로를분리시킴으로반도체소자의항복전압을개선하는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 在其中在基板上形成化合物半导体层的半导体器件的制造方法中，技术要点是半导体器件和半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法包括：制备图案化掩模以在半导体器件上形成沟槽结构的第一步骤; 通过蚀刻化合物半导体层直到基板/化合物半导体层的界面通过使用图案化掩模形成来暴露基板的表面的第二步骤; 以及第三步骤，通过在暴露的基板的基板区域中使用侧蚀刻和半导体器件，形成在基板/化合物半导体层的界面上以恒定深度蚀刻的沟槽结构。 可以通过在衬底上形成沟槽结构并通过沟槽结构分离寄生通路来改善半导体器件的击穿电压，其中去除衬底区域直到在衬底/化合物半导体层的界面处达到恒定的深度。

公开(公告)号：KR101441632B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020120156763

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  김신근 ,  윤홍민 ,  이용수 ,  임웅선 ,  조은애 ,  이희관 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

Abstract: 본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것으로서, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 있어서, 글라스 기판을 준비하는 제1단계와, 상기 글라스 기판 상에 비아홀 형성을 위한 마스크 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 글라스 기판에 상기 마스크 패턴층의 설정패턴에 따라 비아홀을 형성하는 제3단계와, 상기 비아홀에 도전재를 채우는 제4단계와, 상기 비아홀과 전기적으로 연결되며, 상기 글라스 기판 표면에 금속배선전극을 형성하는 제5단계 및 상기 글라스 기판 상에 금속배선전극 간 절연을 위한 절연막을 형성하는 제6단계포함하며, 상기 제1단계에서 제6단계를 반복하여 형성되는 제1층의 글라스 기판 스페이스 트랜스포머를 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것이다. 이에 의해 본 발명은, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 사용하지 않기 때문에 수축 및 팽창으로 인한 스페이스 트랜스포머의 변형이 발생하지 않아 수율을 향상시킴으로써 생산성을 향상 시키고 제조비용이 절감시키는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101419531B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120152813

申请日：2012-12-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  이근우 ,  신현범 ,  성호근 ,  강호관 ,  고철기

IPC: B29C59/02 ,  C23C28/04 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정 또는 KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서, 기판에 금속산화물 시드층을 형성한 후 임프린팅 공정에 의한 레진패턴층을 형성한 후 건식 식각 공정을 거쳐 상기 금속산화물 시드층을 노출시키거나, KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 레진패턴층을 형성하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시켜, 수열 합성법을 이용하여 상기 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 다양한 형상, 크기 및 패터닝의 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있고, 비교적 저가로 제공할 수 있으며, 대면적의 금속산화물 나노구조체의 정렬을 용이하게 하며, 금속산화물 나노구조체의 유착 또는 변형을 방지하고, 균일한 나노구조체의 형성 및 배열이 가능한 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020140086375A

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：KR1020120156763

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  김신근 ,  윤홍민 ,  이용수 ,  임웅선 ,  조은애 ,  이희관 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. A method of manufacturing the space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, the via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, the via-hole is filled with a conductive material. In a fifth step, a metal interconnection electrode, which is electrically connected with the via-hole, is formed on the glass substrate. And, an insulation film for insulating the metal interconnection electrodes from one another is formed on the glass substrate in a sixth step. By the method of manufacturing the space transformer for a glass-based probe card according to the present invention, single layer glass substrate space transformers, which are formed by repeating the first through sixth steps, are stacked to form the space transformer for a glass-based probe card. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield and productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.

Abstract translation: 本发明涉及探针卡的空间变压器。 一种制造用于探针卡的空间变压器的方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成通孔。 在第四步骤中，通孔填充有导电材料。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成与通孔电连接的金属互连电极。 并且，在第六步骤中，在玻璃基板上形成用于使金属互连电极彼此绝缘的绝缘膜。 通过制造根据本发明的玻璃基探针卡的空间变压器的方法，通过重复第一至第六步骤形成的单层玻璃基板空间变压器被堆叠，以形成用于玻璃基探针卡的空间变压器， 基于探针卡。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，提高了制造成品率和生产率，降低了制造成本。

公开(公告)号：KR1020130080492A

公开(公告)日：2013-07-15

申请号：KR1020120001307

申请日：2012-01-05

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 이근우 ,  성호근 ,  김신근 ,  최재원 ,  이병오 ,  윤홍민 ,  이용수 ,  임웅선 ,  김진호 ,  고철기

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: PURPOSE: A wafer clamp with a cooling device is provided to easily cool the wafer clamp heated in a wafer etching process by supplying coolants to a coolant tube through a coolant supplying device. CONSTITUTION: A top wafer clamp (110) corresponds to a bottom wafer clamp (120). A top insertion groove (111) and a bottom insertion groove (121) are formed along the frames of the top wafer clamp and the lower wafer clamp. A coolant tube (200) is inserted through the top insertion groove and the bottom insertion groove. A combination member (131) combines the top wafer clamp with the bottom wafer clamp. The combination member is combined with a combination hole (130).

Abstract translation: 目的：提供具有冷却装置的晶片夹具，以通过冷却剂供应装置向冷却剂管提供冷却剂来容易地冷却在晶片蚀刻工艺中加热的晶片夹具。 构成：顶部晶片夹（110）对应于底部晶片夹（120）。 沿顶部晶片夹具和下部晶片夹具的框架形成顶部插入槽（111）和底部插入槽（121）。 冷却剂管（200）穿过顶部插入槽和底部插入槽插入。 组合构件（131）将顶部晶片夹具与底部晶片夹具组合。 组合构件与组合孔（130）组合。

公开(公告)号：KR101161264B1

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020100124812

申请日：2010-12-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  김창주 ,  양창재 ,  성호근 ,  강호관 ,  신찬수 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법에서는 기판의 한쪽 면에 제1 소자층을 형성한 다음, 상기 기판을 뒤집어 상기 기판의 다른쪽 면에 제2 소자층을 형성한다. 상기 제1 소자층에 제1 캐리어 기판을 접합하고 상기 제2 소자층에 제2 캐리어 기판을 접합한 후 상기 기판과 상기 제1 소자층 사이 및 상기 기판과 제2 소자층 사이를 분리하거나, 상기 기판과 상기 제1 소자층 사이 및 상기 기판과 제2 소자층 사이를 분리한 후 상기 제1 소자층에 제1 캐리어 기판을 접합하고 상기 제2 소자층에 제2 캐리어 기판을 접합한다. 본 발명에 따르면, 기판의 양쪽 면을 이용하고 기판을 재사용함에 따라 기판의 소모, 재료의 소모를 최소화한다. 그리고, 기판을 중심으로 동일한 방향의 힘(compressive or tensile)이 가해짐으로써 기판과 박막의 열팽창 계수의 차이로 인한 휨 현상이 억제된다.

公开(公告)号：KR101081418B1

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：KR1020090110388

申请日：2009-11-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  권용욱 ,  김신근 ,  신기수

IPC: H01L33/22

Abstract: 본발명은 n-오믹금속층과보호층을동일한물질을사용함으로써공정단계를감소시키고, 낮은온도에서플라즈마인가없이보호층을증착할수 있는발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드제조방법은 n형질화물반도체상에금속보호층(metallic protection layer)을형성한후, 금속보호층을패터닝하여상기 n형질화물반도체의표면일부를노출시킨다. 그리고 n형질화물반도체의표면이노출된부분을표면처리하여상기 n형질화물반도체표면을거칠게(roughening) 한다.

公开(公告)号：KR101862076B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：KR1020160084879

申请日：2016-07-05

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  고유민 ,  성호근 ,  박원규

IPC: G01N27/12 ,  G01N25/32 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020180012385A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020160095038

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  조주영 ,  정상현 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  G01N27/414

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58 ,  G01N27/4141 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。