公开(公告)号：KR101785869B1

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020160144636

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.

Abstract translation: 本发明旨在提高电感耦合等离子体处理装置中方位方向上的等离子体密度分布的均匀性。 本发明的感应耦合等离子体蚀刻装置在圆环状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生电感耦合的等离子体，并将该圆环形状的等离子体分散到宽的处理空间 并且等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 RF天线54具有线圈直径不同的多个单相线圈54（1），54（2）和54（3）。 线圈54（1），54（2）和54（3）的高频馈电点设有插入其间的非常小的切口部分。

公开(公告)号：KR101757921B1

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：KR1020100105158

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준 ,  이이즈카하치시로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 본말명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용해서플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산되도록하여, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼W 상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로균일화하고, 또 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장에대해보정링(70)에의해전자기장적인보정을거는동시에, 챔버(10)내의압력에따라안테나-코일간격제어부(72)에의해보정링(70)의높이위치를가변하도록하고있다.

公开(公告)号：KR101737635B1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：KR1020100105143

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  고시미즈치시오 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명에따르면, 유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향더 나아가서는직경방향의플라즈마밀도분포의균일성또는제어성을향상시킬수 있다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치에있어서, 챔버(10)의천장의유전체벽(52)상에마련되는 RF 안테나(54)는안테나실(56)내에서유전체창(52)으로부터이격되어그 위쪽에배치되고, 고주파급전부(58)로부터의 RF 급전라인(60, 68)에접속되는 1차코일(62)과, 이 1차코일(62)과전자기유도에의해결합가능한위치이고또한이 1차코일(62)보다도유전체창(52)의하면(처리공간과대향하는면)의가까이에배치되는 2차코일(64)을갖고있다.

Abstract translation: 根据本发明，可以在电感耦合等离子体处理装置中提高方位角方向上和进一步在径向上的等离子体密度分布的均匀性或可控性。 在本发明的电感耦合等离子体蚀刻设备中，设置在室10中的室10的电介质壁52上的RF天线54与天线室56中的电介质窗52间隔开， 并且，从高频电力馈送器58连接到RF馈送线路60和68的初级线圈62和经由电磁耦合器62连接到初级线圈62的初级线圈62。 并且，配置在电介质窗52侧（与二次线圈62相对的面向处理空间的一侧）的二次线圈64。

公开(公告)号：KR1020160130200A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：KR1020160144636

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室，其一部分由电介质窗形成; 设置在处理室中的基板支撑单元，用于安装目标基板; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。 RF天线包括具有线圈绕行方向的切口部的单绕线圈或多绕线圈导体， 并且来自RF电源单元的一对RF电力线分别经由切口部分彼此相对地连接到线圈导体的一对线圈端部。

公开(公告)号：KR1020140062409A

公开(公告)日：2014-05-23

申请号：KR1020130134997

申请日：2013-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사토요시츠토무 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: The present invention provides an inductively coupled plasma treating apparatus capable of uniformly performing plasma treatment with respect to a large substrate to be treated by using a metallic window. The inductively coupled plasma treating apparatus, which performs inductively coupled plasma treatment with respect to a rectangular substrate, includes a treatment chamber to receive a substrate; a high-frequency antenna to generate inductively coupled plasma in a region in which the substrate is arranged in the treatment chamber; and a metallic window interposed between a plasma generation region, in which the inductively coupled plasma is generated, and the high-frequency antenna and having a rectangular shape corresponding to the substrate. A metallic window (20) is divided into a first region (201) including a long side (2a) and a second region (202) including a short side (2b) so that the first region (201) is insulated from the second region (202). In addition, the division is achieved in such a manner that the ratio (a/b) of a width (a) of the second region (202) formed radially to a width (B) of the first region (201) formed radially is in the range of 0.8 to 1.2.

Abstract translation: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，其能够通过使用金属窗对相对于待处理的大基板进行等离子体处理。 对矩形基板执行电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置包括：接收基板的处理室; 高频天线，其在基板布置在处理室中的区域中产生电感耦合等离子体; 以及插入在其中产生感应耦合等离子体的等离子体产生区域和与基板对应的矩形形状的高频天线之间的金属窗口。 金属窗（20）被分成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），使得第一区域（201）与第二区域 （202）。 另外，通过使径向形成的第二区域（202）的宽度（a）与径向形成的第一区域（201）的宽度（B）的比（a / b）为 在0.8〜1.2的范围内。

公开(公告)号：KR101270285B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248691B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248709B1

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009513A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110046354A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105166

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01J37/32174 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to increase the uniformity of a plasma process by controlling the plasma density distribution. CONSTITUTION: A plasma is created as a doughnut shape under the dielectric window(52). The doughnut shape plasma is dispersed in a wide processing space. The density of the plasma is equalized in the susceptor(12) area. A correction ring(70) performs electromagnetic field correction about the RF magnetic field created from the RF antenna. A conduction duty ratio is varied by a switching device(110) by the process condition.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过控制等离子体密度分布来提高等离子体工艺的均匀性。 构成：在电介质窗口（52）下形成等离子体作为环形。 环形等离子体分散在宽的处理空间中。 在基座（12）区域中等离子体的密度相等。 校正环（70）对从RF天线产生的RF磁场进行电磁场校正。 通过开关装置（110）通过处理条件来改变导通占空比。