公开(公告)号：DE102012110603B4

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102012110603

申请日：2012-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  FISCHER PETRA

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/306 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen von Halbleiter-Dies, wobei das Verfahren folgendes aufweist: • Bilden eines porösen Bereichs auf einem Halbleiter-Wafer (562); und • Trennen der Dies an dem porösen Bereich (564), • wobei das Trennen der Dies Folgendes aufweist: – Bereitstellen eines Durchtreibers (880) unter dem Halbleiter-Wafer (562); – Bereitstellen einer Wafer-Barriere (885) über dem Halbleiter-Wafer (562), wobei die Wafer-Barriere (885) eine dem Halbleiter-Wafer (562) zugewandte konkave Oberfläche aufweist, wobei ein Scheitelpunkt der konkaven Oberfläche mit dem Durchtreiber (880) ausgerichtet ist; – Transportieren des Halbleiterwafers in eine erste Position relativ zu dem Durchtreiber (880); – Forcieren des Durchtreibers (880) in Richtung des Halbleiter-Wafers zum Brechen des porösen Bereichs an der ersten Position; – Transportieren des Halbleiterwafers in eine zweite Position relativ zu dem Durchtreiber (880); – Forcieren des Durchtreibers (880) in Richtung des Halbleiter-Wafers zum Brechen des porösen Bereichs an der zweiten Position, – wobei das Forcieren von dem Durchtreiber (880) bewirkt, dass der Halbleiter-Wafer (562) sich nach oben auf die Wafer-Barriere (885) hinzu biegt und die Wafer-Barriere (885) berührt, wobei die Aufwärtsbewegung von dem Durchtreiber (880) gestoppt wird, wenn der Halbleiter-Wafer (562) die Wafer-Barriere (885) berührt.

公开(公告)号：DE102014117236A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117236

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOCHE BERNHARD ,  ENGELHARDT MANFRED ,  GOLLER BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER ,  MAYER KARL ,  NOEHAMMER BERND ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  WENDT HERMANN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwerkstücks können enthalten: das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem oder mit mehreren Trennfugengebieten; das Ausbilden eines oder mehrerer Gräben in dem Werkstück durch das Entfernen von Material aus dem einen oder aus den mehreren Trennfugengebieten von einer ersten Seite des Werkstücks aus; das Anbringen des Werkstücks mit der ersten Seite an einem Träger; das Dünnen des Werkstücks von einer zweiten Seite des Werkstücks aus; und das Ausbilden einer Metallisierungsschicht über der zweiten Seite des Werkstücks.

公开(公告)号：DE102014111977A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014111977

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAIER HUBERT ,  STRANZL GUDRUN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Es werden verschiedene Verfahren und Vorrichtungen bezüglich des Trennens eines Substrats in mehrere Teile bereitgestellt. Beispielsweise wird zuerst eine Teiltrennung durchgeführt, und dann wird das teilweise getrennte Substrat komplett in mehrere Teile getrennt.

公开(公告)号：DE102014106132A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102014106132

申请日：2014-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EDER HANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FUERGUT EDWARD ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56

Abstract: Ein Verfahren zur Verarbeitung einer Mehrzahl von gehäusten elektronischen Chips, die in einem gemeinsamen Substrat miteinander verbunden sind, wird vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Ätzen der elektronischen Chips, Detektieren von Informationen, welche eine wenigstens teilweise Entfernung einer Indikatorstruktur nach einer Freilegung der Indikatorstruktur anzeigen, die innerhalb wenigstens eines Teils der elektronischen Chips eingebettet ist und freigelegt wird, nachdem das Ätzen Chipmaterial über der Indikatorstruktur entfernt hat, und Einstellen der Verarbeitung beim Detektieren der Informationen, welche die wenigstens teilweise Entfernung der Indikatorstruktur anzeigen.

公开(公告)号：DE102013111860A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102013111860

申请日：2013-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/68

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Prozesswerkzeug (10) ein Spannfutter (20), das zum Halten eines Substrats gestaltet ist. Das Spannfutter (20) ist in einer Kammer angeordnet. Das Prozesswerkzeug (10) enthält ferner eine Abschirmeinheit (40) mit einer zentralen Öffnung. Die Abschirmeinheit (40) ist in der Kammer über dem Spannfutter (20) angeordnet.

公开(公告)号：DE102012109924A1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：DE102012109924

申请日：2012-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: C23C16/452 ,  H01L21/67

Abstract: Das Halbleiter-Verarbeitungssystem enthält eine Reaktorkammer, die eine obere Wand und eine untere Wand aufweist. Ein Halteglied ist in der Reaktorkammer angeordnet, um ein Halbleiter-Substrat derart zu halten, dass es der unteren Wand der Reaktorkammer zugewandt ist.

公开(公告)号：DE102012100007A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102012100007

申请日：2012-01-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  STRUTZ VOLKER ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: In einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung ein Glassubstrat (30), ein Halbleitersubstrat (10), das auf dem Glassubstrat (30) angeordnet ist, und einen Magnetsensor auf, der in und/oder auf dem Halbleitersubstrat (10) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE50014668D1

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：DE50014668

申请日：2000-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  WEINRICH VOLKER ,  KREUPL FRANZ ,  SCHIELE MANUELA

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/108

Abstract: The invention relates to a method for fabricating a semiconductor memory component, in particular a DRAM or FeRAM having a silicon substrate. The lower electrode of a storage capacitor is insulated from the silicon substrate by a barrier layer. The barrier layer is patterned using a hard mask, in particular, made from SiO2, SiN, SiON, before the storage capacitor is applied, and the mask layer which remains after the patterning is removed so as to uncover the patterned barrier layer. The invention provides for the patterned barrier layer to be embedded in SiO2 by means of CVD (chemical vapor deposition) prior to the removal of the remaining mask layer, and for the remaining mask layer, together with the SiO2 embedding, to be removed from the surface of the barrier layer using an SiO2-CMP (chemical mechanical polishing) process.

公开(公告)号：DE102005047111B3

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：DE102005047111

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STICH ANDREAS ,  SCHRENK MICHAEL ,  SCHINDLER GUENTHER ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Capacitor has a capacitor electrode (E1) formed on a surface of an intermediate dielectric (1). Another intermediate dielectric (4) is formed on the intermediate dielectric (1) and includes an opening for exposing a part of the capacitor electrode. An electrically conductive diffusion-barrier layer (5) is formed on the surface of the capacitor electrode. Another capacitor electrode (E2) is formed on a surface of a capacitor dielectric (6) and includes only another electrically conductive diffusion-barrier layer (7). One of the capacitor electrodes includes titanium, tantalum, tantalum nitride and/or titanium nitride. An independent claim is also included for a method of manufacturing a metal-insulator-metal capacitor.

公开(公告)号：DE19901002B4

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：DE19901002

申请日：1999-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEINRICH VOLKER ,  ENGELHARDT MANFRED ,  DIENER WALTER

IPC: C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/304 ,  C23F1/00 ,  H01L21/3065