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    51.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008048903A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：DE102008048903

    申请日：2008-09-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN

    IPC: H01S5/183 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40

    Abstract: An optoelectronic component includes an optical pump device including a first radiation-generating layer and a first radiation exit area at a top side of the pump device, wherein electromagnetic radiation generated during operation of the pump device is coupled out from the pump device through the first radiation exit area transversely and at least in part non-perpendicularly with respect to the first radiation-generating layer, and a surface emitting semiconductor laser chip including a reflective layer sequence including a Bragg mirror, and a second radiation-generating layer, wherein the surface emitting semiconductor laser chip is fixed to the top side of the pump device, and the reflective layer sequence is arranged between the first radiation exit area and the second radiation-generating layer.

    52.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008009108A1

    公开(公告)日：2009-08-20

    申请号：DE102008009108

    申请日：2008-02-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DACHS JUERGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS ,  SCHULZ ROLAND ,  UNOLD HEIKO

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

    Abstract: The method involves preparing a supporting disk made of ceramic material, and producing wafer interconnections (40) by a set of semiconductor laser chips (4) on an upper surface of the supporting disk. The interconnections are isolated by a set of semiconductor lasers (100) that includes a mounting block (3) with a mounting surface, which runs perpendicular to an upper surface (12) of the mounting block. One of the chips is arranged on the upper surface of the mounting block, where the mounting surface is manufactured during the isolation of the interconnections. An independent claim is also included for a semiconductor laser comprising a mounting block.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
    57.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 未知

    公开(公告)号：DE102012212963B4

    公开(公告)日：2022-09-15

    申请号：DE102012212963

    申请日：2012-07-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  SCHWARZ THOMAS

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/54

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10, 20) mit den folgenden Schritten:- Anordnen einer zweiten Oberfläche (102) eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einem Träger (210) ;- Eindrücken einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterchips (100) 10 µm bis 100 µm tief in eine erste Folie (230);- Einspritzen einer Formmasse zwischen die erste Folie (230) und den Träger (210), um den Halbleiterchip (100) in einen aus der Formmasse gebildeten Formkörper (130) mit einer an der ersten Folie (230) gebildeten Oberseite (131) einzubetten;- Anordnen einer reflektierenden Schicht (150, 170) auf der Oberseite (131) des Formkörpers.

    Optoelektronisches Bauelement mit Schutzschaltung
    58.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement mit Schutzschaltung 未知

    公开(公告)号：DE102012217932B4

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：DE102012217932

    申请日：2012-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： NAGEL PETER ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L23/60 ,  H01L25/16 ,  H01L29/866 ,  H01L33/00

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) des ersten Trägers (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) aufliegt und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden ist, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen, wobei die Z-Dioden (10) elektrisch in Serie geschaltet sind, und wobei die Dioden (2) elektrisch in Serie geschaltet sind, wobei die weiteren Anschlüsse (13, 14) der wenigstens zwei Z-Dioden (10) voneinander isoliert sind und eine elektrisch leitende Verbindung der zwei Z-Dioden (10) über eine elektrische Leitung (15) hergestellt ist, wobei die elektrische Leitung (15) auf oder im ersten Träger (1) ausgebildet ist.

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