公开(公告)号：KR100371724B1

公开(公告)日：2003-03-17

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

Abstract: The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.

Abstract translation: 本发明提供用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的腔室，用于在其上安装半导体晶片W的基座，用于将气化的Al原材料引入到腔室中的Al原材料供应系统和用于放置半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 通过重复一系列步骤来形成Al / Cu多层膜，该一系列步骤包括：将Al原料气体引入腔室中，通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Al膜，随后在腔室中产生等离子体 引入Cu原料气体并通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Cu膜。 对如此获得的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），从而形成所需的Al / Cu多层膜。

公开(公告)号：KR1020020026568A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：KR1020027001790

申请日：2000-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명의 반도체장치의 제조방법은 표면에 부분적으로 凹부가 형성된 절연층에 복수의 성막을 실시하여 반도체장치를 제조하는 방법이다. 본 방법은, 상기 凹부의 내주면을 포함하는 상기 절연층의 표면에 고융점 금속을 포함하는 밑바닥 금속막을 형성하는 밑바닥 금속막 형성공정과, OH기를 갖춘 유기용매에 의해 상기 밑바닥 금속막의 표면을 처리하는 표면처리공정 및, 표면처리 후의 상기 밑바닥 금속막상에 CVD법에 의해 적어도 상기 凹부내의 일부 또는 전부를 매립하도록 배선용 금속을 퇴적시키는 배선용 금속 퇴적공정을 구비하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020000029332A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A producing method of a semiconductor is provided to remove a sub generated object generated from WF6 and NH3 gas by washing on the spot and keeping a filming chamber unit at a proper temperature that the sub generated object is not remained. CONSTITUTION: A method for producing a semiconductor includes a process for contacting a first material gas including a tungsten atom to a processed body and not contacting a second material gas including a nitride atom to the processed body and a filming process for producing the semiconductor device by forming a nitride tungsten film in the processed body using the first and second raw material gas. Herein, the process pressure of the processed body in the process is 0.1 to 20 Torr, and the temperature of the processed body is 300 to 500°C. Thereby, the nitride tungsten film is prevented from being peeled off from a lower layer on a heat process after filming.

Abstract translation: 目的：提供半导体的制造方法，通过现场清洗和将成膜室单元保持在不产生副生成物体的适当温度下，除去由WF6和NH3气体产生的副生成物。 构成：一种制造半导体的方法包括使包含钨原子的第一材料气体与加工体接触并且不与包含氮化物原子的第二材料气体接触到加工体的方法，以及通过以下步骤制造半导体器件的成膜方法： 使用第一和第二原料气体在加工体中形成氮化钨膜。 这里，处理体的处理压力为0.1〜20托，加工体的温度为300〜500℃。 由此，能够防止氮化钨膜在成膜后的热处理中从下层剥离。

公开(公告)号：KR102118784B1

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：KR1020180027609

申请日：2018-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  사쿠마다카시 ,  야마사키히데아키 ,  시미즈리오 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR101991574B1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：KR1020170100816

申请日：2017-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카베신야 ,  모치즈키다카시 ,  야마사키히데아키 ,  히라마츠나가야스 ,  뎀포가즈키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR1020140119776A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140116901A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：KR1020147021757

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  야마모토다케시

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  C23C16/52

Abstract: 피처리 기판에 형성된 에칭 대상막을 에칭하기 위한 메탈 하드 마스크로서 성막되는 TiN막을 성막함에 있어서, 피처리 기판을 처리 용기 내에 반입하고, 처리 용기 내를 감압 상태로 유지한 상태에서, TiCl
4 가스 및 질화 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 이들 가스의 플라즈마를 생성하여 TiN 단위막을 형성하는 공정(단계 1)과, 처리 용기 내에 질화 가스를 공급하고, 그 가스의 플라즈마를 생성하여 TiN 단위막에 플라즈마 질화 처리를 실시하는 공정(단계 2)을 번갈아 복수회 반복하고, 막 응력이 저감된 TiN막을 성막한다.

公开(公告)号：KR101134713B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.
SFD, 성막, 금속 카르보닐 전구체

公开(公告)号：KR1020110134524A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：KR1020117028190

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리팬톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110110261A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020117017698

申请日：2010-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 오목부를 갖는 절연층이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 상기 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면에, 플라즈마 CVD법을 이용하여, 질화타이타늄막의 박막을 형성하는 박막 형성 공정과, 질화 가스의 존재 하에서, 플라즈마를 이용한 질화 처리를 하는 것에 의해, 상기 박막을 질화하는 질화 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.