公开(公告)号：DE102015117994B8

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102015117994

申请日：2015-10-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN PHILIPP

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE102016115334A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102016115334

申请日：2016-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst eine SOI-Insel (Halbleiter auf einem Isolator), die ein Halbleitergebiet (15) und eine Isolationsstruktur (16) aufweist, wobei die Isolationsstruktur (16) durch ein Oxid (169) ausgebildet und derart ausgelegt ist, dass sie das Halbleitergebiet (15) von einem Abschnitt des Halbleiterkörpers (10) des Leistungshalbleiterbauelements (1) trennt. Die Isolationsstruktur (16) umfasst mindestens eine Seitenwand (1452), die derart ausgelegt ist, dass sie das Halbleitergebiet (15) seitlich begrenzt, eine Unterseite (161), die derart ausgelegt ist, dass sie das Halbleitergebiet (15) vertikal begrenzt, und eine lokale Vertiefung (165), die mindestens einen Teil eines Übergangs zwischen der Seitenwand (1542) und der Unterseite (161) bildet, wobei sich die lokale Vertiefung (165) im Vergleich mit der Unterseite (161) weiter entlang der Erstreckungsrichtung (Z) erstreckt.

公开(公告)号：DE102016112019A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016112019

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend: einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen; eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils ausgebildet sind, den Laststrom (15) zu steuern, und die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst; eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine erste Isolationsstruktur (133) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101, 102) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist. Die Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ferner eine dritte Zelle (143), die auf der einen Seite elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist und auf der anderen Seite elektrisch mit der Driftregion (100) verbunden ist; wobei die dritte Zelle (143) eine dritte Mesa (105) enthält, die Folgendes umfasst: eine dritte Anschlussregion (1051), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist; eine dritte Kanalregion (1052), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; und eine dritte Steuerelektrode (135), die durch eine zweite Isolationsstruktur (134) von der dritten Mesa (105) isoliert ist.

公开(公告)号：DE102016113129B3

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE102016113129

申请日：2016-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PETERS DETHARD ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (10, 11, 12, 13, 14, 15) umfasst ein Bodygebiet (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps in einem SiC-Halbleiterkörper (101) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine Superjunction-Struktur (110) befindet sich im SiC-Halbleiterkörper (101) und enthält einen Driftzonenabschnitt (111), der vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist, und eine Kompensationsstruktur (112) des ersten Leitfähigkeitstyps. Die Kompensationsstruktur (112) grenzt an das Bodygebiet (108) und umfasst Kompensations-Substrukturen (113, 114, 1143, 1144, 1145), die entlang einer zu einer Oberfläche (106) des SiC-Halbleiterkörpers (101) senkrechten vertikalen Richtung (z) aufeinanderfolgend angeordnet sind. Die Kompensations-Substrukturen umfassen eine erste Kompensations-Substruktur (113) und eine zweite Kompensations-Substruktur (114). Ein Widerstand (R2) der weiten Kompensations-Substruktur (114) zwischen gegenüberliegenden Enden der zweiten Kompensations-Substruktur (114) entlang der vertikalen Richtung (z) ist zumindest fünfmal größer als ein Widerstand (R1) der ersten Kompensations-Substruktur (113) zwischen gegenüberliegenden Enden der ersten Kompensations-Substruktur (113) entlang der vertikalen Richtung (z).

公开(公告)号：DE102015121566A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Drift-Regionen einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Drift-Regionen weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Mehrzahl von Kompensationsregionen, die in dem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Kompensationsregionen weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Jede Drift-Region aus der Mehrzahl von Drift-Regionen ist benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen angeordnet. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner zumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur, die an dem Halbleitersubstrat angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015215024A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102015215024

申请日：2015-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  KÜCK DANIEL

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgestellt. Das Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12), einen Steueranschluss (13) und einen Halbleiterkörper (10) mit einer Driftzone (101), wobei der Halbleiterkörper (10) durch ein Halbleitermaterial mit einer Bandlücke, die größer als die Bandlücke von Silizium ist, ausgebildet ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Das Halbleiterbauelement (1) beinhaltet eine Sourcezone (102), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; eine Bodyzone (103-1) und eine Abschirmzone (103-2), die beide in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet sind und eine zusammenhängende Zone (103) ausbilden, die die Sourcezone (102) von der Driftzone (101) isoliert, wobei die Abschirmzone (103-2) mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; einen Graben (14), der sich in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstreckt und einen Isolator (141) umfasst, der mit der zusammenhängenden Zone (103) in Kontakt steht; eine erste Elektrode (131), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei die erste Elektrode (131) mit dem Steueranschluss (13) elektrisch verbunden ist; und einen Mesaabschnitt (101-1), der in der Driftzone (101) unter der Bodyzone (103-1) angeordnet ist und die Abschirmzone (103-2) von dem Graben (14) entlang einer ersten seitlichen Richtung (X) trennt, wobei eine erste Kapazität pro Flächeneinheit (C1/A), die durch einen in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und durch einen in der Abschirmzone (103-2) enthaltenen Bereich ausgebildet ist, größer als eine zweite Kapazität pro Flächeneinheit (C2/A) ist, die durch den in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und einen in der ersten Elektrode (131) enthaltenen Bereich ausgebildet ist.

公开(公告)号：FR2979033B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1202206

申请日：2012-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

公开(公告)号：DE102015102481A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102015102481

申请日：2015-02-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKERHOFF PHILIP GEORG ,  MAUDER ANTON

IPC: H02J7/00

Abstract: Eine Schaltung wird bereitgestellt, umfassend eine Batterie (102), einen omnipolaren Schalter (106), ein Schaltelement, einen Gleichstrom-Zwischenkreis (120) und eine stromliefernde Schaltung. Der omnipolare Schalter (106) kann an die Batterie (102) gekoppelt sein und kann dafür ausgelegt sein, die Batterie (102) elektrisch zu trennen. Der Gleichstrom-Zwischenkreis (120) kann über das Schaltelement (S) an den omnipolaren Schalter (106) gekoppelt sein, und die stromliefernde Vorrichtung (104) kann an den Gleichstrom-Zwischenkreis (120) gekoppelt sein.

公开(公告)号：DE102014118227A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014118227

申请日：2014-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/473 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: Es wird ein Verfahren (4000) zur Herstellung einer Halbleiterstruktur bereitgestellt, das aufweisen kann: Ausbilden einer p-dotierten Region angrenzend an eine n-dotierte Region in einem Substrat (4010); und Ausführen einer anodischen Oxidation, um eine Oxidschicht auf einer Oberfläche des Substrats auszubilden, wobei die Oxidschicht in einem ersten Abschnitt der Oberfläche, der sich entlang der n-dotierten Region erstreckt, eine größere Dicke aufweist als die Oxidschicht in einem zweiten Abschnitt der Oberfläche, der sich entlang der p-dotierten Region erstreckt (4020).

公开(公告)号：DE102012112332A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012112332

申请日：2012-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  HIRLER FRANZ ,  MEISER ANDREAS ,  GLASER ULRICH

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltung umfasst einen Halbleiterkörper. In dem Halbleiterkörper erstreckt sich ein erster Trenchbereich (104) in den Halbleiterkörper von einer ersten Oberfläche (105) aus. Die integrierte Schaltung umfasst weiterhin eine Diode (100) mit einem Anodenbereich (106) und einem Kathodenbereich (102). Ein Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) ist wenigstens teilweise in dem ersten Trenchbereich (104) angeordnet. Der andere Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) umfasst einen ersten Halbleiterbereich, der an den einen Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) von der Außenseite des ersten Trenchbereiches (104) angrenzt.