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公开(公告)号：CA2360502A1
公开(公告)日：2001-05-31
申请号：CA2360502
申请日：2000-11-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HAHN BERTHOLD , EISERT DOMINIK , BADER STEFAN , BOLAY HELMUT , ZEHNDER ULRICH , LELL ALFRED , STRAUSS UWE , LUGAUER HANS-JURGEN , WEIMAR ANDREAS , HARLE VOLKER , VOLKL JOHANNES
Abstract: The invention relates to an optical semiconductor device comprising a multip le quantum well structure, in which well layers and barrier layers consisting o f different types of semiconductor layers are stacked alternately on top of on e another. The invention is characterised in that the well layers (6a) have a first composition, based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and the barrier layers (6b) have a second composition based on a nitride semiconductor material with a higher electron energy in relation t o the first electron energy. An active radiative quantum well layer (6c) is located downstream of said layers in the epitaxial direction and the essentially non-radiative well layers (6a) positioned upstream, together wit h the barrier layers (6b) form a superlattice for said active quantum well lay er.
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公开(公告)号：DE102015106757A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：DE102015106757
申请日：2015-04-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TRAGL SONJA , EISERT DOMINIK , LANGE STEFAN , KAUFMANN NILS , MARTIN ALEXANDER
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend – einen Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung emittiert, – ein Konversionselement umfassend ein Konversionsmaterial, das Cr- und/oder Ni-Ionen und ein Wirtsmaterial umfasst und das die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements in eine Sekundärstrahlung einer Wellenlänge zwischen 700 nm und 2000 nm konvertiert, wobei das Wirtsmaterial aus einer Gruppe von Verbindungen ausgewählt ist, die Metalloxide, Metallhalogenide, Metallnitride, Metalloxynitride und Kombinationen daraus umfasst.
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公开(公告)号：DE102015101573A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：DE102015101573
申请日：2015-02-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EISERT DOMINIK , LEIRER CHRISTIAN
IPC: H01L33/50
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Konversionselement, welches auf einem pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip anordbar ist. Das Konversionselement weist eine Trägerschicht, eine Konversionsschicht und eine zwischen der Trägerschicht und der Konversionsschicht angeordnete Zwischenschicht auf. Die Trägerschicht weist ein strahlungsdurchlässiges Trägermaterial auf. Die Konversionsschicht weist ein Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion auf. Die Zwischenschicht weist ein Zwischenschichtmaterial mit einem Brechungsindex auf, welcher kleiner ist als ein Brechungsindex des Trägermaterials und ein Brechungsindex des Konversionsmaterials. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement aufweisend einen pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und ein Konversionselement, und ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements.
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公开(公告)号：DE102014118449A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：DE102014118449
申请日：2014-12-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , KIESSLING MATTHIAS , EISERT DOMINIK
Abstract: Ein optisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und ein Streuelement, das Streupartikel aufweist, die im Lichtweg des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sind. Dabei weisen die Streupartikel jeweils eine Schale und einen materialverschiedenen Kern auf.
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公开(公告)号：DE10032838B4
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：DE10032838
申请日：2000-07-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EISERT DOMINIK , HÄRLE VOLKER , KÜHN FRANK , ZEHNDER ULRICH DR
IPC: H01L33/20
Abstract: Strahlung emittierender Halbleiterchip mit einem Substrat (2), einer auf einer Oberseite des Substrats (2) angeordneten Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht und einer Vielzahl von die aktive Schicht (6) in ihrer Ausdehnung seitlich begrenzenden Seitenflächen (5), wobei der Halbleiterchip wenigstens zwei mit einem spitzen Winkel &thetas; versehene, verkippte parallelogrammförmige Seitenflächen (5) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) eine Grundfläche (3) aufweist, die als verkipptes Parallelogramm mit einem spitzen Winkel &phgr; ausgebildet ist.
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Patent Agency Ranking66.发明专利
公开(公告)号：DE102012109217A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：DE102012109217
申请日：2012-09-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , EISERT DOMINIK , GOEOETZ BRITTA , SCHULZ ROBERT
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission bereitgestellt, aufweisend: eine Lichtquelle, eingerichtet zum Erzeugen von Licht mit einer ersten Dominanzwellenlänge; einen ersten Konverter, welcher eingerichtet ist, das von der Lichtquelle erzeugte Licht zu absorbieren, und Licht mit einer zweiten Dominanzwellenlänge, welche größer ist als die erste Dominanzwellenlänge, zu emittieren; und einen zweiten Konverter, welcher eingerichtet ist, einen Lichtanteil des von dem ersten Konverter emittierten Lichts zu absorbieren und Licht zu emittieren, so dass die Lichtemission eine dritte Dominanzwellenlänge aufweist, welche größer ist als die zweite Dominanzwellenlänge.
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公开(公告)号：DE102011010118A8
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：DE102011010118
申请日：2011-02-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EISERT DOMINIK , LIEPOLD UTE
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公开(公告)号：DE102008063634A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102008063634
申请日：2008-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , STRAUS UWE , TAUTZ SOENKE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 µm beträgt.
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公开(公告)号：DE102008017071A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：DE102008017071
申请日：2008-04-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , GROETSCH STEFAN , MILLER STEPHAN , SPATH GUENTER , LINDER NORBERT , EISERT DOMINIK , PETER MATTHIAS
IPC: H01L33/00
Abstract: An optoelectronic module for emitting monochromatic radiation in the visible wavelength range is specified. The module has a plurality of light emitting diode chips which generate UV radiation. The UV radiation is converted into light in the visible range, for example, into green light, by a wavelength converter. The coupling-out of light from the module is optimized by the use of two selectively reflecting and transmitting filters. This module can be used as a light source in a projection apparatus.
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公开(公告)号：DE10139798B9
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：DE10139798
申请日：2001-08-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , STRAUS UWE
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