公开(公告)号：DE102015107739A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：DE102015107739

申请日：2015-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GOLDBACH MATTHIAS ,  GRÖTSCH STEFAN ,  HOLZ JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  F21S2/00 ,  G09F9/33 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten, wobei eine Halbleiterkomponente mehrere Licht emittierende Dioden aufweist, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf dem Halbeiterchip angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung eine Halbleiterkomponente mit mehreren Licht emittierende Dioden, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf dem Halbeiterchip angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist, wobei die Steuerschaltung ausgebildet ist, die Dioden einzeln anzusteuern.

公开(公告)号：DE112015000703A5

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE112015000703

申请日：2015-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102013221788A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013221788

申请日：2013-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Kontaktelements für ein optoelektronisches Bauelement umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Hilfsträgers mit einer auf einer Oberseite angeordneten Opferschicht, zum Bereitstellen einer Trägerstruktur mit einer Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Rückseite, wobei an der Rückseite der Trägerstruktur eine Isolationsschicht angeordnet ist, zum Verbinden der Opferschicht mit der Isolationsschicht mittels einer elektrisch leitenden Verbindungsschicht, zum Anlegen mindestens eines sich von der Oberseite der Trägerstruktur bis zur Isolationsschicht erstreckenden Sacklochs, zum Öffnen der Isolationsschicht im Bereich des mindestens einen Sacklochs, zum Anordnen eines elektrisch leitenden Materials in dem mindestens einen Sackloch, zum Ablösen des Hilfsträgers durch Auftrennen der Opferschicht, und zum Strukturieren der elektrisch leitenden Verbindungsschicht.

公开(公告)号：DE112013001416A5

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE112013001416

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  ILLEK STEFAN ,  VON MALM NORWIN ,  LINKOV ALEXANDER ,  BLEICHER THOMAS ,  MÖNCH WOLFGANG

IPC: F21K99/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE102012212968A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102012212968

申请日：2012-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  SCHWARZ THOMAS

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Dünnfilmchip und ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Element. Dabei sind der Dünnfilmchip und das Element gemeinsam in einen Formkörper eingebettet.

公开(公告)号：DE102012103161A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012103161

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/48 ,  F21V14/04 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Ferner befindet sich an der Trägeroberseite (20) ein Gehäusekörper (4), in dem der Halbleiterchip (3) angebracht ist. An dem Gehäusekörper (4) befindet sich ein optisches Element (5) wie ein Reflektor. Das optische Element (5) ist dem Halbleiterchip (3) entlang einer Abstrahlrichtung nachgeordnet. Weiterhin ist das optische Element (5) dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils (1) punktuell oder flächig verformt zu werden, sodass eine räumliche und/oder spektrale Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils (1) einstellbar ist.

公开(公告)号：DE102012200416A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE102012200416

申请日：2012-01-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN

IPC: G02B27/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B27/14

Abstract: Ein optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) weist einen Träger (102) auf, an dem und/oder in dem mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a, 108b) angeordnet sind. Auf oder in dem Träger (102) ist eine Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) angeordnet. Mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) ist von der Abstrahleinheit (110) beabstandet. Ein Wellenleiter (112) leitet die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110). Die Abstrahleinheit (110) weist eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108a) aus dem Wellenleiter (112) auf.

公开(公告)号：DE102011056220A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056220

申请日：2011-12-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/64 ,  F21V29/00 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. An einer Montageseite (20) ist ein Halbleiterchip (3) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung angebracht. Mindestens ein Konversionselement (4) zur wenigstens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung, die eine größere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung, ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet eine Wärmeleitstruktur (5) zur Entwärmung des Konversionselements (4). Die Wärmeleitstruktur (5) befindet sich außerhalb des Konversionselements (4) und steht mindestens stellenweise in direktem Kontakt zu dem Konversionselement (4).

公开(公告)号：DE102009022966A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：DE102009022966

申请日：2009-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  MALM NORWIN VON ,  RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/58 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90)umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

公开(公告)号：DE102008017268A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：DE102008017268

申请日：2008-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG HANS ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/34