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公开(公告)号：KR1020150006213A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130079698
申请日：2013-07-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76877 , H01L23/13 , H01L23/49827
Abstract: 본 발명은 특별한 형상의 관통홀을 포함한 기판, 이러한 관통홀을 형성하는 방법, 그리고 이러한 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板，其特征在于，具有特定形状的通孔，以便在通孔中无空隙地迅速填充电极材料，该通孔的制造方法以及该电极的通孔的填充方法 材料。 包括根据本发明的实施方式的通孔的基板包括在基板的一个表面上的孔的尺寸朝向基板的中心变小的形状的通孔，并且孔的尺寸变为 朝向基板的另一个表面较大。
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公开(公告)号：KR101432138B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020120107038
申请日：2012-09-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터는, 기판; 및 상술한 기판의 상면에 적층된 복수의 금속 층과, 그 금속 층 사이에 형성된 유전체 층을 포함하고, 각 유전체 층은 적층된 금속 층에 대해 애노다이징(Anodizing) 처리를 통해 형성된 특징을 가짐으로써, 초저온 및 초고온 조건에서 고용량을 가지고 안정적으로 동작될 수 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101399982B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020070068182
申请日：2007-07-06
Applicant: 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F7/00 , G11B5/86 , G03F1/50 , H01L21/027
Abstract: 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140040420A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：KR1020120107038
申请日：2012-09-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A capacitor according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; multiple metal layers laminated on the substrate; and dielectric layers formed between the metal layers. Each dielectric layer is formed by an anodizing treatment for the laminated metal layers, and therefore, the capacitor has advantages of a stable operation with a high-capacity under ultra-low and ultra-high temperature. [Reference numerals] (100) Substrate
Abstract translation: 根据本发明实施例的电容器包括：基板; 层叠在基板上的多个金属层; 以及形成在金属层之间的电介质层。 通过对层叠金属层的阳极氧化处理形成各电介质层，因此，电容器具有在超低温，超高温下大容量运行稳定的优点。 （附图标记）（100）基板
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公开(公告)号：KR101239430B1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110072905
申请日：2011-07-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/48 , H01L21/3063 , H01L21/304
Abstract: 기판을 평탄화시키는 방법은 관통하는 홀이 형성된 기판에 씨드(seed)용 금속을 증착하여 상기 기판의 표면 및 상기 홀의 안쪽면 각각에 서로 연결된 제1 및 제2 씨드층들을 형성하는 단계, 상기 제1 씨드층을 음극에 연결한 상태로 제1 전해액에 담가 전해 도금을 실시하여 상기 제2 씨드층으로부터 상기 홀의 내부를 채우면서 성장하는 전극을 형성하는 단계, 상기 전극이 형성된 기판의 제1 씨드층을 양극에 연결한 상태로 제2 전해액에 담가 전해 연마를 실시 가능한 전기적인 연결이 분리되는 순간까지 실시하여 상기 전극 중 상기 홀의 외부로 돌출된 부분을 제거함으로써 상기 기판을 평탄화시키는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130011618A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072905
申请日：2011-07-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/48 , H01L21/3063 , H01L21/304
CPC classification number: H01L25/073 , H01L21/76838 , H01L23/481 , H01L23/5329
Abstract: PURPOSE: A method for planarizing a substrate using electro-polishing and a method for manufacturing semiconductor device including the same are provided to form a penetration electrode and to planarize a substrate. CONSTITUTION: The metal for a seed is deposited on a substrate having a hole. A first and a second seed layer(230, 240) respectively are connected to the surface of the substrate and the inner side of the hole. An electroplating process is performed on the first seed layer to form an electrode(220). A polishing process is performed to separate the first seed layer from the second seed layer and to remove a protruded part of the electrode. [Reference numerals] (AA) Second electrolyte
Abstract translation: 目的：提供一种使用电抛光对基板进行平面化的方法以及包括该方法的半导体装置的制造方法，以形成贯通电极并使基板平坦化。 构成：用于种子的金属沉积在具有孔的基底上。 第一和第二种子层（230,240）分别连接到基底的表面和孔的内侧。 在第一籽晶层上进行电镀工艺以形成电极（220）。 进行抛光处理以将第一种子层与第二种子层分离并除去电极的突出部分。 （附图标记）（AA）第二电解质
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公开(公告)号：KR1020120100108A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a CoP alloy thin film and a perpendicular magnetic recording medium are provided to obtain a CoP alloy thin film with high perpendicular anisotropy and rectangularity ratio, which can be applied to a perpendicular magnetic recording medium, by employing an additive in an electroplating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a CoP alloy thin film comprises the steps of: dipping a substrate with a seed layer in plating solution including saccharine(C7H5NO3S) of 20-50mM and implementing electroplating for forming a CoP alloy thin film. The plating solution comprises Co(NH2SO3)2 of 0.1M, (NH4)2C6H6O7 of 0.1M, NH2CH2COOH of 0.1M, and Na2H2PO2·H2O of 0.1M.
Abstract translation: 目的：提供CoP合金薄膜和垂直磁记录介质的制造方法，以获得具有高垂直各向异性和矩形比的CoP合金薄膜，其可以应用于垂直磁记录介质，通过使用添加剂 电镀工艺。 构成：CoP合金薄膜的制造方法包括以下步骤：将含有种子层的基材浸入包括20-50mM的糖精（C7H5NO3S）的镀液中，并实施用于形成CoP合金薄膜的电镀。 电镀液由0.1M的Co（NH2SO3）2，0.1M的（NH4）2C6H6O7，0.1M的NH2CH2COOH和0.1M的Na2H2PO2·H2O组成。
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公开(公告)号：KR101160907B1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100016955
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101152266B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100025448
申请日：2010-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K9/00
Abstract: 본발명은동박적층필름상에포토리소그래피공정을통해포토레지스트를사용하여도트형태의패턴을형성하는단계; 상기동박적층필름상에형성된도트형태의패턴에연자성체를도금하는단계; 상기연자성체를도금한후 포토레지스트를제거하는단계; 및상기단계를거쳐도트형태로연자성체가도금된동박적층필름의구리층을에칭액을사용하여에칭하는단계를포함하는동박적층필름을이용한전자파흡수시트의제조방법에관한것이다. 본발명은전자파흡수시트를제조함에있어롤투롤방식을이용한연속제조공정이가능하며, 전자파흡수시트를플렉서블하고현재상용화된제품에비해두께를현저히얇게제조할수 있는동박적층필름을이용한전자파흡수시트의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101044973B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고저항체로 사용할 수 있는 고저항 서멧 저항체 및 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체의 형성방법은, 고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체는 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질을 양극산화한 산화물을 기반으로 하여 양극산화에 안정한 안정금속 입자가 분산된 상태의 서멧으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 증착공정을 실시한 뒤에 양극산화공정을 실시하여 산소결핍의 문제를 방지함으로써, 뛰어난 열안정성 및 고주파특성을 갖는 고저항체를 제조할 수 있으며, 서멧을 직접 증착하지 않기 때문에 증착과정에서 옥사이드 타겟 또는 산소기체를 사용하지 않음으로써, 증착용 챔버의 오염을 막을 수 있는 효과가 있다.
양극산화, 애노다이징, 서멧, cermet, 저항
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