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公开(公告)号：WO2017069314A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2015/011349
申请日：2015-10-27
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种集中太阳能发电的方法和系统，包括以下步骤：根据太阳追踪方法通过计算太阳的黄道来调整太阳能电池板， 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。 / p>
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公开(公告)号：WO2020138597A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/KR2019/004862
申请日：2019-04-23
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지에 관한 것으로서, 에피성장용 기판 상부에 광흡수층을 형성시키는 제1단계와, 상기 광흡수층 상부에 후면전극을 형성시키는 제2단계와, 상기 광흡수층으로부터 상기 에피성장용 기판을 제거하는 제3단계 및 상기 에피성장용 기판이 제거된 측의 광흡수층 상부에 전면전극을 형성하는 제4단계를 포함하되, 상기 광흡수층은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)로 이루어지며, 각 서브셀은 터널접합(Tunnel junction)되어 다중접합을 이루는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2016085169A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/012205
申请日：2015-11-13
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓盖层，其中通过调节所述四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶面的方式，在所述四氮化物层的顶端形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
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公开(公告)号：KR101960265B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020170184089
申请日：2017-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L33/06 , H01L33/50
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公开(公告)号：KR101681753B1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체의제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160124986A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101540080B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101419526B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120147236
申请日：2012-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 표면 요철을 형성하여 광 추출 효율을 증대시키는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법에 관한 것으로서, 표면 요철을 형성하여 광 추출 효율을 증대시키는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법에 있어서, 반도체 박막 상층에 레지스트층을 형성하여 임프린팅 공정과 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정을 거쳐 반도체 박막의 표면 텍스처링을 거치는 제조 방법에 의해 반도체 박막 표면 요철을 형성하거나, 반도체 박막 상층에 레지스트층을 형성하여 KrF 스텝퍼/스캐너 또는 i-line 스텝퍼/i-line 스캐너에 의해 패터닝 후 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정을 거쳐 반도체 박막의 표면 텍스처링을 거치는 제조 방법에 의해 반도체 박막 표면에 요철을 형성하는 것을 기술적 요지로 한다.
이에 의해 표면 요철 형성의 재현성이 우수하며, 반도체 박막 표면이 더욱 깊게 에칭되면서 대면적으로 균일한 거칠기를 가지게 되므로, 반도체 박막의 표면적의 극대화를 가져오게 되어 발광 다이오드 소자의 광 추출 효율을 개선시키는 이점이 있다.-
9.发明授权스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权因此，使用步骤3-D阻挡图案和发光二极管的发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR101419525B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120153425
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광 다이오드 소자에 있어서, 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상층에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 제1레지스트층을 패터닝하여 제1블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계와, 상기 제1블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제1블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계와, 상기 제1블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 제1블락킹 패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제1블락킹 패턴 형성 후 제2레지스트층을 형성하는 제5단계와, 상기 제2레지스트층을 패터닝하여 제2블락킹 마스크를 형성하는 제6단계와, 상기 제2블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제2블락킹 패턴층을 증착하는 제7단계와, 상기 제2블락킹 마스크를 제거하여, 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역에 � �텝형으로 형성되며, 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태의 3차원 제2블락킹 패턴을 형성하는 제8단계와, 상기 제2블락킹 패턴 형성 후, 반도체층을 증착하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 형성하여 반도체층 형성시 발생하는 결함을 줄여서 발광 다이오드 소자의 효율을 개선시키는 이점이 있다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020140083535A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153420
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: A technological subject matter of the present invention is to provide a method of fabricating a semiconductor light emitting diode device using a 3-D blocking pattern and a semiconductor light emitting diode device fabricated by the same. The method of fabricating the semiconductor light emitting diode device includes a first step of forming a resist layer on a top of a substrate; a second step of forming a 3-D blocking mask by patterning the resist layer; a third step of depositing a blocking pattern layer on the 3-D blocking mask; a fourth step of forming a 3-D blocking pattern in a ″T″ shape on a top of the substrate by removing the 3-D blocking mask; and a fifth step of depositing a semiconductor layer after the 3-D blocking pattern is formed. Thus, the present invention has an advantage of improving efficiency of the light emitting diode device by reducing defects occurring when forming the semiconductor layer by forming the 3-D blocking pattern on the top of the substrate.
Abstract translation: 本发明的技术主题是提供一种制造使用3-D阻挡图案的半导体发光二极管器件和由其制造的半导体发光二极管器件的方法。 制造半导体发光二极管器件的方法包括在衬底的顶部上形成抗蚀剂层的第一步骤; 通过图案化抗蚀剂层形成3-D阻挡掩模的第二步骤; 在3-D阻挡掩模上沉积阻挡图案层的第三步骤; 通过去除3-D阻挡掩模在衬底的顶部上形成“T”形的3-D阻挡图案的第四步骤; 以及在形成3-D阻挡图案之后沉积半导体层的第五步骤。 因此，本发明具有通过在衬底的顶部形成3-D阻挡图案来减少形成半导体层时发生的缺陷而提高发光二极管器件效率的优点。
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