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公开(公告)号：KR1020100099618A
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。
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公开(公告)号：KR101147414B1
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020090089802
申请日：2009-09-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/78606
Abstract: 본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기 발광 소자를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체층 및 금속 산화막이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
산화물 반도체층, 금속 산화막, 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치Abstract translation: 一种显示器包括衬底主体，在衬底主体上的薄膜晶体管（TFT），所述TFT包括依次堆叠在彼此顶上的氧化物半导体层和金属氧化物膜。
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公开(公告)号：KR1020090131553A
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020080057486
申请日：2008-06-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3262 , H01L51/0018 , H01L51/5253 , H01L51/5271 , H01L2251/5323 , H01L2924/12044
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an organic light emitting display device is provided to form the pixel electrode of a front light emitting area and the pixel electrode of a rear light emitting area at the same time, thereby simplifying the manufacturing process. CONSTITUTION: A protective layer(115) covers a substrate(100) having the front light emitting area(A1) and the rear light emitting area(A2). A planarization film(117) is formed in the protective layer. A contact hole is formed in the front light emitting area. A TFT(Thin Film Transistor)(120) is formed in the lower part of the protective layer. The TFT comprises a gate electrode(123), a semiconductor layer(121), and a source/drain electrode(125). The source/drain electrode is insulated from the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置的制造方法，以同时形成前发光区域的像素电极和后发光区域的像素电极，从而简化制造工艺。 构成：保护层（115）覆盖具有前发光区域（A1）和后发光区域（A2）的基板（100）。 在保护层中形成平坦化膜（117）。 在前发光区域形成接触孔。 在保护层的下部形成TFT（薄膜晶体管）（120）。 TFT包括栅电极（123），半导体层（121）和源/漏电极（125）。 源极/漏极与栅电极绝缘。
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公开(公告)号：KR100916921B1
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080060915
申请日：2008-06-26
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L33/42 , H01L2924/01031 , H01L2924/0104 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105
Abstract: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of masks using a stack structure of a transparent oxide semiconductor and a transparent electrode material. A substrate(10) includes a first region and a second region. A thin film transistor includes a source electrode(12a), a drain electrode(12b), an active layer(13a), and a gate electrode(16a). The source and drain electrodes are formed in the first region of the substrate. The active layer is comprised of an oxide semiconductor. The gate electrode is insulated from the active layer by the gate insulating layer. An OLED(Organic Light Emitting Diode) includes a first electrode, an organic thin film layer(18), and a second electrode(17). The first electrode is formed with the stack structure of the oxide semiconductor and the transparent electrode material. The organic thin film layer is formed on the first electrode. The second electrode is formed on the organic thin film layer.
Abstract translation: 提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以减少使用透明氧化物半导体和透明电极材料的堆叠结构的掩模的数量。 衬底（10）包括第一区域和第二区域。 薄膜晶体管包括源电极（12a），漏电极（12b），有源层（13a）和栅电极（16a）。 源极和漏极形成在衬底的第一区域中。 有源层由氧化物半导体构成。 栅电极通过栅极绝缘层与有源层绝缘。 OLED（有机发光二极管）包括第一电极，有机薄膜层（18）和第二电极（17）。 第一电极由氧化物半导体和透明电极材料的堆叠结构形成。 有机薄膜层形成在第一电极上。 第二电极形成在有机薄膜层上。
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公开(公告)号：KR1020090049331A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115553
申请日：2007-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/3248 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L29/04
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로 ±10% 범위의 그레인 크기 편차를 가지는 반도체층을 구비한다.
따라서, 반도체층의 SLS 결정화 시 발생할 수 있는 그레인 크기의 불균일로 인한 화상특성 불량의 문제점을 개선할 수 있다.
그레인,불균일,SLS-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110032360A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：KR1020090089802
申请日：2009-09-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L27/3244
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode display and a method for manufacturing the same are provided to implement an oxide semiconductor thin film transistor having stability and reliability by including a metal oxide film. CONSTITUTION: In an organic light emitting diode display and a method for manufacturing the same, a gate electrode(121) is formed on a substrate body. A gate insulating layer is formed on the gate electrode. An oxide semiconductor layer(141) is formed on the gate electrode having a gate insulating layer between them. A metal oxide layer(241) has a plurality of openings exposing a part of the oxide semiconductor layer outside. A metal oxide layer is formed on the oxide semiconductor layer. A source electrode and a drain electrode are contacted with the oxide semiconductor layer respectively through the opening of the metal oxide film.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，以通过包括金属氧化物膜来实现具有稳定性和可靠性的氧化物半导体薄膜晶体管。 构成：在有机发光二极管显示器及其制造方法中，在基板主体上形成栅电极（121）。 在栅电极上形成栅极绝缘层。 在栅电极上形成氧化物半导体层（141），栅极绝缘层在它们之间。 金属氧化物层（241）具有将氧化物半导体层的一部分暴露在外部的多个开口。 在氧化物半导体层上形成金属氧化物层。 源电极和漏极分别通过金属氧化物膜的开口与氧化物半导体层接触。
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公开(公告)号：KR101015849B1
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR100953541B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020080057486
申请日：2008-06-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Abstract: 본 발명은 전면과 배면 양측면으로 이미지를 디스플레이할 수 있는 듀얼 유기 발광 디스플레이 장치를 용이하게 제조할 수 있는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 위하여, (a) 전면발광영역과 배면발광영역을 갖는 기판을 덮도록 보호층을 형성하는 단계와, (b) 상기 기판의 전면발광영역에 대응하도록 또는 상기 기판의 전면발광영역의 일부에 대응하도록 상기 보호층 상에 평탄화막을 형성하는 단계와, (c) 상기 평탄화막을 덮도록 상기 평탄화막과 상기 평탄화막 외측으로 노출된 보호층 상에 투명한 제1도전층과 제2도전층을 형성하는 단계와, (d) 상기 제1도전층과 제2도전층을 패터닝하여 상기 기판의 전면발광영역과 상기 기판의 배면발광영역에 화소 전극들을 형성하는 단계와, (e) 상기 화소 전극들 중 상기 기판의 전면발광영역에 배치된 것을 덮도록 포토리지스트층을 형성하는 단계와, (f) 상기 화소 전극들 중 상기 기판의 배면발광영역에 배치된 것의 제2도전층과, 상기 포토리지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100953657B1
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020070115553
申请日：2007-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/3248 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로 ±10% 범위의 그레인 크기 편차를 가지는 다결정 실리콘으로 형성된 반도체층을 구비한다.
따라서, 반도체층의 SLS 결정화 시 발생할 수 있는 그레인 크기의 불균일로 인한 화상특성 불량의 문제점을 개선할 수 있다.
그레인,불균일,SLS-
公开(公告)号：KR100874458B1
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070119756
申请日：2007-11-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/1343 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3267 , H01L51/5218
Abstract: A method for manufacturing an organic light emitting diode is provided to implement front side lighting and back side lighting at the same time, and improve the brightness. A substrate(100) including a first area(I) and a second area are prepared. A first layer is formed on the first and the second areas. A second layer is formed on the first and the second area. First electrode layer(191,191') are formed on the second layer on the first area, and the first layer on the second area. A reflective film(192) is formed on the first electrode layer of the first area. The second electrode layer(193) is formed on the reflective film.
Abstract translation: 提供一种制造有机发光二极管的方法，以同时实现前侧照明和背面照明，并提高亮度。 准备包括第一区域（I）和第二区域的基板（100）。 在第一和第二区域上形成第一层。 在第一和第二区域上形成第二层。 第一电极层（191,191'）形成在第一区域上的第二层上，第二区域上形成第一层。 在第一区域的第一电极层上形成反射膜（192）。 第二电极层（193）形成在反射膜上。
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