公开(公告)号：KR1020150046734A

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：KR1020140140615

申请日：2014-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤노마사히코 ,  신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  오쿠니시나오히코 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67103

Abstract: 마이크로파에의해처리가스를여기시키는플라즈마처리장치가제공된다. 이플라즈마처리장치에서는, 탑재대의정전척 내에히터가마련되어있다. 히터는필터유닛및 봉형상의급전체를거쳐서히터전원에접속되어있다. 급전체는절연체로구성된통 형상부의내공에통과되고있다. 또한, 통형상부를거쳐서전파하는마이크로파를억제하는초크부가급전체와통 형상부의사이에마련되어있다. 초크부는도전성을갖고, 제 1 부분및 제 2 부분을포함하고있다. 제 1 부분은급전체로부터그 급전체의긴 방향에교차하는방향으로연장되고있다. 제 2 부분은통 형상을갖고있고, 통형상부와급전체의사이에있어서제 1 부분의주연으로부터연장되고있다.

Abstract translation: 提供了一种通过微波激发处理气体的等离子体处理装置。 等离子体处理装置包括：安装台的静电卡盘中的加热器。 加热器通过棒状的供电体和过滤器单元连接到加热器电源。 供电体通过由绝缘体制成的管形成部分的内孔。 而且，在电源主体和管形成部之间准备防止由管形成部传播的微波的扼流部。 扼流部件具有导电性并且包括第一部分和第二部分。 第一部分从电源部分延伸到与电源部分长方向有关的方向。 第二部分具有管状并且在第一部分的周边部分在管形成部分和电源部分之间延伸。

公开(公告)号：KR101420078B1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：KR1020147012364

申请日：2012-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이종 ,  마츠모토나오키 ,  고야마고지 ,  미하라나오키 ,  다카하시가즈키 ,  요시카와준 ,  모야마가즈키 ,  다니카와다케히로

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140068118A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 산화실리콘막의 질화실리콘막에 대한 선택비를 높게 할 수 있는 에칭 방법 및 장치를 제공한다. 처리 용기(10)에, 플라즈마 여기용 가스 및 CHF계 가스를 포함하는 처리 가스를, CHF계 가스의 플라즈마 여기용 가스에 대한 유량비가 1/15 이상이 되도록 도입한다. 처리 용기(10)내에 플라즈마를 발생시키는 것에 의해, 처리 용기(10)내의 기판 W에 형성된 산화실리콘막(5)을 상기 질화실리콘막(1)에 대해서 선택적으로 에칭한다.

公开(公告)号：KR101341371B1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：KR1020127019599

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

公开(公告)号：KR101304408B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020120043187

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 유전체 부재, 마이크로파를 도입하는 수단, 인젝터 및 전계 차폐부를 구비하고 있다. 처리 용기는 그 내부에 처리 공간을 구획하여 형성한다. 스테이지는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 유전체 부재는 스테이지에 대면하도록 설치되어 있다. 마이크로파를 도입하는 수단은, 유전체 부재를 개재하여 처리 공간 내에 마이크로파를 도입한다. 인젝터는 유전체제이며, 하나 이상의 관통홀을 가진다. 인젝터는, 예를 들면 벌크 유전체 재료로 구성된다. 이 인젝터는 하나 이상의 관통홀을 가지고, 유전체 부재의 내부에 배치된다. 인젝터는, 유전체 부재에 형성된 관통홀과 함께 처리 공간으로 처리 가스를 공급하기 위한 경로를 구획하여 형성한다. 전계 차폐부는 인젝터의 주위를 덮는다.

公开(公告)号：KR1020130006351A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120073543

申请日：2012-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시카와쥰 ,  모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: PURPOSE: An antenna, a dielectric window, a plasma treatment device and a plasma treatment method are provided to modify a protection layer by detecting the energy line like energy beam from the protection layer. CONSTITUTION: An antenna comprises a dielectric window(16), and a slot plate(20) installed at one direction of the dielectric window. Another side of the dielectric window comprises a planation surface surrounded a first depressed portion of illusion. Another side of the dielectric window comprises several second depressed portion formed inside a planation surface to surround center location of the planation surface. Each center location of a second depressed portion is overlapped inside several slots at the slot plate in the vertical direction of the main surface of the slot plate. [Reference numerals] (10) Exhaust device; (100) Gas supply source; (AA) Other element; (BB) Controller; (CC) Power supply

Abstract translation: 目的：提供天线，电介质窗，等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过检测来自保护层的能量束的能量线来修改保护层。 构成：天线包括电介质窗（16）和安装在电介质窗的一个方向上的槽板（20）。 电介质窗口的另一侧包括围绕着错觉的第一凹陷部分的平面表面。 电介质窗口的另一侧包括形成在平面表面内部以围绕平面表面的中心位置的多个第二凹陷部分。 第二凹陷部的每个中心位置在槽板的主表面的垂直方向上在槽板的多个槽内重叠。 （附图标记）（10）排气装置; （100）气源; （AA）其他要素; （BB）控制器; （CC）电源

公开(公告)号：KR1020120134134A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020127025459

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  마츠모토나오키 ,  요시카와쥰

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J23/36 ,  H01J9/44 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 유전체창(41) 중, 플라즈마를 생성하는 측의 면의 직경 방향 외측 영역에는, 환상으로 연장되고, 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 테이퍼 형상으로 오목한 제 1 유전체창 오목부(47)가 형성되어 있다. 제 1 유전체창 오목부(47)의 직경 방향 내측 영역에는, 플라즈마를 생성하는 측의 면으로부터 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 오목한 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)가 형성되어 있다. 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)는, 유전체창(41)의 직경 방향의 중심(56)을 중심으로서 회전 대칭성을 가지도록, 각각 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120098931A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020127019599

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

公开(公告)号：KR101094980B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090016156

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  니시즈카테츠야 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 플라즈마 발화성을 향상시키고, 또한 적절히 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(11)는, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 유지하는 유지대(14)와, 유지대(14)와 대향하는 위치에 배치되어, 마이크로파를 처리 용기(12) 내로 도입하는 유전판(16)과, 도입된 마이크로파에 의하여 처리 용기(12) 내에 전계를 발생시킨 상태에서 플라즈마 발화하고, 처리 용기(12) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발화 수단과, 유지대(14)와 유전판(16)과의 간격을 제 1 간격으로 변경하고, 플라즈마 발화 수단을 작동시켜, 유지대(14)와 유전판(16)과의 간격을 제 1 간격과는 다른 제 2 간격으로 변경하고, 반도체 기판(W)으로의 플라즈마 처리를 행하도록 제어하는 승강 기구(18)을 포함하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090086356A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：KR1020090009977

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to improve plasma ignition and ignition stability by arranging a slot to a vertical top direction of a tilted surface. A plasma processing apparatus(11) includes a processing vessel(12) having a top opening, a dielectric(15), and an antenna(24). The dielectric has a tilted surface, and is arranged in order to close the top opening of the processing vessel. The tilted surface is tilted in order to consecutively change a thickness size of a bottom surface. The antenna is arranged on a top surface of the dielectric. The antenna generates plasma on the bottom surface of the dielectric by supplying a microwave to the dielectric. The antenna has a plurality of slots positioned in a vertical top direction of the tilted surface.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于通过将倾斜表面的垂直顶部方向布置成槽来改善等离子体点火和点火稳定性。 等离子体处理装置（11）包括具有顶部开口的处理容器（12），电介质（15）和天线（24）。 电介质具有倾斜表面，并且被布置成封闭处理容器的顶部开口。 倾斜的表面倾斜以连续地改变底面的厚度尺寸。 天线布置在电介质的顶表面上。 天线通过向电介质提供微波在电介质的底表面上产生等离子体。 天线具有位于倾斜表面的垂直顶部方向上的多个狭槽。