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公开(公告)号:CN105405734A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510554068.9
申请日:2015-09-02
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01J37/226 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/057 , H01J2237/15 , H01J2237/2007 , H01J2237/24485 , H01J2237/24585 , H01J2237/2802
Abstract: 本发明涉及一种在透射带电粒子显微镜中执行光谱术的方法,所述透射带电粒子显微镜包括:-样本夹持器,用于夹持样本;-源,用于产生带电粒子的射束;-照明器,用于引导所述射束以便照射所述样本;-成像系统,用于将透射穿过所述样本的带电粒子的通量引导到光谱学装置上,所述光谱学装置包括用于使所述通量分散到光谱子射束的能量分辨阵列中的分散设备,所述方法包括以下步骤:-使用可调光圈设备来容许所述阵列的第一部分到达检测器,同时阻挡所述阵列的第二部分;-在所述光圈设备上游在所述通量中提供辐射传感器;-使用所述传感器来在所述阵列的所述第二部分的所选区域中执行局部化辐射感测,同时通过所述检测器检测所述第一部分;-使用来自所述传感器的感测结果来调整来自所述检测器的检测结果。
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公开(公告)号:CN102947479B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180029156.7
申请日:2011-05-18
Applicant: 默克专利有限公司
Inventor: 菲利普·施特塞尔 , 霍尔格·海尔 , 赫伯特·施普赖策 , 伯恩哈德·舒巴赫 , 约翰内斯·达森布罗克
IPC: C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/32 , H01L51/00 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/32 , C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/221 , H01J37/05 , H01J37/3178 , H01J49/00 , H01J2237/057 , H01J2237/0815 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01L51/0008
Abstract: 本发明涉及利用分子(5,6)涂覆载体材料(2)的表面(1)的方法,其中来自分子储存器(3,4)的所述分子(5,6)被转化为气体状态并电离,在所述带电分子(5,6)到达所述表面(1)的途中,使其暴露于至少一个场分量与所述带电分子(5,6)定向运动方向垂直的至少一个电场和/或磁场,以便向所述带电分子(5,6)施加力的导向作用,所述导向作用与所述带电分子(5,6)的定向运动方向垂直。电和/或磁聚焦装置(8),例如四极场,作用于所述带电分子(5,6)在所述分子储存器(3,4)和所述表面(1)之间的定向运动。隔膜装置(12)以这样的方式布置在所述分子储存器(3,4)和所述表面(1)之间,所述方式使得仅具有指定的质荷比的分子(5,6)通过所述隔膜装置(12)到达表面(1)。借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置(14),防止所述带电分子(5,6)在指定的时间内撞击所述表面(1)。由此促进所述表面的结构化涂覆。
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公开(公告)号:CN102804328B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201080028969.X
申请日:2010-06-18
Applicant: 特温克里克技术公司
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J2237/057 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/166 , H01J2237/2001 , H01J2237/2006 , H01J2237/201 , H01J2237/202
Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14),所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中,轮的旋转轴线固定,并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的,离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c),以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17),所述磁体在带状平面中弯曲所述束。
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公开(公告)号:CN102292792B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201080005105.6
申请日:2010-01-22
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J2237/0041 , H01J2237/055
Abstract: 一种离子注入方法和系统包括束中和以减轻束散,该束散在低能大电流离子束中可能是特别有问题的。束中和部件可以位于其中扩大可能发生的系统中。中和部件包括变化的激励场产生部件,其产生中和离子束的等离子体,由此减轻束散。以变化的频率和/或场强度产生激励场,以维持中和等离子体,同时减轻降低中和等离子体的作用的等离子体壳层的形成。
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公开(公告)号:CN104040681A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201280065644.8
申请日:2012-03-06
Applicant: 维技盛达有限公司
Inventor: 比约恩·万贝里
IPC: H01J49/48 , G01N23/227 , H01J37/05 , H01J49/00
CPC classification number: H01J49/48 , G01N23/2273 , G01N2223/085 , H01J37/05 , H01J49/0031 , H01J49/06 , H01J49/061 , H01J49/484 , H01J2237/0535
Abstract: 本发明涉及一种用于确定与从粒子发出样本(11)发出的带电粒子相关的至少一个参数的方法,例如,涉及粒子的能量、起始方向、起始位置或转速的参数。该方法包括以下步骤:通过透镜系统(13),将带电粒子束引导至测量区域的入口中,并检测粒子在测量区域内的位置,其表示所述至少一个参数。此外,该方法包括以下步骤:在粒子束进入测量区域之前,使粒子束在相同的坐标方向上至少偏转两次。从而,能以这样的方式控制粒子束在测量区域(3)的入口(8)处的位置和方向,使得,一定程度上消除对样本(11)的物理操纵的需求。接着,这允许有效地冷却样本,使得能改进能量测量中的能量分辨率。
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公开(公告)号:CN103890895A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201180073721.X
申请日:2011-09-28
Applicant: SNU精度株式会社
IPC: H01J37/28 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/05 , H01J37/28 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/24485 , H01J2237/24495
Abstract: 本发明涉及一种具备反射电子检测功能的扫描电子显微镜,本发明的具备反射电子检测功能的扫描电子显微镜将从光源产生的原电子(Primary?Electron)射入试样,并且检测在所述原电子射入后从试样发射的发射电子,其特征在于,包括:维恩速度过滤部,配置在所述光源和所述试样之间,产生磁场及电场,从而将所述发射电子分离为次级电子(Secondary?Electron)和反射电子(Back?Scattered?Electron);和探测部,分别探测从所述维恩速度过滤部分离的次级电子和反射电子。由此,提供一种通过使用维恩速度过滤器,能够分离并探测次级电子和反射电子的具备反射电子检测功能的扫描电子显微镜。
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公开(公告)号:CN103563042A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280025376.7
申请日:2012-05-24
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02 , H01J49/06 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/023 , H01J37/05 , H01J49/30 , H01J2237/0455 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/24514
Abstract: 提供了一种方法和装置,从离子束管线中减少离子注入组分的不期望同位素。本文公开的装置是一种质量分析可变出口孔,选择性地减小离子束所见的出口孔的尺寸。在一个实施例中,质量分析可变出口孔位于质量分析器内在分解孔上游的位置,并且被配置为有效地限制出口孔的尺寸以允许期望的注入同位素通过而阻止不期望的注入同位素经过。在一个具体实施例中,质量分析可变出口孔安装在射束导管中,所述射束导管安装在AMU磁体的磁极之间。机械驱动机构使能根据射束特性在控制单元的引导下以分级的方式将阻挡结构移入射束路径中。
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公开(公告)号:CN102124538B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN200980123989.2
申请日:2009-06-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: G01T1/29 , H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/057 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子束一致性控制系统,其中,该一致性控制系统系包含:差动泵送室,其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列,其中,单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率,且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率,其中,宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除;法拉第杯轮廓仪,用于测量宽离子束轮廓;且,基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。
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公开(公告)号:CN102067268B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200980123998.1
申请日:2009-06-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/0492 , H01J2237/103 , H01J2237/1405 , H01J2237/1501 , H01J2237/1523 , H01J2237/153 , H01J2237/21 , H01J2237/24528 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明公开了一种用于在离子注入工件(228)期间磁性过滤离子束(210)的系统(200)及方法,其中从离子源(212)发射离子且加速离子使其远离离子源以形成离子束。离子束由质谱仪(214)进行质量分析,其中离子是选定的。一旦离子束进行质量分析,离子束接着通过减速器(242)被减速,且在减速的下游进一步磁性过滤离子束。磁性过滤由四极磁性能量过滤器(250)提供,其中形成磁场,用于截取离开减速器的离子束中的离子,以选择性地过滤不想要的离子和快速中性粒子(264)。
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公开(公告)号:CN103377865A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201210118487.4
申请日:2012-04-20
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1472 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1475 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/152
Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束传输方法,其采用两个独立的磁场:分析磁场和校正磁场,以及分析光栏对宽带离子束进行传输;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转;本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转,使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。
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