公开(公告)号：CN103365101A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210096470.3

申请日：2012-04-01

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 于国强 ,  郭鹏 ,  韩秀峰 ,  郭朝晖 ,  孙晓玉 ,  周向前

IPC: G03F7/20 ,  G01R31/00

CPC classification number: H01J37/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/096 ,  H01F7/202 ,  H01F7/204 ,  H01F41/00 ,  H01J37/141 ,  H01J2237/0262 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/31754 ,  H01L43/12

Abstract: 一种纳米图形化系统及其磁场施加装置，该纳米图形化系统包括真空腔、样品台和磁场施加装置，该磁场施加装置包括电源、磁场产生装置和一对磁极，所述磁场产生装置包括线圈和导磁软铁芯，所述电源与所述线圈连接，所述线圈缠绕在所述导磁软铁芯上以产生磁场，所述导磁软铁芯为半闭合框形结构，所述磁极分别安装在所述半闭合框形结构的两末端，所述纳米图形化系统的真空腔内设置有样品台，所述磁极相对于所述样品台设置在所述真空腔内，所述线圈和所述导磁软铁芯设置在所述真空腔外，所述导磁软铁芯将所述线圈产生的磁场引导进入所述真空腔内，所述磁极用以对所述样品台上的样品进行定位以及局域磁场的施加。

公开(公告)号：CN103069536A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180028500.0

申请日：2011-03-31

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  以色列实用材料有限公司

Inventor： R.尼佩尔迈耶

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/09

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2817

Abstract: 一种带电粒子探测系统，其包含多个探测元件和接近探测元件的多孔径板。带电粒子小波束可穿过多孔径板的孔径，以入射到探测元件上。可提供多于一个的多孔径板，以形成接近探测器的多孔径板的板组。提供给多孔径板的合适电势可具有对于穿过板的孔径的多个带电粒子小波束的能量过滤特性。

公开(公告)号：CN101563749B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780043193.7

申请日：2007-09-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 ,  拉塞尔·J·罗

IPC: H01J37/317 ,  H01J31/16 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/08

Abstract: 一种用在离子注入机的装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。

公开(公告)号：CN101103417B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480025528.9

申请日：2004-09-07

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  以色列实用材料有限公司

Inventor： 赖纳·克尼佩梅尔 ,  奥利弗·金茨勒 ,  托马斯·克门 ,  海科·米勒 ,  斯特凡·乌勒曼 ,  马克西米利安·海德尔 ,  安东尼奥·卡萨雷斯 ,  史蒂文·罗杰

IPC: G01N23/00 ,  G21K5/10 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/10 ,  H01J37/14 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31774

Abstract: 一种粒子光学排布结构，其包括：用于生成带电粒子束的带电粒子源；布置在带电粒子束的束路径中的多孔板，其中，该多孔板具有按预定的第一阵列图案形成在其中的多个孔，其中，在多孔板的下游从带电粒子束形成了多个带电粒子分束，并且其中，所述多个分束在该装置的像面中形成了多个束斑，所述多个束斑按第二阵列图案排列；以及用于操纵带电粒子束和/或多个分束的粒子光学元件；其中，第一阵列图案在第一方向上具有第一图案规则度，而第二阵列图案在与第一方向电子光学地对应的第二方向上具有第二图案规则度，并且其中，第二规则度比第一规则度要大。

公开(公告)号：CN101802964B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200880107478.7

申请日：2008-08-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·J·罗 ,  皮尔·R·卢比克 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  卡森·D·泰克雷特萨迪克

IPC: H01J37/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。

公开(公告)号：CN101026078B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200710005825.2

申请日：2007-02-25

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 高田实男 ,  池田稔 ,  松舟聪

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/045

Abstract: 提供了一种离子注入装置，其防止了在下述部件的通孔的内表面上的离子核素的淀积颗粒的散落造成的加工对象的故障，其中所述部件形成离子束的射束几何形状。由于具有通孔和能够形成射束几何形状的部件(220)的通孔(222)的至少内表面涂覆有热喷涂膜，抑制了通孔(222)的内表面上的离子核素的不期望的淀积。此外，由于在热喷涂膜的表面上产生的淀积膜具有表现出极高层间粘附性的无定向多晶结构，防止了从淀积层上剥落的颗粒的散落造成的加工对象的故障。

公开(公告)号：CN100580865C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200580019455.7

申请日：2005-04-15

Applicant: 纳沃技术有限公司

Inventor： 克劳斯·埃丁格 ,  约瑟夫·塞尔迈尔 ,  托尔斯滕·霍夫曼

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/09 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/026

Abstract: 提供一种利用带电粒子对样品进行研究和/或修改的装置，具体为扫描电子显微镜。所述装置包括带电粒子束(1，2)、具有用于使带电粒子束穿过的开孔(30)的屏蔽元件(10)，其中所述开孔(30)足够小且所述屏蔽元件(10)被设置成足够靠近样品的表面(20)，以减小表面处电荷累积效应对带电粒子束的影响。

公开(公告)号：CN101467217A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021260.5

申请日：2007-06-13

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 希尔顿·F·格拉维什 ,  达勒·康拉德·雅各布森 ,  托马斯·N·霍尔斯基 ,  萨米·K·哈赫托

IPC: G21K5/10

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明提供一种多用途离子植入器束线配置，其经构造以使得能够植入常用单原子掺杂剂离子物质和簇离子，所述束线配置具有质量分析器磁体，其界定在所述磁体的铁磁性极之间的具有相当大宽度的极间隙和质量选择孔隙，所述分析器磁体的大小设定为可容纳来自槽形离子源提取孔隙的离子束，且在对应于所述束的宽度的平面中在所述质量选择孔隙处产生分散，所述质量选择孔隙能够设定为质量选择宽度，所述宽度的大小经设定以选择所述簇的束，所述质量选择孔隙也能够设定为显著更窄的质量选择宽度，且所述分析器磁体在所述质量选择孔隙处具有足以允许选择具有实质上单一原子量或分子量的单原子掺杂剂离子束的分辨率。

公开(公告)号：CN101438368A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200680047932.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·J·罗 ,  乔纳森·G·英格兰 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC: H01J3/14

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/15 ,  H01J37/18 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/1503 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。

公开(公告)号：CN101373694A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810130871.X

申请日：2008-08-21

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 池田稔 ,  饭田敏雄

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/31701

Abstract: 旨在提供一种延长下述期限的离子注入装置，即在所述期限中，可以避免由于离子物典型地到和从形成离子束的束形状的通孔的内表面的沉积和释放而导致的处理目标的失败，降低更换孔部件的频率，从而改进生产率，一种孔部件，其至少在通孔的内表面的一部分中形成束形状并具有与离子束相对的锥面，并且具有厚热喷涂膜，形成所述热喷涂膜从而覆盖通孔的内表面和内表面周围。