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公开(公告)号：KR1020010078580A
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：KR1020000005949
申请日：2000-02-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B64C11/00
CPC classification number: B64C27/473 , B64C39/02 , B64C2201/024 , B64C2201/108 , B64D45/00 , Y02T50/66
Abstract: PURPOSE: A rotor device for a small vehicle and a method for checking characteristic of an aeroengine are provided to supply a rotor device and a helicopter blade with a high accuracy. CONSTITUTION: A rotor device for a small vehicle comprises a blade having a shape of peripheral curved face of a cylinder body; a hole formed on a crossed position of diagonal lines; a groove formed on front face and a rear face; and a hub formed by processing a hexahedron member. The groove of the front face is formed on a middle portion by using a left directional slant line. The groove of the rear face is formed on a middle portion by using a right directional slant line. The rotor device is produced by mixing fiberglass, carbon glass, Kevlar, carbon-carbon, FRP material into polyester and resin of epoxy.
Abstract translation: 目的：提供一种用于小型车辆的转子装置和用于检查航空发动机特性的方法，以高精度地提供转子装置和直升机叶片。 构成：小型车用转子装置，具有圆筒体的周边曲面形状的叶片， 在对角线的交叉位置形成的孔; 形成在前表面和后表面上的凹槽; 以及通过加工六面体构件形成的毂。 通过使用左方向倾斜线，在中间部分形成前面的槽。 后面的槽通过使用右方向倾斜线形成在中间部分上。 转子装置通过将玻璃纤维，碳玻璃，凯夫拉尔，碳 - 碳，FRP材料与聚酯和环氧树脂混合而制成。
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152.发明公开
公开(公告)号：KR1020010036949A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990044158
申请日：1999-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: PURPOSE: A method for locally forming a different band gap in a quantum well by a dielectric-semiconductor composite cover layer is provided to regulate a degree of disorder of the quantum well. CONSTITUTION: The method begins with growing an InGaAs/InGaAsP quantum well substrate by a chemical beam epitaxy technique. Next, a dielectric thin layer made of such as SiO2 or SiNx is formed as a cover layer on the quantum well substrate by a plasma-enhanced chemical deposition technique. After a heat treatment step is carried out at a temperature of 600 - 800°C for 4 - 16 minutes, the dielectric thin layer is removed. In addition, InP, InGaAs or InGaAsP is used as a semiconductor cover layer.
Abstract translation: 目的：提供通过介电半导体复合覆盖层在量子阱中局部形成不同带隙的方法，以调节量子阱的无序程度。 构成：该方法开始于通过化学束外延技术生长InGaAs / InGaAsP量子阱衬底。 接下来，通过等离子体增强化学沉积技术在量子阱基板上形成由SiO 2或SiN x构成的电介质薄层作为覆盖层。 在600-800℃的温度下进行4-16分钟的热处理步骤后，去除电介质薄层。 此外，使用InP，InGaAs或InGaAsP作为半导体覆盖层。
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公开(公告)号：KR1019990002608A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970026264
申请日：1997-06-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01R31/00
Abstract: 반도체 광 증폭기내에서의 부분 축퇴된 4관파 혼합 현상과 전압 구동형 광노정 지연기를 이용하여 수 피코초 이하의 시간폭을 갖는 극초단 광 펄스열의 펄스폭과 펄스 파형을 측정하는 본 발명에 따른 장치는, 광 샘플림용 극초단 광 펄스열을 일정 시간 지연시키기 위한 전압 구동형 광 노정 지연기와, 이 전압 구동형 광노정 지연기에 수 Hz의 전압 변화를 출력하는 신호 발생기와, 측정하려고 하는 극초단 광 펄스열과 상기 광 노정 지연기에 의해 일정 시간 지연된 광 샘플링용 극초단 광 펄스열을 혼합하여, 4광파 혼합 광 신호 펄스열을 생성하는 반도체 광증폭기와, 상기 4광파 혼합광만을 투과시키는 광파장 필터와, 상기 4광파 혼합 광 신호 펄스열의 평균 전압 출력을 구하기 위한 광 검출기와, 상기 광 검출기로부터 얻어지는 측정용 전압 신호를 증 폭시키는 증폭기와, 상기 증폭된 전압 신호의 펄스폭과 그 파형을 측정하기 위한 파형 측정 장비를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101714642B1
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020150106033
申请日：2015-07-27
Abstract: 본발명의실시예에따르면, 사각판형상을가지며측면모서리에상호간결합을위한제1결합요소를가지며, 상부면과하부면의각 모서리에제2결합요소를가지는측면플레이트; 다각판형상을가지며상기측면플레이트의제2결합요소와결합되는제3결합요소가각 모서리에마련되고상부면에는스터드가마련되는상부플레이트; 및다각판형상을가지며상기측면플레이트의제2결합요소와결합되는제4결합요소가각 모서리에마련되고하부면에는상기상부플레이트의스터드가결합되는지지구조가마련되는하부플레이트를포함하며, 상기제1결합요소, 제2결합요소, 제3결합요소및 제4결합요소는착탈가능한조립유닛이개시된다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例中，具有具有用于侧边缘之间耦合的第一耦合元件的矩形板形状，具有在上表面和下表面的每个角部的第二联接元件的侧板; 一个具有多边形板形状的上板，并且在其边缘处设置有第三接合元件，以与侧板的第二接合元件接合并且在其上表面具有螺柱; 具有mitda脚板形状设置有耦合与侧板下表面具有的第二联接元件，和一个下板，其是双头的支撑结构被接合到设置，所述第一顶板的第四接合元件gagak边缘 耦合元件，第二耦合元件，第三耦合元件和第四耦合元件可拆卸地安装。
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公开(公告)号：KR1020170013078A
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020150106033
申请日：2015-07-27
Abstract: 본발명의실시예에따르면, 사각판형상을가지며측면모서리에상호간결합을위한제1결합요소를가지며, 상부면과하부면의각 모서리에제2결합요소를가지는측면플레이트; 다각판형상을가지며상기측면플레이트의제2결합요소와결합되는제3결합요소가각 모서리에마련되고상부면에는스터드가마련되는상부플레이트; 및다각판형상을가지며상기측면플레이트의제2결합요소와결합되는제4결합요소가각 모서리에마련되고하부면에는상기상부플레이트의스터드가결합되는지지구조가마련되는하부플레이트를포함하며, 상기제1결합요소, 제2결합요소, 제3결합요소및 제4결합요소는착탈가능한조립유닛이개시된다.
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公开(公告)号：KR101678454B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020140148176
申请日：2014-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본명세서는사용자의개별화된걸음특성을반영하여보폭을추정하는장치및 방법에관한것이다. 본명세서에따른사용자의보폭을추정하는보폭추정장치는, 상기보폭추정장치의가속도를측정하여가속도신호로서출력하는가속도센서, 보폭추정장치의각 움직임을측정하여자이로신호로서출력하는자이로센서, 및사용자의걸음특성유형및 상기사용자의모션유형에따라상이한파라미터들을갖도록구성된선형방정식에가속도신호또는자이로신호로부터추출된걸음특성값을대입하여, 사용자의보폭을추정하는보폭추정부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101541084B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140021412
申请日：2014-02-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L51/0558 , C01B32/194 , H01L51/0012 , H01L51/002 , H01L51/0045 , H01L51/0093 , H01L51/0562 , H01L51/0583 , H01L51/107
Abstract: 그래핀(graphene) 내 PN 접합형성방법은, 그래핀층을형성하는단계; 및상기그래핀층의일부영역에, 상기그래핀층에흡착되었을때 상기그래핀층에미리결정된도핑특성을부여하도록설계된염기배열구조를갖는 DNA 분자층을형성하는단계를포함할수 있다. 그래핀이특정반도체특성을갖도록도핑시키도록염기배열구조가설계된 DNA 분자를마이크로패터닝에의해일부영역이노출된그래핀층 표면에코팅함으로써, 그래핀층에서 DNA 분자가코팅된영역과코팅되지않은영역에의해다양한구조의 PN 접합을형성할수 있다.
Abstract translation: 在石墨烯中形成PN结的方法可以包括形成石墨烯层的步骤; 以及形成具有设计的碱基序列结构的DNA分子层的步骤，以在石墨烯层被吸附到石墨烯层的一部分时提供预定的掺杂特性。 具有设计的碱基序列结构的具有掺杂以允许石墨烯具有特定半导体特性的DNA分子被涂覆在通过微图案化部分暴露的石墨烯层的表面上。 因此，各种结构的PN结可以由涂覆有DNA分子的区域和未被DNA分子包被的区域形成。
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公开(公告)号：KR101487271B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130096572
申请日：2013-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01S3/117 , H01S3/08027 , H01S3/1062 , H01S3/1068 , H01S3/11 , H01S3/1103 , H01S3/1106 , H01S3/1109 , H01S3/1112 , H01S3/1623
Abstract: 본 발명은 레이저 광을 생성하는 펄스 레이저 장치에 관한 것으로, 공진기의 양쪽 끝에 배치되어 레이저 광을 반사시키는 제1미러와 제2미러, 상기 제1미러와 상기 제2미러 사이에 배치되고, 외부에서 입사된 광을 증폭하여 출력하는 이득매질, 레이저 광의 펄스폭을 조정하는 에탈론, 상기 제1미러와 상기 제2미러 사이에 배치되고, 레이저 광으로부터 모드록킹 및 Q-스위칭 출력과 버스트를 발생시키는 음향광학 변조기를 구비하고, 레이저 광 중 일부가 상기 제1미러 또는 상기 제2미러를 통하여 공진기 외부로 출력되는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种激光装置，更具体地说，涉及一种控制激光器的脉冲宽度和脉冲能量的脉冲激光装置。 本发明涉及一种用于产生激光束的脉冲激光装置，包括安装在谐振器的两端侧并反射激光的第一和第二反射镜; 增益介质，其安装在第一和第二反射镜之间并放大并输出来自外部的入射光; 控制激光的脉冲宽度的标准具; 以及声光调制器，其安装在第一和第二反射镜之间并产生模式锁定，Q开关输出和来自激光的突发。 在本发明中，一些激光经由第一和第二反射镜输出到谐振器的外部。
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