公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

公开(公告)号：KR1020140029359A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020137011945

申请日：2011-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  가타오카겐이치 ,  센자키시게루 ,  시마누키요오이치 ,  가노가즈히코 ,  와무라유 ,  강송윤 ,  니시무라에이이치

IPC: B01D69/02 ,  B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D63/00

CPC classification number: B01D67/0023 ,  B01D61/025 ,  B01D67/0034 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/10 ,  B01D71/022 ,  B01D71/024 ,  B01D2323/225 ,  B01D2323/24 ,  B01D2323/283 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/08 ,  B01D2325/48 ,  Y10T156/10

Abstract: 상수나 담수를 손쉽게 얻을 수 있는 여과용 필터의 제조 방법을 제공한다.
실리콘으로 이루어지는 기판(1)을, 상기 기판(1)의 표면 상에 형성된 상기 표면의 일부를 노출시키는 다수의 개구부를 갖는 마스크막을 사용하여 에칭하여 기판(1)에 직경이 약 100㎚인 다수의 둥근 구멍(2)을 형성하고, 형성된 둥근 구멍(2)의 내표면에 산화규소막(3)을 퇴적시켜 산화규소막(3)에 의해 축소되는 둥근 구멍(2)의 개구부 근방의 최소 직경부(4)에 있어서의 직경 D1을 1㎚∼100㎚로 조정한다.

公开(公告)号：KR101245430B1

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020117000747

申请日：2009-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하도록 마련되고 상기 처리 용기내에 처리가스를 공급하기 위한 다수의 가스 토출 구멍이 그 하면에 형성된 도전성 부재로 이루어지는 가스 샤워헤드와, 상기 가스 샤워헤드의 아래쪽 공간을 둘러싸는 영역에 유도 결합형 플라즈마를 발생시키기 위해 고주파 전류가 공급되는 유도 코일과, 상기 가스 샤워헤드에 부의 직류 전압을 인가해서 상기 유도 코일에 의해 유도되는 전계를 처리 영역의 중앙부측에 인입하기 위한 부전압 공급 수단과, 상기 처리 용기내를 진공 배기하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가다.

公开(公告)号：KR1020120011014A

公开(公告)日：2012-02-06

申请号：KR1020117024723

申请日：2010-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 강송윤

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C01B33/027

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274

Abstract: CVD법에 의해 기판 상에 실리콘 산화막을 성막함에 있어서, 카르보닐기를 갖는 실록산계 화합물로 이루어지며, 에너지가 부여됨으로써 분해되어 CO가 탈리하여, 화학 구조상 단글링 본드가 존재하지 않는 생성물이 생성되고, 그 생성물이 성막에 기여하는 실리콘 산화막용 성막 원료를 이용한다. 이에 따라, 양호한 스텝 커버리지로 실리콘 산화막이 성막된다.

公开(公告)号：KR1020110132214A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020110029148

申请日：2011-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마다도모꼬 ,  니시겐지 ,  심무라사또시 ,  후꾸오까데쯔오 ,  기따노다까히로 ,  다께시따가즈히로 ,  강송윤

IPC: H01L21/027 ,  B05B15/00 ,  B05C9/10

CPC classification number: H01L21/0273 ,  B05B15/16 ,  B05B15/20 ,  B05C9/10 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A hydrophobic treatment method and apparatus are provided to secure stable and high hydrophobic property using hexamethyl disilazane gas as carrier gas of H2O. CONSTITUTION: A reaction accelerator which accelerates the hydrophobic of a substrate is provided to the substrate. The substrate which is carried in the inner side of a treatment basin(30) is heated. The steam vapor of the reaction accelerator is adsorbed on the surface of the substrate. Hydrophobic treatment gas is provided to the surface of the substrate. The reaction of silicon of the hydrophobic treatment gas and oxygen of the surface of the substrate is accelerated by the reaction accelerator.

Abstract translation: 目的：提供使用六甲基二硅氮烷作为H 2载体的疏水性处理方法和装置，以确保稳定和高疏水性。 构成：将加速基材的疏水性的反应促进剂提供给基材。 载置在处理池（30）的内​​侧的基板被加热。 反应促进剂的蒸气蒸气被吸附在基材的表面上。 疏水性处理气体被提供到基底的表面。 疏水性处理气体的硅与基板表面的氧的反应被反应促进剂加速。

公开(公告)号：KR1020070058695A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077010119

申请日：2005-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  오타도모히로 ,  강송윤 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: Plasma is produced on a substrate (W) placed in an airtight processing container (1) by introducing a microwave to a radial line slot antenna (4). Such conditions are set that a pressure in the processing container is 7.32Pa through 8.65Pa, a microwave power is 2000W through 2300W, the distance (L1) between the substrate surface and the opposite surface of a material gas supply member (3) is 70mm through 105mm, and the distance (L2) between the substrate surface and a discharge gas supply member (2) is 100mm through 140mm. Under these conditions, a material gas consisting of cyclic C5F8 gas is activated based on the energy of the microwave. Hence, a film forming seed containing large numbers of C4F6 ions and radicals are obtained. Accordingly, a fluorine-added carbon film excellent in leak characteristics and thermal stability is formed.

Abstract translation: 通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。 这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。 在这些条件下，基于微波的能量激活由循环C5F8气体组成的原料气体。 因此，获得含有大量C 4 F 6离子和自由基的成膜种子。 因此，形成了泄漏特性和热稳定性优异的氟加成膜。

公开(公告)号：KR101692082B1

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020110029148

申请日：2011-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마다도모꼬 ,  니시겐지 ,  심무라사또시 ,  후꾸오까데쯔오 ,  기따노다까히로 ,  다께시따가즈히로 ,  강송윤

IPC: H01L21/027 ,  B05B15/00 ,  B05C9/10

Abstract: 본발명의과제는안정적이고높은소수성을확보할수 있는소수화처리방법및 소수화처리장치를제공하는것이다. 처리용기내에서, 웨이퍼(W)에 HMDS 가스를공급하고, 상기웨이퍼의표면에 -O(CH)로이루어지는소수기를생성하는소수화처리에있어서, 상기소수화를촉진시키는반응촉진제로서수증기를웨이퍼(W)에공급하는공정과, 상기처리용기내로반입된웨이퍼(W)를가열하는공정과, 가열된웨이퍼(W)의표면에상기수증기가흡착되어있는상태에서, 당해웨이퍼(W)의표면에상기 HMD 가스를공급하는공정을실시한다. 상기수증기에의해, HMDS 소수화처리가스의규소와, 기판표면의산소의반응이촉진되어, 안정적이고높은소수성이얻어진다.

Abstract translation: 要解决的问题：提供疏水性处理方法和能够稳定地确保高疏水性的疏水性处理装置。解决方案：在用于在处理容器中供给晶片W与HMDS气体进行疏水处理以产生疏水基团，包括 -O（CH），晶片W供给蒸汽作为加速疏水化的反应促进剂的工序，加工在处理容器中的晶片W的加工过程以及供给HMD的工序 执行在加热的晶片W的表面上吸附蒸汽的状态下的晶片W的表面的气体。 蒸汽加速HMDS疏水性处理气体中的硅与基材表面上的氧之间的反应，从而稳定地实现高疏水性。

公开(公告)号：KR1020150036173A

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020157001841

申请日：2013-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸호우징 도쿄노우코우다이가쿠

Inventor： 강송윤 ,  구마가이,요시나오 ,  고우키츠,아키노리

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/407 ,  B05C19/06 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262

Abstract: 이 ZnO막의제조방법은, 설치대(3)에상기기판(2)을배치하는설치공정과, 제어장치(CONT)에의해, 염소가스공급원으로부터제1 원료수용부(R1)에염소가스를공급하고, 또한, 제3 가스공급원(산소가스공급원)(G3)으로부터반응용기(1) 내에산소가스를공급하면서, 제1 원료수용부(R1)의온도(T1), 제2 원료수용부(R2)의온도(T2), 기판(2)이배치된설치대(3)의온도(T3)가, T1

公开(公告)号：KR1020140104440A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020147016559

申请日：2012-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠지,아키히로 ,  강송윤

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32477

Abstract: 마이크로파를 도입하기 위한 유전체창이 손상되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(110)는 기판(S)을 수용하는 처리 챔버(111)와, 그 처리 챔버(111)에 인접하여 배치되는 플라즈마 생성 유닛(112)을 구비하고, 그 플라즈마 생성 유닛(112)은 마이크로파를 전파시키는 도파관(115)과, 그 도파관(115)에 접속된 플라즈마 생성 챔버(116)와, 도파관(115) 및 플라즈마 생성 챔버(116) 사이에 개재하여, 도파관(115)이 전파하는 마이크로파를 플라즈마 생성 챔버(116)의 내부로 도입하는 유전체창(117)을 갖고, 플라즈마 생성 챔버(116)의 내부 공간인 플라즈마 발생 공간(G)은 구형상을 나타내며, 처리 챔버(111)의 내부와 연통한다.

公开(公告)号：KR101321155B1

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：KR1020117024723

申请日：2010-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 강송윤

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C01B33/027

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274

Abstract: CVD법에 의해 기판 상에 실리콘 산화막을 성막함에 있어서, 카르보닐기를 갖는 실록산계 화합물로 이루어지며, 에너지가 부여됨으로써 분해되어 CO가 탈리하여, 화학 구조상 단글링 본드가 존재하지 않는 생성물이 생성되고, 그 생성물이 성막에 기여하는 실리콘 산화막용 성막 원료를 이용한다. 이에 따라, 양호한 스텝 커버리지로 실리콘 산화막이 성막된다.