公开(公告)号：KR100666039B1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：KR1020040100147

申请日：2004-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시모토신야 ,  나카야마히로유키 ,  기무라히데토시

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명은 정전기력을 사용하여 웨이퍼(W)를 흡착하는 정전척(16)에 관한 것으로, 정전척(16)은, 웨이퍼(W)와 접촉하는 복수의 돌기부(16C)를 갖고, 그리고 돌기부(16C)를, 1∼2㎛의 평균 입자직경을 갖는 알루미나 결정 입자를 포함하는 세라믹 유전체(16A)에 의해 형성함과 더불어, 돌기부(16C)의 웨이퍼(W)와의 접촉면을 입자직경에 의존하는 표면 조도의 Ra 02∼0.3㎛로 형성한다. 본 발명에 의하면, 리프터 핀에 의해 웨이퍼(W)가 튀어오르는 문제가 해결되며, 웨이퍼(W) 면내의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100585436B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.

公开(公告)号：KR1020060047498A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050034866

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209

Abstract: 기판을 손상하지 않고, 기판의 뒷면에 부착한 이물을 충분히 제거할 수 있는 기판세정장치를 제공한다.
기판세정장치로서의 플라즈마처리장치(1)는 챔버(10)와, 해당 챔버(10)내에 배치되어, 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(11)와, 해당 서셉터(11)에 배치되어, 고전압이 인가되는 전극판(20)과, 챔버(10)내를 배기하는 대강 배기 라인과, 서셉터(11) 및 웨이퍼 W사이에 공간 S를 생기게 하는 푸셔핀(30)과, 공간 S에 N
2 가스를 공급하는 열전도가스공급구멍(27)과, 챔버(10)내에 처리가스 등을 도입하는 샤워헤드(33)를 구비하여, 공간 S가 발생하고 있을 때, 전극판(20)에는 다른 극성의 고전압이 교대로 인가되고, 웨이퍼 W의 뒷면을 향해 공간 S에 N
2 가스가 분출되고, 또한 챔버(10)내는 배기되고, 또한, 챔버(10)내가 감압되고 있을 때에, 챔버(10)내에 N
2 가스가 도입된다.

公开(公告)号：KR1020060047497A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050034865

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B25J11/0095 ,  H01L21/67069

Abstract: 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내를 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치가 제공된다. 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가된다.
기판반송장치, 기판처리시스템, 세정방법

公开(公告)号：KR1020040048343A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：KR1020030085691

申请日：2003-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  나가야마노부유키 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721

Abstract: PURPOSE: An inner member of a plasma treatment vessel is provided to restrain the delamination of a sprayed coating layer by preventing a base member from being exposed to process gas or cleaning solutions using a barrier coating layer and resin. CONSTITUTION: An inner member of a plasma treatment vessel includes a base member(71) and a coating layer(72) formed by performing ceramic spraying on the base member. The coating layer includes a main layer(73) and a barrier coating layer(74) between the base member and the main layer. The ceramic of the coating layer contains at least one selected from a group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Cr, Y, Zr, Ta, Ce, and Nd. The coating layer is partially sealed with resin.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理容器的内部构件，以通过使用阻挡涂层和树脂防止基底部件暴露于处理气体或清洁溶液来抑制喷涂层的分层。 构成：等离子体处理容器的内部构件包括通过在基底构件上进行陶瓷喷涂而形成的基底构件（71）和涂层（72）。 涂层包括主层和主层之间的主层（73）和阻挡涂层（74）。 涂层的陶瓷含有选自B，Mg，Al，Si，Ca，Cr，Y，Zr，Ta，Ce和Nd中的至少一种。 涂层用树脂部分密封。

公开(公告)号：KR1020150030654A

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020147034335

申请日：2013-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키켄야 ,  후사노히로아키 ,  히로오카다카아키 ,  나가오다케시 ,  나카야마히로유키

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B29C59/16 ,  B29C35/0888 ,  B29C59/002 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2031/772 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 판형의 템플릿 본체부와, 상기 템플릿 본체부의 표면에 형성된 미리 정해진 형상의 패턴부를 갖는 템플릿과, 상기 템플릿을 유지하는 템플릿 유지 기구와, 광 경화성 수지로 이루어지는 수지층이 형성된 기판을, 상기 템플릿의 상기 패턴부와 상기 수지층이 접촉한 상태로 유지할 수 있는 기판 유지 기구와, 상기 광 경화성 수지를 경화시키는 파장 영역의 광을 조사하기 위한 광 조사 기구를 구비한 인프린트 장치로서, 상기 템플릿은, 상기 템플릿 본체부의 측면으로부터 상기 광이 입사될 수 있고, 상기 광 조사 기구는, 상기 광을, 상기 템플릿 본체부의 측면으로부터 입사시키고 상기 템플릿 본체부를 투과시켜 상기 수지층에 조사한다.

公开(公告)号：KR101327671B1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020100011629

申请日：2010-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  오이카와준지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명은 피처리 기판에 손상을 가하지 않고 피처리 기판을 제전하여 피처리 기판으로의 정전기력에 의한 파티클 부착을 방지할 수 있는 반송 챔버 및 파티클 부착 방지 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 기판 처리부(2)와 대기계 반송부(3) 사이에 마련되는 반송 챔버(4)는, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버 본체(51)를 구비하고 있다. 챔버 본체(51)는 급기 시스템(52)과 배기 장치(53)에 의해 감압 환경과 대기압 환경으로 전환가능하다. 급기 시스템(52)은 챔버 본체(51)의 외측에 이온화 가스를 발생시키는 이온화 장치(60)를 구비하고 있다. 이온화 장치(60)에서 발생시킨 이온화 가스를 챔버 본체(51)에 공급하여, 챔버 본체(51)에 수용된 웨이퍼(W)를 제전한다.

公开(公告)号：KR101123502B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：KR1020090027704

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야마히로유키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마에칭방법에있어서, 진공가능한처리용기내에서제 1 전극과제 2 전극을간격을두고평행하게배치하고, 상기처리용기내에부재를마련하고, 상기제 1 전극에대향시켜피처리기판을제 2 전극으로지지하고, 상기처리용기내를소정의압력으로진공배기하고, 상기제 1 전극과상기제 2 전극의사이의처리공간에에칭가스를공급하고, 상기제 1 전극또는제 2 전극에고주파를인가하여상기처리공간에서상기에칭가스의플라즈마를생성하고, 상기플라즈마하에서상기기판의표면의피가공막을에칭한다. 상기플라즈마에칭방법에서, 소정의에칭처리중에상기처리용기내에서상기기판으로부터떨어진장소에서상기플라즈마중의반응종과반응하여에칭되는상기부재에직류전압을인가하고, 적어도상기에칭가스에관한프로세스파라미터를일정하게유지하는소정의에칭프로세스에있어서, 상기피가공막에서원하는에칭특성이얻어지도록미리설정된시간-전압의함수에따라상기직류전압을시간축상에서가변한다.

公开(公告)号：KR1020090103751A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090024901

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  이와타마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: An electrode structure and substrate processing apparatus are provided to increase the electron density at the peripheral part of the substrate. CONSTITUTION: An electrode structure and substrate processing apparatus is arranged within the process chamber. The electrode structure is faced to the substrate mounted in the main chuck within the process chamber. The electrode structure includes the inner electrode(34), and the outer electrode(35). The inside electrode is faced to the central part of a substrate. The outer electrode is faced to the peripheral part of a substrate. In the inner electrode, the first DC power supplies are connected. The second DC power supplies are connected to the outer electrode. The outer electrode has the first plane(35a), and the second face(35b) inclined to the first plane.

Abstract translation: 目的：提供电极结构和衬底处理装置，以增加衬底周边部分的电子密度。 构成：在处理室内设置电极结构和基板处理装置。 电极结构面对安装在处理室内的主卡盘中的基板。 电极结构包括内电极（34）和外电极（35）。 内部电极面对基板的中心部分。 外电极面向基板的周边部分。 在内部电极中，连接第一直流电源。 第二直流电源连接到外电极。 外电极具有第一平面（35a），第二面（35b）倾斜于第一平面。

公开(公告)号：KR1020080012131A

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：KR1020070053690

申请日：2007-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키 ,  곤도게이스케 ,  오카히로키

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67769

Abstract: An intermediate transfer chamber is provided to suppress adiabatic expansion of inner gas on a substrate by controlling exhaust conductance on at least a support part of a substrate and a main surface opposite to the support part. An exhaust apparatus exhausts the inside of an intermediate transfer chamber to reduce the inner pressure of the intermediate transfer chamber from a first pressure to a second pressure. In the exhaust process of the exhaust apparatus, a conductance control apparatus controls exhaust conductance on at least a support part for supporting a substrate and a main surface opposite to the support part. The conductance control apparatus is made of a plate-type member(90) confronting the main surface of the substrate.

Abstract translation: 提供中间转印室以通过控制至少衬底的支撑部分和与支撑部分相对的主表面的排气传导来抑制衬底上的内部气体的绝热膨胀。 排气装置排出中间转移室的内部，以将中间转移室的内部压力从第一压力降低到第二压力。 在排气装置的排气过程中，电导控制装置控制至少一个用于支撑基板的支撑部分和与支撑部分相对的主表面的排气传导。 电导控制装置由面对基板的主面的板状部件（90）构成。