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公开(公告)号：KR100819296B1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020070027209
申请日：2007-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4401 , H01L21/67253
Abstract: 기판 처리 장치는 퇴적물로 인한 오염을 실시간으로 모니터링할 수 있게 한다. 기판 상에서 처리가 실행되는 처리 챔버의 내벽 표면에 부착된 퇴적물을 모니터링하기 위해, 기판 처리 장치의 퇴적물 모니터링 장치는, 서로 떨어져 배치되고, 모두 센서에 접속된 두개의 컨덕터 사이의 캐패시턴스를 측정하는 센서를 포함한다. 컨덕터 사이의 캐패시턴스는 퇴적물의 양이 증가함에 따라 증가하여, 퇴적물로 인한 오염의 상태를 반영한다.
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公开(公告)号：KR1020070095241A
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020070027209
申请日：2007-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4401 , H01L21/67253
Abstract: A substrate processing apparatus, a deposit monitoring apparatus, and a deposit monitoring method are provided to enhance reproducibility of a plasma process by monitoring contamination of a deposit in real time. A substrate processing apparatus includes a processing chamber for performing a predetermined treatment process to a processing target substrate and a deposit monitoring apparatus(50) for monitoring a deposit attached to an inner wall surface of the processing chamber. The deposit monitoring apparatus includes a first conductor(60a) having at least a part disposed in the processing chamber, a second conductor(60b) separated from the first conductor, and a sensor connected to the first conductor and the second conductor in order to obtain data related to capacitance between the first conductor and the second conductor. The sensor includes a capacitance meter(70) for measuring a capacitance value between the first conductor and the second conductor.
Abstract translation: 提供了基板处理装置，沉积物监测装置和沉积物监测方法，以通过实时监测沉积物的污染来提高等离子体处理的再现性。 基板处理装置包括对处理对象基板进行预定处理处理的处理室和用于监视附着在处理室的内壁面上的沉积物的沉积物监视装置（50）。 沉积物监测装置包括具有设置在处理室中的至少一部分的第一导体（60a），与第一导体分离的第二导体（60b）和连接到第一导体和第二导体的传感器，以便获得 与第一导体和第二导体之间的电容有关的数据。 传感器包括用于测量第一导体和第二导体之间的电容值的电容计（70）。
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公开(公告)号：KR102000797B1
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：KR1020140078688
申请日：2014-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
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公开(公告)号：KR101802022B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020140158044
申请日：2014-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651
Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.
Abstract translation: 连接到高频电源的主天线和与主天线电绝缘的辅助天线（处于浮动状态）。 而且，当从平面看时，主天线和辅助天线在各个投影区域中彼此不重叠。 具体而言，对于主天线，辅助天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 通过穿过主天线的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且使辅助天线谐振以不仅在主天线的下侧的区域中而且在辅助天线的下侧的区域中产生感应等离子体 从而。
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公开(公告)号：KR101775751B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020130134997
申请日：2013-11-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본발명의과제는대형의피처리기판에대해서, 금속창을사용하여균일한플라즈마처리를실행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공하는것이다. 직사각형의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치로서, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되고, 기판에대응하여마련된직사각형을이루는금속창을구비하고, 금속창(2)은장변(2a)을포함하는제 1 영역(201)과, 단변(2b)을포함하는제 2 영역(202)으로전기적으로절연되도록분할되고, 또한제 2 영역(202)의반경방향의폭(a)과제 1 영역(201)의반경방향의폭(b)의비(a/b)가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于将要处理的大型基板，感应，这可以通过使用耦合型等离子体处理装置中的金属窗口运行一个均匀的等离子体处理。 对于矩形衬底上进行的感应耦合等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置，和用于产生在所述处理室中的电感耦合等离子体，并且其中所述基板设置在处理室中，用于接收所述衬底的区域中的高频天线，则产生感应耦合等离子体 它被设置在等离子体生成区域和所述高频天线是之间，设置有金属窗形成与所述衬底，金属窗口相对应地布置的矩形，（2）的第一区域201和短边包括eunjang侧（2A）（2B ），第二区域202被划分，以便被电绝缘，并且第二区域202，在第一区域（201）的径向方向上的宽度（a）中分配宽度，（b）中UIBI（一个在容纳的径向方向 / b）在0.8以上且1.2以下的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101676875B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020100027566
申请日：2010-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32642
Abstract: 본발명은피처리기판의주위를덮도록하부전극에부착되는포커스링을전극온도로부터독립적으로임의·간편또한효율적으로가열하는것을목적으로한다. 이플라즈마에칭장치에있어서, 챔버(10)의처리공간에처리가스를공급하지않을때에는고주파방전이일어나지않고, 플라즈마생성용부하는실질적으로존재하지않는다. 이경우, 플라즈마생성용부하로치환되어포커스링 가열용부하가고주파전원(28)에대해실질상의부하로되고, 정합기(32A)는고주파전원(28)에대해그 부하를임피던스정합시키도록동작한다. 여기서, 서셉터(12)로부터포커스링(36) 및유전체(44)를거쳐서접지전위의통형상지지부재(16)에이르는고주파전파경로가포커스링 가열용부하로서이용된다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括真空排气处理室; 用于将目标衬底安装在所述处理室中的下电极; 安装在下电极上的聚焦环，以覆盖下电极的周边部分的至少一部分; 设置成在所述处理室中与所述下电极平行地面对的上电极; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理空间; 以及用于输出RF功率的射频（RF）电源。 此外，等离子体处理装置包括：等离子体产生RF电源部，用于将RF功率提供给用于产生处理气体的等离子体的第一负载; 以及聚焦环加热RF电源部分，用于将RF功率提供给用于加热聚焦环的第二负载。
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公开(公告)号：KR1020150056061A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020140158044
申请日：2014-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651 , H05H1/46 , H01J37/32715 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.
Abstract translation: 配置有与高频电源连接的主天线以及与主天线电绝缘（处于浮动状态）的辅助天线。 此外，当在平面处观察主天线和辅助天线时，每个投影区域被调整为不重叠。 更具体地，主天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 然后，通过在主天线中流动的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且辅助天线被谐振以不仅在主天线的下部的区域中而且在主天线的区域中产生感应等离子体 辅助天线的下半部分。
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公开(公告)号：KR1020130139779A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H05H1/46
Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); and a window member (14) interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor, wherein the window member (14) is divided into a plurality of segments (27) and the segments (27) are insulated from each other and connected to a wire (29) or a wire (30) having a condenser attached thereto to form a closed circuit (31).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 以及插入在所述安装件（12）和所述ICP天线（13）之间并由导体构成的窗构件（14），其中所述窗构件（14）被分成多个段（27）和所述段（27） ）彼此绝缘并且连接到具有连接到其上的冷凝器的线（29）或线（30）以形成闭合回路（31）。
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公开(公告)号：KR101247857B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031575
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120112262A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033520
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32715
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to freely and precisely control plasma density distribution using a coil which is electrically placed in a floating state. CONSTITUTION: A process container(10) has a dielectric window. A substrate retaining part(12) retains a processed substrate in the process container. A processing gas supply part supplies process gas within the process container. An RF antenna(54) is arranged outside the dielectric window along a loop having a predetermined size and a predetermined shape in order to generate plasma from the process gas. The RF antenna has an plurality of coil segment(84(1),84(2)) which is electrically connected in parallel. A high frequency feeding part(62) supplies high frequency power of a high discharging frequency of the process gas to the RF antenna. A floating coil(60) is electrically placed in a floating state. The floating coil is arranged outside the process container in a location where being able to be combined with the RF antenna by electromagnetic induction. A condenser(58) is installed within the loop of the floating coil. [Reference numerals] (26); (32); (66); (76); (80); (82)
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，用于使用电气放置在浮置状态的线圈自由且精确地控制等离子体密度分布。 构成：处理容器（10）具有电介质窗口。 衬底保持部分（12）将处理的衬底保持在处理容器中。 处理气体供给部件在处理容器内供给处理气体。 RF天线（54）沿着具有预定尺寸和预定形状的环布置在电介质窗口的外部，以便从处理气体产生等离子体。 RF天线具有并联电连接的多个线圈段（84（1），84（2））。 高频馈送部分（62）将处理气体的高放电频率的高频功率提供给RF天线。 浮动线圈（60）电气放置在浮动状态。 浮动线圈在能够通过电磁感应与RF天线组合的位置处布置在处理容器的外部。 冷凝器（58）安装在浮动线圈的回路内。 （26）; （32）; （66）; （76）; （80）; （82）
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