公开(公告)号：DE102013107787B4

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102013107787

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

Abstract: Chipbaugruppe (310), aufweisend: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der ersten Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei der mindestens eine Hohlraum (2112) einen Abschnitt der die mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und den mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über der mindestens einen Chipkontaktstelle (243) durch den mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, umfasst, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.

公开(公告)号：DE102013111772A1

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102013111772

申请日：2013-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  DIELACHER FRANZ ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L23/08 ,  H01L21/58 ,  H01L25/04

Abstract: Ein Bauelement enthält ein Halbleitermaterial, das eine erste Hauptoberfläche, eine gegenüberliegende Oberfläche, die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, und eine seitliche Oberfläche, die sich von der ersten Hauptoberfläche bis zur gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt, aufweist. Das Bauelement enthält weiterhin ein erstes elektrisches Kontaktelement, das auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleitermaterials angeordnet ist, und ein Glasmaterial. Das Glasmaterial enthält eine zweite Hauptoberfläche, wobei das Glasmaterial die seitliche Oberfläche des Halbleitermaterials kontaktiert und wobei die erste Hauptoberfläche des Halbleitermaterials und die zweite Hauptoberfläche des Glasmaterials in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102013102134A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102013102134

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN

IPC: C03B11/06

Abstract: Ein Quellenmaterial, das auf einem Glas beruht, ist auf einer Arbeitsfläche (101) eines Formsubstrats (100) angeordnet. Das Formsubstrat (100) ist aus einem einkristallinen Material hergestellt. Ein Hohlraum (101, 103, 105, 107) ist in der Arbeitsfläche (101) gebildet. Das Quellenmaterial (200a) wird gegen das Formsubstrat (100) gepresst. Während des Pressens sind die Temperatur des Quellenmaterials (200a) und eine auf das Quellenmaterial (200a) ausgeübte Kraft gesteuert, um das Quellenmaterial (200a) zu verflüssigen. Das verflüssigte Quellenmaterial (200a) fließt in den Hohlraum (101, 103, 105, 107). Das wiederverfestigte Quellenmaterial bildet ein Glasstück (200) mit einem Vorsprung (201, 203, 205, 207), der sich in den Hohlraum (101, 103, 105, 107) erstreckt. Nach dem Wiederverfestigen kann das Glasstück (200) mit dem Formsubstrat (100) verbunden sein. Auf dem Glasstück (200) können Vorsprünge und Hohlräume mit Neigungswinkeln kleiner als 80 Grad, mit verschiedenen Neigungswinkeln, mit verschiedenen Tiefen und Breiten von 10 Mikrometer und mehr gebildet werden.

公开(公告)号：DE102019132158A1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102019132158

申请日：2019-11-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUSTEREDER WERNER ,  SWOBODA MARKO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DRAGHICI MIHAI ,  LEHNERT WOLFGANG ,  HOECHBAUER TOBIAS ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Vorgeschlagen werden Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats (100). Ein Beispiel eines Verfahrens weist ein Ausbilden von Hohlräumen (104) im Halbleitersubstrat (100) durch Implantieren von Ionen durch eine erste Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) auf. Die Hohlräume (104) definieren eine Trennschicht (106) im Halbleitersubstrat (100). Danach wird eine Halbleiterschicht (108) auf der ersten Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) ausgebildet. Elemente von Halbleitervorrichtungen werden in der Halbleiterschicht (108) gebildet. Danach wird das Halbleitersubstrat (100) entlang der Trennschicht (106) in einen die Halbleiterschicht (108) enthaltenden ersten Substratteil (1001) und einen zweiten Substratteil (1002) getrennt.

公开(公告)号：DE102017125647B4

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：DE102017125647

申请日：2017-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KASZTELAN CHRISTIAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  MENGEL MANFRED ,  NIEDERHOFER ANDREAS

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: Thermoelektrische Vorrichtung (100, 200, 400, 600, 700, 800), die Folgendes umfasst:mehrere erste Halbleitermesastrukturen (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;mehrere zweite Halbleitermesastrukturen (120) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und die zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) elektrisch in Reihe verbunden sind, undeine Glasstruktur (130), die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) befindet, wobei die Glasstruktur (130) die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) isoliert, und wobei die Glasstruktur (130) ein Borsilicatglas, ein Bor-Zink-Glas und/oder ein Glas mit niedriger Glasübergangstemperatur umfasst.

公开(公告)号：DE102019111377A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019111377

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HÖCHBAUER TOBIAS ,  LEHNERT WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  DENIFL GÜNTER ,  RUPP ROLAND ,  DRAGHICI MIHAI ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/32

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers (300) ist vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Implantieren (110) von Ionen in den Siliziumkarbid-Wafer (300), um eine Absorptionsschicht (310) in dem Siliziumkarbid-Wafer (300) zu bilden. Der Absorptionskoeffizient der Absorptionsschicht (310) ist zumindest das 100-fache des Absorptionskoeffizienten eines Siliziumkarbidmaterials des Siliziumkarbid-Wafers (300) außerhalb der Absorptionsschicht, für ein Licht einer Zielwellenlänge. Der Siliziumkarbid-Wafer (300) wird entlang der Absorptionsschicht (310) gespalten (120), zumindest durch ein Bestrahlen des Siliziumkarbid-Wafers (300) mit Licht der Zielwellenlänge, um einen Siliziumkarbid-Bauelementwafer (360) und einen übrigen Siliziumkarbid-Wafer (362) zu erhalten.

公开(公告)号：DE102015101736A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101736

申请日：2015-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Ionenimplantationsgerät (100) umfasst eine Ionenstrahl- Richteinheit (120), einen Substratträger (190) und einen Controller (150). Der Controller (150) ist gestaltet, um eine Relativbewegung zwischen einem durch die Ionenstrahl-Richteinheit laufenden Ionenstrahl (101) und dem Substratträger (190) zu bewirken. Eine Strahlspur (109) des Ionenstrahles (101) auf einem auf dem Substratträger (190) befestigten Substrat (200) umfasst Kreise oder eine Spirale.

公开(公告)号：DE102013107787A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102013107787

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABEL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN

IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

Abstract: Es wird eine Chipbaugruppe (310) bereitgestellt, wobei die Chipbaugruppe (310) Folgendes enthält: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei mindestens ein Hohlraum (2112) einen Abschnitt der mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über mindestens einer Chipkontaktstelle (243) durch mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, enthält, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.

公开(公告)号：DE102023125529A1

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023125529

申请日：2023-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZIPPELIUS BERND ,  VELLEI ANTONIO ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H10D62/832 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen einkristallinen Siliziumcarbid-Bereich (100) mit einer ersten Oberfläche (101), einer entgegengesetzten zweiten Oberfläche (102) und einer dritten Oberfläche (103), die sich von der ersten Oberfläche (101) in Richtung der zweiten Oberfläche (102) erstreckt. Entlang der dritten Oberfläche (103) sättigen Wasserstoffatome und/oder Atome eines oder mehrerer Nicht-Metallelemente, bei denen es sich nicht um Silizium handelt und die eine Ordnungszahl größer sechs aufweisen, nicht-abgesättigte Bindungen des Siliziumcarbid-Bereichs (100), und/oder ist eine Passivierungsbeschichtung (210) in direktem Kontakt mit der dritten Oberfläche (103). Die Halbleitervorrichtung (500) umfasst ferner eine Glasstruktur (250) und eine Grenzflächenschichtstruktur (220) zwischen der dritten Oberfläche (103) und der Glasstruktur (250).

公开(公告)号：DE102013102135B4

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102013102135

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/316 ,  C03B5/235 ,  H01L21/762 ,  H01L29/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden eines Hohlraums (302) in einer Arbeitsoberfläche (301) eines Substrats (300), in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgebildet ist, wobei der Hohlraum (302) ein Gitter bildet, das sich längs Kerbbereichen des Substrats (300) erstreckt, und der Hohlraum (302) weiter als der Kerbbereich ist,Verbinden eines aus einem Glasmaterial (200a) gebildeten Glasstücks (200) mit dem Substrat (300) durch Glaspressen, wobei der Hohlraum (302) wenigstens teilweise mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt wird,Dünnen des mit dem Glasstück verbundenen Substrats (300) von einer Rückseite, die einer durch die Arbeitsoberfläche (301) definierten Vorderseite gegenüber liegt, undTrennen des Substrats (300) längs der Kerbbereiche, um eine Vielzahl von Halbleiterplättchen oder Halbleiterchips aus dem Substrat (300) zu erhalten, wobei jedes Halbleiterplättchen einen Glasrahmen oder eine Glaskappe, die aus dem Glasstück hervorgehen, umfasst.