公开(公告)号：DE102013111848A1

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102013111848

申请日：2013-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER CHRISTOPH ,  FISTER SILVANA ,  GIETLER HERBERT ,  HÖCKELE UWE ,  KAHN MARKUS ,  KRENN CHRISTIAN ,  MAIER HUBERT ,  MATOY KURT ,  SCHÖNHERR HELMUT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  WELLENZOHN ELFRIEDE

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105

Abstract: Es sind eine Passivierungsschicht und ein Verfahren (200) zum Herstellen einer Passivierungsschicht offenbart. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht das Aufbringen einer ersten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf ein Werkstück, wobei die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht Stickstoff umfasst (204), und das in-situ Aufbringen einer zweiten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht Sauerstoff umfasst (206).

公开(公告)号：DE102018110240A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018110240

申请日：2018-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  LEITL BERNHARD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SCHMIDT GERHARD ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  KOPROWSKI ANGELIKA

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat.

公开(公告)号：DE102015213756B4

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102015213756

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Mikromechanische Struktur (10, 20, 30), umfassend:ein Substrat (12); undeine funktionelle Struktur (14), die auf dem Substrat (12) angeordnet ist;wobei die funktionelle Struktur (14) ein funktionelles Gebiet (16) umfasst, das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat (12) ansprechend auf eine Kraft (18), die auf das funktionelle Gebiet (16) einwirkt, ausgelenkt zu werden;wobei die funktionelle Struktur (14) eine leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) umfasst;wobei die funktionelle Struktur (14) eine Versteifungsstruktur (24; 24a-e) mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht (22; 22a-b) angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) in dem funktionellen Gebiet (16) nur teilweise bedeckt; undwobei das Versteifungsstrukturmaterial ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material umfasstwobei das Versteifungsstrukturmaterial eine Mehrzahl von Konzentrationswerten in Bezug auf die Kohlenstoff-Konzentration entlang einer Dickenrichtung (26) der Versteifungsstruktur umfasst; undwobei die Materialkonzentration entlang der Dickenrichtung (26) variiert.

公开(公告)号：DE102017103620A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102017103620

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  PIRK SOENKE ,  KAISER ANNA-KATHARINA ,  STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA

IPC: H01L23/485 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/283 ,  H04R19/04

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine strukturierte Metallschicht (110). Die strukturierte Metallschicht (110) liegt über einem Halbleitersubstrat (120). Zudem beträgt eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm. Ferner umfasst die Halbleitervorrichtung (100) eine Abdeckschicht (130). Die Abdeckschicht (130) liegt benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110). Zudem umfasst die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid.

公开(公告)号：DE102018100066A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102018100066

申请日：2018-01-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOGLER RUDOLF ,  DASTEL WOLFGANG ,  HÜTTER HARALD ,  KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/302 ,  H01L21/68

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Wafer-Chuck (100) wenigstens einen Stützbereich (100s), der dazu ausgelegt ist, einen Wafer (106) in einer Aufnahmefläche (102) zu stützen, eine von dem wenigstens einen Stützbereich (100s) umgebene zentrale Vertiefung (100c), die dazu ausgelegt ist, den Wafer (106) nur entlang eines äußeren Umkreises zu stützen, und eine die Aufnahmefläche (102) umgebende Begrenzungsstruktur, die dazu ausgelegt ist, den Wafer (106) in der Aufnahmefläche (102) zu halten, enthalten.

公开(公告)号：DE102017108568A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108568

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen einer Kontaktstruktur umfasst das Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats, welches ein stark dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet, das in dem Substrat ausgebildet ist und sich zu einer Hauptoberfläche des Substrats erstreckt, aufweist. Es wird ein kohlenstoffbasiertes Kontaktgebiet erzeugt, das mit dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet in direktem Kontakt steht und das sich zu der Hauptoberfläche erstreckt. Auf dem kohlenstoffbasierten Kontaktgebiet wird ein Leiter so erzeugt, so dass sich das kohlenstoffbasierte Kontaktgebiet zwischen dem Leiter und dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet befindet. Ein thermisches Budget zum Erzeugen des kohlenstoffbasierten Kontaktgebiets wird unter einem Level gehalten, der eine Silizidierung des stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiets bewirkt.

公开(公告)号：DE102015213757B4

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102015213757

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Mikromechanische Struktur, umfassend: ein Substrat; und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist; wobei die funktionelle Struktur ein funktionelles Gebiet umfasst, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist; wobei die funktionelle Struktur eine leitfähige Basisschicht umfasst, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist; und wobei das leitfähige Basisschichtmaterial sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff-Material umfasst, so dass eine Kohlenstoff-Konzentration des Kohlenstoff-Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 Teilchen pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion; wobei die Versteifungssektion ein integraler Bestandteil der leitfähigen Basisschicht ist, so dass die Versteifungssektion dieselbe Dicke aufweist wie die leitfähige Basisschicht angrenzend an die Versteifungssektion innerhalb eines Toleranzbereichs, so dass eine relative Dickenvariation kleiner ist, als 10%.

公开(公告)号：DE102017121314B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement, das aufweist:Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (100), das aufweist: ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106), das unmittelbar an eine Hauptoberfläche (102) des Substrats (100) angrenzt, und eine dielektrische Schicht (112), die die Hauptoberfläche (102) bedeckt;Erzeugen einer Schutzschicht (116) auf der dielektrischen Schicht (112),Erzeugen einer strukturierten Maske (118) auf der Schutzschicht (116), wobei die strukturierte Maske (118) Öffnungen (120) aufweist, die an dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) ausgerichtet sind; undEntfernen von Abschnitten der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die durch die Öffnungen (120) exponiert sind, ohne verbleibende Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die sich unterhalb der Maske (118) befinden, zu entfernen;Entfernen der strukturierten Maske (118);Abscheiden einer Metallschicht (124) derart, dass ein erster Teil (126) der Metallschicht (124) das dotierte Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) unmittelbar kontaktiert und ein zweiter Teil (128) der Metallschicht (124) die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112) beschichtet;Durchführen eines ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses bei einer Temperatur zwischen 600 °C und 800 °C und einer Dauer von nicht mehr als zwei Minuten;nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses, Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124) und des verbleibenden Abschnitts der Schutzschicht (116), ohne den ersten Teil (126) der Metallschicht (124) zu entfernen; undDurchführen eines zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses nach dem Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124), wobei der erste Teil (126) der Metallschicht (124) mit dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) weiter silizidiert,wobei ein thermisches Budget des zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses größer ist als ein thermisches Budget des ersten thermischen Wärmebehandlungsprozesses.

公开(公告)号：DE102018121897A1

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102018121897

申请日：2018-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  MAIER CHRISTIAN ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/302 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100) und einen ersten Bereich (410), der Silizium und Stickstoff enthält. Der erste Bereich (410) ist mit dem Halbleiterkörper (100) in direktem Kontakt. Ein zweiter Bereich (420), der Silizium und Stickstoff enthält, ist mit dem ersten Bereich (410) in direktem Kontakt. Der erste Bereich (410) liegt zwischen dem Halbleiterkörper (100) und dem zweiten Bereich (420). Ein durchschnittlicher Siliziumgehalt im ersten Bereich (410) ist höher als im zweiten Bereich (420).

公开(公告)号：DE102017121314A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JUERGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbid-Substrat, das ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet und eine dielektrische Schicht aufweist, bereitgestellt. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Schutzschicht erzeugt. Auf der Schutzschicht wird eine strukturierte Maske erzeugt. Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht, die durch Öffnungen der Maske exponiert sind, werden entfernt. Die strukturierte Maske wird entfernt. Eine Metallschicht wird derart abgeschieden, dass ein erster Teil der Metallschicht das dotierte Kontaktgebiet unmittelbar kontaktiert, und ein zweiter Teil der Metallschicht beschichtet die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht. Ein erster schneller thermischer Wärmebehandlungsprozess wird durchgeführt. Nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses werden der zweite Teil der Metallschicht und der verbleibende Abschnitt der Schutzschicht entfernt, ohne den ersten Teil der Metallschicht zu entfernen.