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    Batterie, integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Batterie
    14.
    发明专利
    Batterie, integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Batterie 未知

    公开(公告)号：DE102015104816A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：DE102015104816

    申请日：2015-03-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KARLOVSKY KAMIL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

    IPC: H01M10/0525 ,  H01L21/50 ,  H01L27/06

    Abstract: Eine Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, ein zweites Substrat (155), das aus einem leitenden Material oder einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und einen Träger (150) aus einem isolierenden Material. Der Träger (150) hat eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (151, 153), wobei das zweite Substrat (155) an der ersten Hauptoberfläche (151) des Trägers (150) angebracht ist. Eine Öffnung (152) ist in der zweiten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) gebildet, um einen Teil einer zweiten Hauptoberfläche (156) des zweiten Substrates (155) freizulegen. Die zweite Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) ist an dem ersten Substrat (100) angebracht, um dadurch einen Hohlraum (162) zu bilden. Die Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (162) angeordnet ist.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    15.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014108986A1

    公开(公告)日：2014-12-31

    申请号：DE102014108986

    申请日：2014-06-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Hochspannungsperipheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Hochspannungsperipheriezone (50) die aktive Zone (55) seitlich umgibt, eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden, eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet, eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht (25) ein amorphes halbisolierendes Material umfasst, wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leistungshalbleiterbauelements bereitgestellt.

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    16.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132447B4

    公开(公告)日：2022-10-13

    申请号：DE102018132447

    申请日：2018-12-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), wobei das Verfahren aufweist:Vorsehen eines Hilfsträgers (680) und eines Siliziumcarbid-Substrats (700),wobei das Siliziumcarbid-Substrat (700) eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) aufweist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) zwischen der Hilfsschicht (760) und einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) gelegen ist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650) aufweist,wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt, undwobei der Hilfsträger (680) mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden ist;Entfernen der Hilfsschicht (760);Ausbilden, nach Entfernen der Hilfsschicht (760), einer Ausformungsstruktur (400), die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt;Entfernen des Hilfsträgers (680) nach Ausbilden der Ausformungsstruktur (400); undTrennen der Vorrichtungsgebiete (650), wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

    Halbleiterbauelement mit isoliertem Gate mit sanftem Schaltverhalten und Verfahren zu dessen Herstellung
    18.
    发明专利
    Halbleiterbauelement mit isoliertem Gate mit sanftem Schaltverhalten und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015118524B4

    公开(公告)日：2022-01-27

    申请号：DE102015118524

    申请日：2015-10-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WAGNER WOLFGANG

    IPC: H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:mehrere Bauelementzellen (101, 102, 10n), die jeweils ein Bodygebiet (12), ein Sourcegebiet (11), eine zu dem Bodygebiet (12) benachbarte und von dem Bodygebiet (12) durch ein Gatedielektrikum (53) dielektrisch isolierte Gateelektrode (23) und ein Sourcevia (41), das elektrisch an das Sourcegebiet (11) angeschlossen ist, aufweisen;eine elektrisch leitende Gateschicht (21), die die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) aufweist oder elektrisch an die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) angeschlossen ist und die elektrisch an einen Gateleiter (30) angeschlossen ist; undeine oberhalb der Gateschicht (21) angeordnete Sourceelektrode (40), die durch eine Dielektrikumsschicht (54) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert ist, wobei die Sourcevias (41) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) an die Sourceelektrode (40) angeschlossen sind oder einen Teil der Sourceelektrode (40) bilden,wobei die Sourcevias (41) in Gräben angeordnet sind, die sich durch die Gateschicht (21) bis an die Sourcegebiete (11) erstrecken und in denen die Sourcevias (41) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert sind, undwobei die Gateschicht (21) ein Basismaterial und wenigstens eines der folgenden aufweist:ein Gebiet (22) mit erhöhtem Widerstand, das zusätzlich zu den Gräben in der Gateschicht (21) vorhanden ist, an das Basismaterial angrenzt und einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial, oder ein Gebiet (24) mit verringertem Widerstand, das einen niedrigeren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial,wobei das wenigstens eine von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand derart beabstandet zu dem Gateleiter (30) angeordnet ist, dass zwischen dem wenigstens einen von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand und dem Gateleiter (30) die Sourcevias (41) angeordnet sind.

    Substratträger und Bearbeitungsanordnung
    19.
    发明专利
    Substratträger und Bearbeitungsanordnung 未知

    公开(公告)号：DE102016118646B4

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：DE102016118646

    申请日：2016-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  UNTERWEGER JOSEF

    IPC: H01L21/683 ,  B25B11/00

    Abstract: Substratträger (100a), der Folgendes umfasst:einen Substratstützbereich (111) zum Stützen eines Substrats;wobei ein erster Abschnitt (102) des Substratstützbereichs (111) ein Porennetz (113) aus wenigstens teilweise miteinander verbundenen Poren enthält;wobei ein zweiter Abschnitt (104) des Substratstützbereichs (111) den ersten Abschnitt (102) umgibt und ein Dichtungselement (104e) zum Bereitstellen einer Kontaktdichtung enthält;wenigstens eine Evakuierungsöffnung (106) zum Erzeugen eines Unterdrucks in dem Porennetz (113), so dass ein über dem Substratstützbereich (111) aufgenommenes Substrat durch Saugen anhaftet; undwenigstens ein Ventil (108), das konfiguriert ist, eine Verbindung zwischen dem Porennetz (113) und der wenigstens einen Evakuierungsöffnung (106) zu steuern, so dass in dem Porennetz (113) ein Unterdruck aufrechterhalten werden kann;wobei das Porennetz (113) eine erste Poreneigenschaft in einem ersten Bereich (113a) und eine zweite Poreneigenschaft in einem zweiten Bereich (113b), die von der ersten Poreneigenschaft verschieden ist, umfasst;wobei der zweite Bereich (113b) unmittelbar an einer Oberfläche des Substratstützbereichs (111) angeordnet ist und der erste Bereich (113a) unmittelbar an dem wenigstens einen Ventil (108) angeordnet ist.

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