Abstract:
The invention relates to a semiconductor laser device comprising a laser bar (2), a flexible conductor support (10), a supporting body (3) of a metal or a metal alloy and a heat sink (4), which is arranged between the supporting body (3) and the laser bar (2), the laser bar (2) being electrically contacted by the flexible conductor support (10) and the supporting body (3) having a thickness of at least 2 mm. The invention further relates to a method for producing the above-described semiconductor laser device, wherein a synchronous soldering process is used to solder the laser bar (2) to the heat sink (4) by means of a hard solder layer (30) and the heat sink (4) to the supporting body (3) by means of a further hard solder layer (31).
Abstract:
In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.
Abstract:
Ein diffraktives optisches Element umfasst einen Träger, eine an einer Oberseite des Trägers angeordnete diffraktive Struktur und eine über der Oberseite des Trägers und der diffraktiven Struktur angeordnete Abdeckung.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile (2), die je eine Hauptemissionsrichtung (20) aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin. Entlang der Anordnungslinie (42) sind die Halbleiterbauteile (2) dicht angeordnet.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform weist das Ringlichtmodul (1) mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (R) auf. Ein Reflektor (3) des Ringlichtmoduls (1) weist eine Reflexionsfläche (30) auf. Die Halbleiterbauteile (2) sind an einem Träger (4) angebracht. Der Reflektor (3), in Draufsicht auf eine Strahlungshauptseite (45) des Ringlichtmoduls (1) gesehen, weist höchstens zwei Symmetrieebenen auf. In Richtung hin zur Strahlungshauptseite (45) verjüngt sich der Reflektor (3). Hauptemissionsrichtungen (20) von benachbarten Halbleiterbauteilen (2) sind mindestens zum Teil verschieden voneinander orientiert. Die Hauptemissionsrichtungen (20) weisen zu der Reflexionsfläche (30) hin.
Abstract:
The method involves preparing a supporting disk made of ceramic material, and producing wafer interconnections (40) by a set of semiconductor laser chips (4) on an upper surface of the supporting disk. The interconnections are isolated by a set of semiconductor lasers (100) that includes a mounting block (3) with a mounting surface, which runs perpendicular to an upper surface (12) of the mounting block. One of the chips is arranged on the upper surface of the mounting block, where the mounting surface is manufactured during the isolation of the interconnections. An independent claim is also included for a semiconductor laser comprising a mounting block.
Abstract:
The method involves providing a connection carrier assembly (50) comprising multiple connection carriers (14), which are mechanically and fixedly connected to one another. A surface-emitting semiconductor body (1) is arranged on a carrier of the connection carrier assembly and partially completes the semiconductor device.
Abstract:
In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of light-emitting, optoelectronic semiconductor components (2), which each have a main emission direction (20). The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2), when viewed in a plan view of the reflective surface (30), are arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometrical centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°. The semiconductor components (2) are arranged densely along the arrangement line (42).
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (1) umfassend wenigstens eine im Betrieb der optoelektronischen Leuchtvorrichtung lichtemittierende Oberfläche (2) und eine auf der wenigstens einen lichtemittierenden Oberfläche angeordnete Konversionsschicht (3). Die Konversionsschicht (3) umfasst ein im wesentlichen transparentes Matrixmaterial (4) mit einem ersten Brechungsindex, in die eingebettet sind: eine Vielzahl von Lichtkonversionspartikeln (5) zur Konvertierung eines von der lichtemittierenden Oberfläche (2) emittierten Lichts einer ersten Wellenlänge in Licht einer zweiten Wellenlänge; und eine Vielzahl von Homogenisierungspartikeln (6) bestehend aus einem Material mit einem zweiten Brechungsindex. Der erste und der zweite Brechungsindex unterscheiden sich dabei höchstens um einen Wert von 0,1.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Element (1, 1a, 1c), das zur Strahlformung für von einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (8) emittierte Strahlung vorgesehen ist, wobei das optische Element (1, 1a, 1c) eine Strahlungseintrittsfläche (2) und eine von der Strahlungseintrittsfläche (2) verschiedene Grenzfläche (3) mit einem ersten Bereich (4) und einem zweiten Bereich (5) aufweist, wobei der erste und der zweite Bereich (4, 5) so angeordnet und ausgebildet sind, dass ein erster Strahlungsanteil (9) von durch die Strahlungseintrittsfläche (2) in das optische Element (1, 1a, 1c) eintretender Strahlung im ersten Bereich (4) reflektiert wird und nach der Reflektion im ersten Bereich (4) im zweiten Bereich (5) in Richtung einer durch die Strahlungseintrittsfläche (2) definierten Ebene abgelenkt wird.