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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    11.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    一种用于生产层结构半导体组件的缓冲层和层结构的半导体元件的缓冲层

    公开(公告)号：WO2015158658A1

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：PCT/EP2015/057972

    申请日：2015-04-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DRECHSEL, Philipp ,  BERGBAUER, Werner ,  OFF, Jürgen ,  STAUSS, Peter

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur (10) als Pufferschicht eines Halbleiterbauelements angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Silizium-Oberfläche (1a) aufweist, b) Abscheiden einer ersten Schichtenfolge (2), die eine Ankeimschicht (21), die Aluminium und Stickstoff enthält, umfasst, auf der Silizium-Oberfläche (1a) des Trägers (1) entlang einer Stapelrichtung (H), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft, c) dreidimensionales Wachstum einer 3D-GaN-Schicht (3), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf eine der Silizium-Oberfläche (la) abgewandte Deckfläche (2a) der ersten Schichtenfolge (2), d) zweidimensionales Wachstum einer 2D-GaN-Schicht (4), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf den der Silizium-Oberfläche (1a) abgewandten Außenflächen (3a) der 3D-GaN-Schicht (3).

    Abstract translation: 提供了一种方法用于制造层结构（10）作为半导体装置的一个缓冲层，其包括以下步骤：包括：a）提供载体（1）具有硅表面（1a）中，b）中沉积第一层序列（2） 它包括含所述载体的硅表面（1a）的铝和氮的籽晶层（21）（1）沿层叠方向（H），这是在垂直于载体的主延伸平面（1）中，c） （3）形成的3D型GaN层的三维生长与氮化镓，来自第一系列的层（2）中，d）（在2D-GaN层的二维生长的顶面（2A）面向离开的硅表面（Ia）的 4）其与氮化镓，外表面（该硅表面1A）从（3A背向）所述3D-GaN层（3）形成。

    BAUELEMENT MIT EINER MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR
    17.
    发明申请
    BAUELEMENT MIT EINER MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
    具有更多量子阱结构COMPONENT

    公开(公告)号：WO2016146376A1

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：PCT/EP2016/054312

    申请日：2016-03-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER, Tobias ,  LEHNHARDT, Thomas ,  PETER, Matthias ,  ASAKO, Hirai ,  OFF, Jürgen ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2228 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34

    Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die inseitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.

    Abstract translation: 它与半导体层序列，设备（10），其包括p型半导体层中指定（1）中，n型半导体层（2）和，设置在所述p型半导体层和n型半导体层有源区（3）之间 ，其中，所述有源区域包括p型半导体层向多个p侧的阻挡层（32P）与中间量子阱层（31）的n型半导体层的多量子阱结构和多个n侧阻挡层（32N） 具有中间量子层（31）。 在由p型半导体层的凹陷的半导体层序列（4）被形成为具有侧面，其中，所述量子阱层和/或n和p侧的阻挡层至少部分地延伸符合凹部的侧壁。 所述inseitigen阻挡层具有平均厚度比所述p侧势垒层大。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NITRIDVERBINDUNGSHALBLEITER-BAUELEMENTS
    18.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NITRIDVERBINDUNGSHALBLEITER-BAUELEMENTS 审中-公开
    用于生产氮化物半导体元件

    公开(公告)号：WO2014198550A1

    公开(公告)日：2014-12-18

    申请号：PCT/EP2014/061139

    申请日：2014-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER, Werner ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelementsangegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Siliziumoberfläche, - Aufwachsen einer Pufferschicht (2), die A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist, auf die Siliziumoberfläche, - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Pufferschicht (2), wobei - die Pufferschicht (2) eine derart variierende Materialzusammensetzung aufweist, dass eine laterale Gitterkonstante der Pufferschicht (2) in einem ersten Bereich (2a) schrittweise oder kontinuierlich zunimmt und in einem zweiten Bereich (2b), der dem ersten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, und - die Pufferschicht (2) an einer Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge (3) eine kleinere laterale Gitterkonstante aufweist als eine an die Pufferschicht (2) angrenzende Halbleiterschicht (4) der Halbleiterschichtenfolge (3).

    Abstract translation: 提供具有硅表面生长衬底（一）， - - 缓冲膜（2）中，A1xInyGa1-X-YN的生长与0≤X≤1，0≤Y：一种用于生产指示的氮化物半导体器件，其包括以下步骤的方法 ≤1并且x + y具有≤1，在硅表面上， - 生长的半导体层序列（3）的缓冲层（2）上，其特征在于， - 所述缓冲层（2）具有这样的横向的晶格常数的缓冲层的变化的材料组合物（2） 在第一区域（2a）中逐步或连续地增加并在第二区域（2b）中，随后在生长方向上的第一区域中，逐步减小或连续，以及 - 所述缓冲层（2）在与半导体层序列的接口（3）具有更小的 横向格子多于一个半导体层序列（3）的缓冲层（2）相邻的半导体层（4）上是恒定的。

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