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公开(公告)号：KR102251259B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020150033589
申请日：2015-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 웨이퍼(W) 상의액체를확실하게제거할수 있고, 또한운전비용의저감을도모한다. 분리재생장치(30)는불소함유유기용제에용해되지않으며비중이가벼운액체와, 제1 비점을갖는제1 불소함유유기용제와, 제1 비점보다높은제2 비점을갖는제2 불소함유유기용제를갖는혼합액체를생성하는혼합배액탱크(31)(혼합액생성부)와, 혼합액중 제1 불소함유유기용제와제2 불소함유유기용제를제1 비점과제2 비점사이의온도로가열하여기체형의제1 불소함유유기용제와액체형의제2 불소함유유기용제로분리하는증류탱크(34)와, 증류탱크(34)로부터의제1 불소함유유기용제를액화하여저류하는제1 탱크(35)와, 증류탱크(34)로부터의제2 불소함유유기용제를저류하는제2 탱크(36)를구비하고있다. 제1 탱크(35) 및제2 탱크(36)에, 잉여압을혼합배액탱크(31)측으로유도하는잉여압복귀라인(51, 53, 55)이마련되어있다.
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公开(公告)号：KR1020160095657A
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020160098118
申请日：2016-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02046 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L2021/60187
Abstract: 본발명은고압유체와접촉시켜기판에부착된액체를제거하는처리를실시하는과정에서, 기판에파티클이부착되기어려운기판처리장치등을제공하는것을목적으로한다. 본발명의기판처리장치에서는, 기판(W) 표면의건조방지용액체를제거하는처리가행해지는처리용기(31) 안에고압유체를공급할때, 유체공급로(351)에설치된차단부를개방하고, 유량조정부(354)에의해유량을조정한상태로개폐밸브(352)를개방하여처리용기(31)에고압유체를도입하고[또는원료유체를처리용기(31) 안에서고압유체로변화시켜], 기판(W) 표면으로부터건조방지용액체를제거하는단계와, 이어서상기차단부를차단상태로하는한편, 개폐밸브(352)와감압밸브(342)를개방하고, 처리용기(31)에접속된배출로(341)를통해유체공급로(351)와처리용기(31)를함께감압하는단계와, 그후 상기기판(W)을그 처리용기(31)로부터반출하는단계를실행하도록제어신호를출력한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，其中在通过与高压流体接触进行除去附着在基板上的液体的过程中，颗粒不容易附着于基板。 根据本发明的基板处理装置输出控制信号，以执行以下步骤：当将高压流体供应到处理容器（31）中时，打开步骤，在该处理容器（31）中除去表面上的防干燥液体的过程 执行基板（W），在由流量调节单元（354）调节流量的状态下安装在流体供给路径（351）中的切断部分，打开开闭阀（352） 将高压流体引入加工容器（31）[或将原料流体变更为加工容器（31）中的高压流体]，从基板表面除去干燥防止液 ）; 使切断装置成为切断状态，打开开闭阀352和减压值342的工序，降低流体供给路351和处理容器351的压力。 （31）通过连接到处理容器（351）的排出路径（341）连接在一起; 以及从处理容器（31）导出基板（W）的工序。
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公开(公告)号：KR101568469B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020130082873
申请日：2013-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B7/0021 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 본발명은, 기판을처리용기에반입할때까지의건조방지용불소함유유기용제의휘발및 처리용기내에있어서의불소함유유기용제의분해를억제할수 있는기판처리방법등을제공하는것을목적으로한다. 표면이제1 불소함유유기용제에의해덮인기판(W)을처리용기(31) 내에반입하고, 이처리용기(31)에, 비점이제1 불소함유유기용제보다낮은제2 불소함유유기용제를원료로하는고압유체를공급한다. 그리고처리용기(31) 내에상기제1 불소함유유기용제와제2 불소함유유기용제의혼합물의고압유체분위기를형성하여, 기판의표면을덮는제1 불소함유유기용제를제거하고, 처리용기(31) 내의유체를고압유체또는기체의상태로배출하여건조시킨기판(W)을얻는다.
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公开(公告)号：KR101523351B1
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020120007269
申请日：2012-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/6708
Abstract: 에칭속도가크고, 실리콘산화물에대한실리콘질화물의에칭선택비가높은액처리방법, 액처리장치및 상기방법을기억한기억매체를제공한다. 실리콘질화물과실리콘산화물이노출된기판을에칭용액에의해에칭함에있어서, 불소이온원과물과비점조절제를혼합하여에칭용액을조제하고, 이에칭용액에의해상기기판을에칭할때에실리콘질화물의에칭속도가 100 Å/분이상이되고, 실리콘산화물의에칭속도에대한실리콘질화물의에칭속도의비가 75 이상이되도록, 당해에칭용액의온도를미리설정한시간동안 140℃이상의온도로유지한다음, 당해에칭용액에의해상기기판을에칭한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140070401A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130143653
申请日：2013-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
CPC classification number: B23H7/02 , B23H1/00 , B23H9/006 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67772
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a high-pressure container which can form a process space having high cleanliness. A high-pressure container for performing a process using high pressure fluid on a substrate forms a hollow part by processing one surface except the widest surface of a flat rectangular parallelepiped block (5) made of metal. A container body is formed by forming a rare metal plating (7) on the inner wall surface facing the hollow part. When the hollow part functions as a through hole, a cover for opening/closing the hollow part is installed on one surface of the through hole. A second block for sealing the hollow part is installed on the other surface.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够形成具有高清洁度的工艺空间的高压容器。 用于在基板上进行使用高压流体的工序的高压容器通过加工由金属制成的扁平长方体块（5）的最宽表面以外的一个表面而形成中空部。 通过在面向中空部的内壁面上形成稀有金属电镀（7）而形成容器主体。 当中空部分用作通孔时，用于打开/关闭中空部分的盖安装在通孔的一个表面上。 用于密封中空部分的第二块安装在另一个表面上。
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公开(公告)号：KR1020140011269A
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020130082873
申请日：2013-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B7/0021 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a substrate processing method etc. capable of suppressing the volatilization of a fluorine-containing organic solvent for dry prevention until a substrate is carried into a processing container, and the decomposition of the fluorine-containing organic solvent within the processing container. A substrate (W) in which the surface is covered by a first fluorine-containing organic solvent is carried into a processing container (31). A high pressure fluid made of a second fluorine-containing organic solvent in which the boiling point is lower than the first fluorine-containing organic solvent is provided to the processing container (31). A high pressure fluid condition of a compound of the first and second fluorine-containing organic solvents is formed within the processing container (31). The first fluorine-containing organic solvent which covers the surface of the substrate is removed. A dried substrate (W) is obtained by discharging the fluid within the processing container (31) as the state of the high pressure fluid or gas. [Reference numerals] (321) Feeding unit; (5) Control unit
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够抑制用于干燥的含氟有机溶剂的挥发直到基材被运送到处理容器中的基板处理方法等，并且含氟有机溶剂的分解 在处理容器内。 表面被第一含氟有机溶剂覆盖的基板（W）被携带到处理容器（31）中。 将由沸点低于第一含氟有机溶剂的第二含氟有机溶剂制成的高压流体提供给处理容器（31）。 第一和第二含氟有机溶剂的化合物的高压流体状态形成在处理容器（31）内。 除去覆盖基材表面的第一含氟有机溶剂。 通过将处理容器（31）内的流体作为高压流体或气体的状态排出来获得干燥的基材（W）。 （附图标记）（321）进给单元; （5）控制单元
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公开(公告)号：KR100855279B1
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020067027905
申请日：2006-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판(W)을 순수한 물 등의 처리액에 의해 처리하는 것을 특징으로 한다. 다음에, 유체 노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제1 유체를 공급하여 액막을 형성한다. 다음에, 기판(W)을 회전시키면서 유체노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제2 유체를 공급한다. 그 때, 기판(W)에 대한 제2 유체의 공급 위치(Sf)를, 기판(W)의 회전 중심(Po)으로부터 반경 방향 외측으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1 및 제2 유체를 이용하여 건조시킨 후의 기판(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
기판 처리 장치Abstract translation: 本发明的特征在于，用纯水等处理液处理基板W. 接着，从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第一流体而形成液膜。 接着，一边使基板W旋转，一边从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第二流体。 此时，第二流体对基板W的供给位置Sf从基板W的旋转中心Po向径向外侧移动。 因此，可以防止在使用第一流体和第二流体进行干燥之后在衬底W上产生颗粒。
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公开(公告)号：KR100648165B1
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：KR1020057020693
申请日：2005-04-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 기판 세정 장치 및 기판 처리 방법은 기판(W)을 회전시키면서 브러시(3)를 기판(W)에 접촉시키고, 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 이류체 노즐(5)로부터 액적과 가스로 이루어지는 처리 유체를 기판(W)에 분사시키고, 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키는 동안, 상기 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)보다 중심(P0) 측에 배치함으로써 브러시로부터 오염물이 전사되어 웨이퍼가 더러워지는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100516792B1
公开(公告)日：2005-09-26
申请号：KR1020000022443
申请日：2000-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67086 , B08B3/02 , B08B3/102 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 이 처리장치는, 반도체웨이퍼(W)를 유지하는 회전가능한 회전자(21)와, 회전자(21)를 회전구동하는 모터(22)와, 회전자(21)에 유지된 반도체웨이퍼(W)를 포위가능한 복수의 처리실, 예컨대 내측챔버(23) 및 외측챔버(24)와, 반도체웨이퍼(W)에 대하여 처리유체를 공급하는 처리유체공급수단으로서의 약물공급수단(50), IPA 공급수단(60), 린스액공급수단(70) 및 건조유체공급수단(80)으로 주요부를 구성하고, 다른 종류의 처리유체의 반응에 의한 피처리체의 오염방지, 처리효율의 향상, 장치의 소형화를 도모한다.
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