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公开(公告)号:KR102243841B1
公开(公告)日:2021-04-22
申请号:KR1020140093833
申请日:2014-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/683
Abstract: 본발명의과제는, 기판의표면에도포막을형성하는데 있어서, 스루풋을높게함과함께막 두께의면내균일성을확보하는것이다. 기판보유지지부에보유지지된기판의표면과대향하도록, 승강가능한환 형상부재를소정의높이에배치한다. 당해환 형상부재는개구부를갖고, 개구부의기판의표면에의투영영역은회전중심을중심으로하는진원과일치하지않도록구성되어있다. 기판을회전시켜도포액을퍼지게한 후, 기판을더욱고속회전시켜도포액을건조시켜도포막을얻는다. 그때환 형상부재를강하시키고, 기판주연부의기류를제어함으로써기판주연부의도포막의막 두께를균일화한다. 한편, 환형상부재의개구부로부터의기판에의기류가분산됨으로써, 개구부바로아래에있어서의도포막의막 두께는균일화된다. 따라서, 기판전체적으로막 두께를균일화시킬수 있다.
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公开(公告)号:KR102201956B1
公开(公告)日:2021-01-11
申请号:KR1020190051360
申请日:2019-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 노광후의기판을기판보유지지부에수평하게보유지지하는공정과, 상기기판의표면에대향하는원형의제1 대향면을, 상기기판의중심부에근접시키는공정과, 상기기판의표면에대향하는원형의제2 대향면을, 상기기판의중심부로부터어긋남과함께당해기판의주연부보다도당해중심부근방의위치에근접시키는공정과, 상기제1 대향면에개구하는제1 토출구로부터근접하는상기기판의중심부에현상액을토출하고, 액고임을형성하는공정과, 상기기판의회전중에, 상기제1 토출구로부터상기현상액을토출하는상기제1 대향면을상기기판에근접한상태에서당해기판의일단측의주연부를향하도록이동시켜, 당해기판상에상기현상액을확장하는제1 이동공정과, 상기제2 대향면과상기회전하는기판사이에현상액이공급되어있음과함께당해제2 대향면을상기기판에근접한상태에서, 당해기판의타단측의주연부를향하도록이동시키는제2 이동공정과, 상기제1 대향면및 상기제2 대향면이상기기판의주연부에도달한후에, 당해기판으로의현상액의토출및 상기기판의회전을정지하는공정을구비하도록현상을행한다.
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公开(公告)号:KR1020160108351A
公开(公告)日:2016-09-19
申请号:KR1020167019174
申请日:2015-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/2063 , G03F7/40 , G03F7/70483 , G03F7/70508
Abstract: 본발명은, 레지스트패턴을형성하는데 있어서, 패턴의선 폭에대하여해상도가높고, 웨이퍼 W 위에서의높은면내균일성이얻어지는기술을제공하는것을과제로한다. 레지스트막을기판위에형성하고, 패턴노광기 C6에의한패턴노광을행한후에, 일괄노광장치(1)를사용해서패턴노광영역의전체를노광한다. 이때, 사전에검사장치[861(862)]로부터얻어진레지스트패턴의선 폭의면 내분포의정보에기초하여, 웨이퍼 W 위의노광위치에따라서노광량을조정한다. 노광량의조정방법으로서는, 웨이퍼 W의직경에대응하는띠 형상의조사영역을이동시키면서노광량을조정하는방법, 패턴노광의샷 영역에따른조사영역을간헐적으로이동시켜서각 칩에대한노광량을조정하는방법등을들 수있다.
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公开(公告)号:KR1020160028983A
公开(公告)日:2016-03-14
申请号:KR1020150124925
申请日:2015-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/00 , G03F7/06 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/16
Abstract: 본발명의과제는, 노광후의기판에대해현상액에의해현상을행하는데 있어서, 기판의면내에있어서의현상의진행정도에대해면내균일성의향상에기여할수 있는현상방법등을제공하는것이다. 회전가능한기판보유지지부(12)에수평으로보유지지된노광후의기판(W)에대해, 상기기판(W)의표면과대향하도록설치된접촉부(32)를구비한제1 현상액노즐(3)을사용하여기판(W)의표면의일부에액 저류부를형성하고, 회전하고있는기판(W)의상방에서제1 현상액노즐(3)을이동시켜기판의표면전체에액 저류부(30)를확산시켜현상처리를행한다. 또한, 이현상처리를행하기전 또는후에, 기판(W)의면내에있어서의현상의진행정도의분포를고르게하기위해, 기판을회전시킨상태에서제2 현상액노즐(61)에의해기판의표면에현상액을공급한다. 그리고, 제1, 제2 현상액노즐(3, 61)로부터의현상액의공급은, 먼저공급된현상액이기판(W)의표면으로부터제거된후에행해진다.
Abstract translation: 关于在曝光后通过显影液进行基板显影的本发明的一个问题是提供一种能够有助于提高面内均匀性的发展方法 基板的表面。 相对于水平保持并支撑在可旋转的基板保持和支撑单元(12)中的曝光后的基板(W),通过在表面的一部分中形成液体冲击单元来进行显影 使用具有安装成面向基板(W)的表面的接触单元(32)的第一显影液喷嘴(3),使第一显影液喷嘴(3)从旋转基板的上部移动 W),并且将液体下溢单元(30)扩散到基底的整个表面。 此外,在显影之前或之后,通过第二显影液喷嘴(61)将显影液供给到基板的表面,同时旋转基板以均匀地进行基板(W)的表面的显影的进展。 此外,从所述第一和第二显影液喷嘴(3,61)中提供所述显影液后,在从所述基板(W)的表面除去所提供的显影液之后进行。
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公开(公告)号:KR1020150124950A
公开(公告)日:2015-11-06
申请号:KR1020157022381
申请日:2014-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/311 , H01L21/3105 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02348 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05C11/1015 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 본발명은, 표면에패턴이형성된기판상에유기막을형성하는것으로, 기판상에유기재료를도포하고, 그후, 이유기재료를열처리하여기판상에유기막을형성하고, 그후, 이유기막에대해자외선조사처리를행하여, 당해유기막의표면을소정의깊이까지제거하도록하여, 기판상에유기막을적절하고또한효율적으로형성한다.
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公开(公告)号:KR1020150051157A
公开(公告)日:2015-05-11
申请号:KR1020140148347
申请日:2014-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/67017 , H01L21/0274
Abstract: 본발명의과제는, 처리액중의이물질을높은포집율로포집할수 있는기술을제공하는것이다. 처리액용기(60)로부터의처리액을노즐(7)로부터토출하는데 있어서, 펌프(70)의 2차측에필터(52)의 1차측을접속하고, 필터(52)를통과한레지스트액(L)을공급원측으로복귀시킴과함께, 복귀시킨처리액과처리액용기(60)로부터보충되는처리액을합성하고있다. 그리고처리액을버퍼탱크(61)로복귀시킬때 및합성한레지스트액(L)을상기펌프(70)에흡입할때 중적어도한쪽에있어서, 필터(52)를통과시키고있다. 이로인해, 필터(52)의개수를억제하면서예를들어 1개의필터(52)를사용하면서, 처리액중의이물질을높은포집율로포집할수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供能够以高收集率收集处理溶液的异物的技术。 当处理溶液通过喷嘴(7)从处理溶液容器(60)排出时,过滤器(52)的初级侧连接到泵(70)的次级侧。 通过过滤器(52)的抗蚀剂溶液(L)被还原到供给源。 用从处理溶液容器(60)补充的处理溶液合成还原的处理溶液。 并且,当缓冲罐(61)中还原处理溶液并且将合成的抗蚀剂溶液(L)吸收到泵(70)中时,至少一个通过过滤器(52)。 由此,抑制了过滤器(52)的数量。 例如,使用一个过滤器(52),并以高收集率收集处理溶液的异物。
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