公开(公告)号：KR101031677B1

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020087025943

申请日：2007-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기(24)의 내부에 마련된 탑재대(34)에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체(예컨대, 반도체 웨이퍼(W) 등)를 탑재한다. 그 후, 처리 용기(24)의 내부에 플라즈마를 발생시키고, 이 처리 용기(24)의 내부에 있어서, 상기 플라즈마에 의해 금속 타겟(70)을 이온화해서 금속 이온을 생성한다. 그리고, 탑재대(34)에 바이어스 전력을 공급하고, 상기 금속 이온을 이 공급된 바이어스 전력에 의해 상기 탑재대(34)에 탑재된 상기 피처리체에 인입시키는 것에 의해, 상기 오목부내의 면을 포함하는 상기 피처리체의 표면에 박막을 형성한다. 본 발명에 있어서는, 바이어스 전력의 크기를, 상기 피처리체의 표면이 실질적으로 스퍼터되지 않는 범위내에 있어서 변화시킨다.

公开(公告)号：KR101025986B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 피처리체 예컨대 반도체 웨이퍼 W의 표면에 형성된 오목부, 특히 직경 또는 폭이 100㎚ 이하인 미세한 홀 또는 트렌치를, 플라즈마 스퍼터링만에 의해, 금속 특히 구리로 매립하는 것을 가능하게 하는 기술이 개시된다. 오목부 내에 소량의 금속막을 퇴적시키는 성막 공정과, 이 퇴적시킨 금속막을 오목부의 바닥부를 향해 이동시키는 확산 공정이 교대로 복수회 실행된다. 성막 공정에 있어서는 웨이퍼 W의 표면에서, 금속 입자의 인입에 의해 생기는 금속의 퇴적의 퇴적 레이트가 플라즈마에 의해 생기는 스퍼터 에칭의 에칭 레이트와 대략 균형을 이루도록, 웨이퍼 W를 지지하는 탑재대에 인가되는 바이어스 전력이 설정된다. 확산 공정에 있어서는, 오목부 내에 퇴적시킨 금속막의 표면 확산이 생기는 온도로 웨이퍼 W를 유지한다.

公开(公告)号：KR1020100024416A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a filming method for forming a thin film on a treating object (W) which has an insulating layer (4) formed with a recess (6) on its surface. In the filming method, there are sequentially executed the barrier layer forming step of forming a Ti-containing barrier layer (12) on the surface of the treating object including the surface in the recess, the seed layer forming step of forming a Ru-containing seed layer (16) over the barrier layer by a CVD, and the auxiliary seed layer forming step of forming a Cu-containing auxiliary seed layer (164) over the seed layer by a sputtering. All over the surface of the treating object, therefore, a sufficient padding can be made on either the recess having a small line width or hole diameter or the recess having a high aspect ratio.

Abstract translation: 公开了一种在其表面上形成有凹部（6）的绝缘层（4）的处理对象（W）上形成薄膜的成膜方法。 在成膜方法中，依次执行阻挡层形成工序，在包含凹部的表面的处理对象物的表面上形成含Ti势垒层（12），种子层形成工序形成含Ru的阻挡层 种子层（16），并且通过溅射在种子层上形成含Cu辅助种子层（164）的辅助晶种层形成步骤。 因此，在处理对象的整个表面上，可以在具有小线宽度或孔直径的凹部或具有高纵横比的凹部中的任一个上形成足够的填充。

公开(公告)号：KR1020170101138A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

Abstract: 본발명은플라즈마 CVD에의해웨이퍼상에 Ti막을성막함에있어, 막중에의 N 원자의취입을억제하는기술을제공하는것이다. 웨이퍼 W의 Si막(101)의표면에 Ti막(103)을성막한후, 처리용기(20) 중의 TiCl나 Cl를포함하는성분을제거함에있어 H가스의플라즈마를이용하고있다. 그때문에, Ti막(103) 중에서의 N의취입을억제할수 있다. 따라서, Ti막(103)과 Si막(101)의계면에있어서의 Ti의실리사이드화의반응이저해되지않는다. 또한, 웨이퍼 W를반출한후에있어서의 TiCl나 Cl를포함하는성분의제거를 H가스의플라즈마를이용하는것에의해, 처리용기(20) 중의 N를더 억제할수 있다. 또한, 처리용기(20)의내면에실시하는프리코트에서도 TiN막의표면을덮도록 Ti막을성막하는것에의해, 웨이퍼의 W 표면에 Ti막(103)을성막했을때의 Ti막(103) 중의 N의취입을억제할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过等离子体CVD在晶片上形成Ti膜时抑制N原子掺入膜中的技术。 在Ti膜103的晶片W Si膜101的表面上的膜形成之后，它是包含的TiCl或Cl中的处理容器20，以使用H气体的等离子体除去的成分。 因此，可以抑制Ti膜103中的N的摄入量。 因此，在Ti膜103和Si膜101之间的界面上Ti的硅化反应不受阻碍。 另外，通过在取出晶片W后除去包含TiCl和Cl的成分，能够利用H气的等离子体来抑制处理容器20内的N。 此外，自由Ti膜103 N个时在涂层具有通过形成Ti膜覆盖膜使得TiN膜表面，该膜形成在Ti薄膜103向处理容器的内表面上携带的晶片在W表面（20） 可以抑制吞咽。

公开(公告)号：KR101676903B1

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020130103099

申请日：2013-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치는처리용기, 탑재대, 리모트플라즈마유닛, 확산부, 및이온필터를구비한다. 탑재대는처리용기내에마련되어있다. 리모트플라즈마유닛은수소함유가스를여기시켜여기가스를생성한다. 리모트플라즈마유닛에는여기가스의출구가형성되어있다. 확산부는리모트플라즈마유닛의출구에면하도록마련되어있고, 해당출구로부터흘러나오는여기가스를받아, 수소이온의양이감소된수소의활성종을확산시킨다. 이온필터는확산부와탑재대의사이에위치하고, 또한, 확산부로부터이간하도록마련되어있다. 이온필터는확산부에의해확산된수소의활성종에포함되는수소이온을포착하여, 수소이온의양이더욱감소된수소의활성종을통과시킨다.

公开(公告)号：KR1020160111333A

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020160029686

申请日：2016-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이시자카다다히로 ,  창펑 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: MnO막위에양호한표면상태의 Ru막을양호한성막성으로연속막으로서성막할수 있어서, 양호한매립성으로 Cu를매립한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대해, 오목부(203)를매립하는 Cu 배선을제조할때에, MnO막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnO막의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnO막의표면에 Ru막(206)을 CVD에의해형성하는공정과, Cu계막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu계막(207)을매립하는공정을구비하고, Ru막(206)을성막할때에, 핵형성이촉진되며, 또한표면평활성이높은상태로 Ru막(206)이성막되도록, MnO막(205)의성막조건및 수소라디칼처리의조건을규정한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造铜布线的方法，通过良好的成膜性能在MnO_x膜上形成具有良好表面状态的Ru膜作为连续膜，能够通过良好的掩埋性能掩埋Cu。 当Cu布线相对于具有层间绝缘膜（202）的衬底（W）埋入凹部（203），其中在表面上形成预定图案的凹部（203）时，该方法包括： 通过原子层沉积（ALD）形成MnO_x膜（205）; 在所述MnO_x膜（205）的表面上进行氢自由基处理的工序; 在氢自由基处理之后通过化学气相沉积（CVD）在MnO_x膜的表面上形成Ru膜（206）的工艺; 以及通过物理气相沉积（PVD）形成Cu基膜（207）以将Cu基膜（207）埋入凹部（203）中的工艺。 当形成Ru膜（206）时，限定MnO_x膜（205）的成膜条件和氢自由基加工条件，以促进核形成，并在高表面光滑度的状态下形成Ru膜（206）。

公开(公告)号：KR1020090129444A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020097020116

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  요코야마오사무 ,  다나카도시마사 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: A gas supply method in which a solid raw material in a raw material container is heated and vaporized to produce raw material gas to be supplied to a consuming area. The gas supply method has a step (a) of causing carrier gas to flow to a processing gas supply path that communicates with the consuming area and measuring gas pressure in the processing gas supply path; a step (b) of heating the solid raw material contained in the raw material container to produce the raw material gas; a step (c) of supplying carrier gas which has the same flow rate as the carrier gas in the step (a) to the raw material container and measuring gas pressure in the processing gas supply path while causing the raw material gas together with the carrier gas to flow to the processing gas supply path; and a step (d) of calculating the flow rate of the raw material gas based on the pressure measurement value obtained in the step (a), the pressure measurement value obtained in the step (c), and the flow rate of the carrier gas.

Abstract translation: 将原料容器内的固体原料加热蒸发以产生供给到消耗区域的原料气体的气体供给方法。 气体供给方法具有使载气流入与消耗区域连通的处理气体供给路径并测量处理气体供给路径中的气体压力的步骤（a） （b）加热包含在原料容器中的固体原料以生产原料气体; 将与步骤（a）中的载气相同流量的载气供给到原料容器并测量处理气体供给路径中的气体压力同时使原料气体与载体一起的步骤（c） 气体流到处理气体供应路径; 以及步骤（d），其基于步骤（a）中获得的压力测量值，步骤（c）中获得的压力测量值和载气的流量来计算原料气体的流量 。

公开(公告)号：KR1020090006115A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：KR1020087025943

申请日：2007-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: An object (a semiconductor wafer (W), for example) having a recess formed in its surface is placed on a placing bed (34) disposed in a treating container (24) made evacuative. A plasma is then generated inside of the treating container (24), in which a metal target (70) is ionized by the plasma to produce metal ions. A bias electric power is fed to the placing bed (34), so that the metal ions are attracted by the fed bias electric power to the object placed on the placing bed (34), thereby to form a thin film on the surface of the object including the face in the recess. The magnitude of the bias electric power is varied within a range, in which the surface of the object is not substantially sputtered.

Abstract translation: 将其表面上形成有凹部的物体（例如，半导体晶片（W））配置在设置在排气处理容器（24）上的放置台（34）上。 然后在处理容器（24）的内部产生等离子体，其中金属靶（70）被等离子体电离以产生金属离子。 偏置电力被馈送到放置床（34），使得金属离子被馈送的偏置电力吸引到放置在放置床（34）上的物体上，从而在该位置的表面上形成薄膜 物体包括在凹槽中的脸。 偏置电力的大小在物体的表面基本不溅射的范围内变化。

公开(公告)号：KR1020080106572A

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020087024696

申请日：2008-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  요코야마오사무 ,  다가사토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: A method of forming a film, comprising feeding vapor-phase molecules of a metallic carbonyl material onto a surface of substrate to be treated and decomposing them in the vicinity of the surface of substrate to be treated so as to deposit a metal film on the substrate surface, wherein in the deposition of metal layer on the surface of substrate to be treated, there is provided an operation for preferential decomposition of the metallic carbonyl material in an area adjacent to the peripheral portion of the substrate to thereby, in the vicinity of the peripheral portion of the substrate, locally increase the CO concentration of the atmosphere and suppress the deposition of metal film on the peripheral portion. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将金属羰基材料的气相分子进料到待处理的基板的表面上并在待处理的基板的表面附近分解，以便在基板上沉积金属膜 表面，其中在金属层沉积在待处理的基板的表面上时，提供了在与基板的周边部分相邻的区域中优选分解金属羰基材料的操作，从而在 衬底的周边部分局部地增加大气的CO浓度，并抑制金属膜在周边部分上的沉积。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080022221A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020087002231

申请日：2006-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다타로 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: A metal film forming method is provided with a step of placing a subject, which is to be treated and has a recessed section formed on the surface, on a placing table in a treatment chamber; a step of exhausting the treatment chamber; a step of ionizing a metal target in an exhausted treatment chamber by plasma formed by bringing an inert gas into the plasma state, and generating metal particles including metal ions; and a step wherein a recessed ground portion is formed by grinding a bottom section of the recessed section by applying bias power on the subject placed on the placing table and pulling the plasma and the metal particles into the subject, and a metal film is formed over the entire surface of the subject including the surfaces in the recessed section and the recessed ground section. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 金属膜形成方法具有将待处理对象并且具有形成在表面上的凹部的放置在处理室中的放置台上的步骤; 排出处理室的步骤; 通过使惰性气体进入等离子体状态而形成的等离子体使排气处理室内的金属靶电离的工序，产生包含金属离子的金属粒子; 以及通过对放置在放置台上的被摄体上施加偏压力并将等离子体和金属粒子拉入被检体的方式，对凹部的底部进行研磨而形成凹陷接地部的工序，形成金属膜 被检体的整个表面包括凹部中的表面和凹入的接地部分。 ®KIPO＆WIPO 2008