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公开(公告)号：KR1020110050268A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020090107175
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/46
Abstract: PURPOSE: A heating device and a substrate processing apparatus having the same are provided to reduce processing time by forcedly cooling down one or a plurality of heaters and to reduce the time required for cooling down the process chamber. CONSTITUTION: In a heating device and a substrate processing apparatus having the same, a body(210) includes an inlet unit(211) and an outlet unit(212). One or a plurality of heaters(220) are installed inside the body. A cooling unit(230) is connected to the inlet unit of the body. An exhaust pump(240) is connected to the exhaust pipe of the body. A controller(250) controls the cooling unit.
Abstract translation: 目的：提供一种加热装置及其基板处理装置，以通过强制冷却一个或多个加热器并减少冷却处理室所需的时间来减少处理时间。 构成：在加热装置和具有该加热装置的基板处理装置中，主体（210）包括入口单元（211）和出口单元（212）。 一个或多个加热器（220）安装在体内。 冷却单元（230）连接到主体的入口单元。 排气泵（240）连接到主体的排气管。 控制器（250）控制冷却单元。
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公开(公告)号：KR101015849B1
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020090021547A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070086144
申请日：2007-08-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L2924/12044
Abstract: An organic electroluminescent display device is provided to improve photonic efficiency by forming an emission protective film including a tapered pattern on a front of an organic electroluminescent device. An organic electroluminescent display device comprises an organic electroluminescent device and an emission protective film(23). The organic electroluminescent device comprises a device substrate(10), a first electrode(20), an organic light emitting layer(21), and a second electrode(22). The first electrode is formed on the device substrate. A reflective film is formed on a bottom of the first electrode. The organic light emitting layer is formed on the first electrode. The second electrode is formed on the light emitting layer. An emission protective film is formed on a front of the device substrate, and includes a tapered pattern(23a). The tapered pattern is formed on a position corresponding to the organic light emitting layer. The emission protective film is made of one among SiNx, SiO2, and Al203.
Abstract translation: 提供一种有机电致发光显示装置，通过在有机电致发光器件的前面形成包括锥形图案的发射保护膜来提高光子效率。 有机电致发光显示装置包括有机电致发光器件和发射保护膜（23）。 有机电致发光器件包括器件衬底（10），第一电极（20），有机发光层（21）和第二电极（22）。 第一电极形成在器件衬底上。 反射膜形成在第一电极的底部上。 有机发光层形成在第一电极上。 第二电极形成在发光层上。 在器件基板的前面形成发光保护膜，并且包括锥形图案（23a）。 锥形图案形成在与有机发光层对应的位置上。 发射保护膜由SiNx，SiO2和Al2O3之一制成。
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公开(公告)号：KR101146993B1
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020100052353
申请日：2010-06-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L27/1277
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따라 실리콘층의 결정화 방법을 개시한다. 기판 위에 비정질 실리콘층을 형성한다. 상기 비정질 실리콘층의 표면이 소수성이 되도록 상기 비정질 실리콘의 표면을 소수성 처리한다. 상기 소수성 처리된 상기 비정질 실리콘층 위에 촉매 금속을 형성한다. 상기 촉매 금속이 형성된 상기 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층으로 결정화한다.
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公开(公告)号：KR101084261B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100023901
申请日：2010-03-17
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/66757
Abstract: 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치, 및 그 제조 방법들에서, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층의 일부 영역 위에 형성된 게이트 절연막 패턴과, 상기 게이트 절연막 패턴의 일부 영역 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막 패턴 및 상기 게이트 전극을 덮는 식각 방지막 패턴, 그리고 상기 액티브층 및 상기 식각 방지막 패턴 위에 형성된 소스 부재 및 드레인 부재를 포함한다.
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Patent Agency Ranking26.发明授权
公开(公告)号：KR101074810B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020090130025
申请日：2009-12-23
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L27/1277
Abstract: 캐리어가스공급구조가개선된증착장치가개시된다. 개시된증착장치는증착소스가장입되는캐니스터와, 증착소스가승화되도록캐니스터를가열하는히터와, 캐니스터와연결되며증착대상체가장착되는챔버및, 승화된증착소스를챔버로보내기위한캐리어가스를공급하는캐리어가스공급유닛을포함하며, 캐리어가스가캐니스터로주입되는주입부및 챔버를향해배출되는배출부가서로대향되는맞은편에마련된다. 이러한구조에의하면주입부와배출부가서로대향되게배치되어있어서캐니스터내의와류가억제되며, 따라서증착소스의공급이균일하고안정적으로이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020110113024A
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020100032337
申请日：2010-04-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02488 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L27/1214
Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘막의 결정화 방법, 그리고 이를 적용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 결정화 방법은, 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘막 위에 서로 이격되도록 결정화 촉매 입자들을 위치시키는 단계, 비정질 실리콘막에서 결정화 촉매 입자들을 선택적으로 제거하는 단계 및 비정질 실리콘막을 열처리에 의해 결정화하는 단계를 포함한다.
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28.发明公开박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이를 제조하는 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치 有权薄膜晶体管基板，其制造方法和具有薄膜晶体管基板的有机发光器件
公开(公告)号：KR1020110107189A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020100026403
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L51/0081 , H01L29/458 , H01L27/1214 , H01L51/105
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 이온 도핑 공정없이도 제조할 수 있는 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이의 제조 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020110103736A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022944
申请日：2010-03-15
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78696
Abstract: 온전류의 크기를 유지하면서 누설전류를 줄일 수 있는 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 기판; 양끝단의 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 인접한 저농도 도핑영역, 적어도 둘 이상의 채널영역, 상기 채널영역 사이의 고농도 도핑영역을 포함하는 상기 기판 위의 활성층; 상기 활성층 위의 게이트 절연막; 적어도 둘 이상의 개별 게이트 전극을 포함하고, 상기 개별 게이트 전극 아래에 채널영역이 위치하고, 최외각의 상기 개별 게이트 전극의 바깥쪽으로 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 위치한 상기 게이트 절연막 위의 다중 게이트 전극; 상기 다중 게이트 전극 위의 제1 층간 절연막; 및 상기 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110057465A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090113887
申请日：2009-11-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 양태훈 , 이기용 , 서진욱 , 박병건 , 정윤모 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 백원봉 , 소병수 , 홍종원 , 정민재 , 나흥열 , 마이단축이반 , 강유진 , 장석락
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/185 , C23C14/34 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3438
Abstract: PURPOSE: A sputtering device for depositing a metal catalyst is provided to improve the uniformity of metal catalyst of the extreme low density on a substrate by minimizing the deposition of metal catalyst discharged from a metal target in a pre-sputtering process. CONSTITUTION: A metal target(120) is located in a process chamber(110). A target transfer unit(130) includes a first shield(150) to control the progressing direction of a metal catalyst discharged from the metal target. A substrate holder(140) faces the metal target. The difference between the length of the first shield and the distance between the substrate and the metal target is 3 cm or less.
Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积金属催化剂的溅射装置，通过在预溅射过程中使从金属靶排出的金属催化剂的沉积最小化来改善金属催化剂在基板上的极低密度的均匀性。 构成：金属靶（120）位于处理室（110）中。 目标传送单元（130）包括用于控制从金属靶排出的金属催化剂的前进方向的第一屏蔽（150）。 衬底保持器（140）面向金属靶。 第一屏蔽的长度与基板与金属靶之间的距离之差为3cm以下。
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