中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

33 records (took 0.026 seconds)

    MEMS-Struktur und Verfahren zum Erfassen einer Änderung eines Parameters
    22.
    发明专利
    MEMS-Struktur und Verfahren zum Erfassen einer Änderung eines Parameters 未知

    公开(公告)号：DE102018207319B4

    公开(公告)日：2022-08-25

    申请号：DE102018207319

    申请日：2018-05-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HAINISCH REINHARD ,  GRILLE THOMAS

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01K5/48 ,  G12B1/00

    Abstract: MEMS-Struktur mit folgenden Merkmalen:einem Einrastelement (18, 118);einem ersten Hebel (14, 114, 154), der ausgelegt ist, um sich bei einer Änderung eines Parameters in einer ersten Richtung durch Verbiegung an dem Einrastelement (18, 118) vorbei zu bewegen und an dem Einrastelement (18, 118) einzurasten, wenn nachfolgend eine Änderung des Parameters in einer zweiten von der ersten Richtung unterschiedlichen Richtung stattfindet; undeinem zweiten Hebel (16, 116, 156), der ausgelegt ist, um sich bei der Änderung des Parameters in der zweiten Richtung durch Verbiegung an dem ersten Hebel (14, 114, 154) vorbei zu bewegen und an dem ersten Hebel (14, 114, 154) einzurasten, wenn nach der Änderung des Parameters in der zweiten Richtung eine Änderung des Parameters in der ersten Richtung stattfindet.

    Optoelektronischer Sensor
    23.
    发明专利
    Optoelektronischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE112013004299B4

    公开(公告)日：2021-12-30

    申请号：DE112013004299

    申请日：2013-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

    Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

    Mikromechanische Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
    25.
    发明专利
    Mikromechanische Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102016111909B4

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：DE102016111909

    申请日：2016-06-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FRISCHMUTH TOBIAS ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL ,  GRILLE THOMAS ,  MAURER DANIEL ,  HEDENIG URSULA ,  KAHN MARKUS ,  DENIFL GÜNTER

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L7/00 ,  G01Q70/02 ,  H04R1/00

    Abstract: Mikromechanische Struktur, die Folgendes umfasst:ein Substrat (102); undeine funktionale Struktur (104), die an dem Substrat (102) angeordnet ist;wobei die funktionale Struktur (104) einen funktionalen Bereich (104r) umfasst, der in Bezug auf das Substrat (102) in Reaktion auf eine Kraft, die auf den funktionalen Bereich (104r) wirkt, ablenkbar ist;wobei der funktionale Bereich (104r) ein Grundmaterial umfasst;wobei in wenigstens einem Abschnitt (106) des funktionalen Bereichs (104r) das Grundmaterial mit Fremdatomen dotiert ist, so dass ein Elastizitätsmodul und/oder eine mechanische Härte in dem wenigstens einen Abschnitt (106) niedriger ist im Vergleich zu einem Elastizitätsmodul und einer mechanischen Härte in einem weiteren Abschnitt (108) des funktionalen Bereichs (104r), der nicht mit den Fremdatomen oder weniger als der wenigstens eine Abschnitt (106) dotiert ist,wobei der funktionale Bereich (104r) einen seitlichen Gradienten in dem Elastizitätsmodul und/oder der mechanischen Härte zwischen dem wenigstens einen Abschnitt (106) und dem weiteren Abschnitt (108) aufweist, undwobei die Fremdatome wenigstens eines aus den folgenden Materialien umfassen: Phosphor, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff, Bor, Fluor, Gallium, Germanium, Arsen.

    MEMS-Struktur und Verfahren zum Erfassen einer Änderung eines Parameters
    26.
    发明专利
    MEMS-Struktur und Verfahren zum Erfassen einer Änderung eines Parameters 未知

    公开(公告)号：DE102018207319A1

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：DE102018207319

    申请日：2018-05-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HAINISCH REINHARD ,  GRILLE THOMAS

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01K5/48 ,  G12B1/00

    Abstract: Eine MEMS-Struktur weist ein Einrastelement, einen ersten Hebel und einen zweiten Hebel auf. Der erste Hebel ist ausgelegt, um sich bei einer Änderung eines Parameters in einer ersten Richtung durch Verbiegung an dem Einrastelement vorbei zu bewegen und an dem Einrastelement einzurasten, wenn nachfolgend eine Änderung des Parameters in einer zweiten von der ersten Richtung unterschiedlichen Richtung stattfindet. Der zweite Hebel ist ausgelegt, um sich bei der Änderung des Parameters in der zweiten Richtung durch Verbiegung an dem ersten Hebel vorbei zu bewegen und an dem ersten Hebel einzurasten, wenn nach der Änderung des Parameters in der zweiten Richtung eine Änderung des Parameters in der ersten Richtung stattfindet.

    Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Halbleiterchips
    27.
    发明专利
    Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017110086A1

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：DE102017110086

    申请日：2017-05-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  OTTOWITZ MARKUS ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

    IPC: B23K26/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/687

    Abstract: Ein Verfahren zur Verwendung beim Herstellen von Halbleiterbauelementchips umfasst Bereitstellen eines Wafers auf einem Träger und Abdecken eines Waferzentralteils durch Setzen einer Maskierungsvorrichtung über den Waferzentralteil des Wafers und Freilassen eines Raumes zwischen einer Oberfläche des Waferzentralteils des Wafers und der Maskierungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ferner das Schneiden eines Waferrandteils des Wafers vom Wafer. Eine Einrichtung zur Verwendung beim Herstellen von Halbleiterbauelementchips umfasst einen Träger, der ausgelegt ist zum Tragen eines Wafers, eine Maskierungsvorrichtung, die ausgelegt ist zum Abdecken eines Waferzentralteils, und eine Schneidvorrichtung, die ausgelegt ist zum Schneiden eines Waferrandteils vom Wafer.

Patent Agency Ranking