公开(公告)号：DE102015202121A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：DE102015202121

申请日：2015-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND ,  WEBER HANS ,  JANTSCHER WOLFGANG

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist.

公开(公告)号：DE102013019851B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102013019851

申请日：2013-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Halbleiterbauelement (110, 210, 310, 410, 510, 610) umfassend einen Halbleiterkörper (20) eines ersten Leitungstyps, eine Metallschicht (30) an dem Halbleiterkörper, wobei die Metallschicht mit dem Halbleiterkörper einen Schottkykontakt entlang einer Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) ausbildet, wobei eine Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps an der Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) entlang einer Richtung der Kontaktfläche variiert, wodurch die n-Dotierung in höher dotierten Bereichen (142, 242, 342, 442, 542, 642) an der Kontaktfläche entlang einer Richtung der Kontaktfläche lokal erhöht wird, wobei der Halbleiterkörper (20) Siliziumkarbid (SiC) umfasst und wobei der zumindest eine höher dotierte Bereich 142, 242, 342, 442, 542, 642) eine Tiefe in einer Richtung senkrecht zur Kontaktfläche von ungefähr 100 nm oder weniger aufweist.

公开(公告)号：DE102015103318A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102015103318

申请日：2015-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HECHT CHRISTIAN ,  KABAKOW ANDRE ,  RUPP ROLAND ,  KONRATH JENS PETER

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, eine Kontaktelektrode auf der ersten Oberfläche und eine Passivierungsschicht auf der ersten Oberfläche auf, welche benachbart zu der Kontaktelektrode angeordnet ist und mit der Kontaktelektrode überlappt. Die Passivierungsschicht weist einen Schichtstapel auf mit einer ersten Schicht, die ein Oxid auf der ersten Oberfläche aufweist, und mit einer zweiten Schicht, die ein Nitrid auf der ersten Schicht aufweist.

公开(公告)号：DE102011053641A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102011053641

申请日：2011-09-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (101) aus SiC sowie einen Feldeffektransistor auf. Der Feldeffektransistor weist eine im Halbleiterkörper (101) aus SiC ausgebildete Driftzone (102) sowie eine polykristalline Siliziumschicht (103) auf dem Halbleiterkörper (101) auf, wobei die polykristalline Siliziumschicht (103) eine mittlere Korngröße im Bereich von 10 nm bis 50 µm aufweist und ein Sourcegebiet (103s) sowie ein Bodygebiet (103b) umfasst. Darüber hinaus weist der Feldeffekttransistor eine an das Bodygebiet (103b) angrenzende Gatestruktur (104)auf.

公开(公告)号：DE10017922A1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：DE10017922

申请日：2000-04-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  GRIEBL ERICH ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/861

Abstract: The PN-diode has a semiconductor body (11) with a low doping concentration provided with a dished semiconductor zone (12) of opposite conductivity type, in which a second dished semiconductor zone (19) of the first conductivity type is embedded. The anode of the PN-diode is provided with a transistor having a channel region of the second conductivity type, which is controlled by a current above the blocking current level of the diode, with an emitter short-circuit between the second semiconductor zone and a further semiconductor zone (21) of the second conductivity type incorporated in the latter.

公开(公告)号：DE19954866A1

公开(公告)日：2001-05-31

申请号：DE19954866

申请日：1999-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTSCH WOLFGANG ,  TREU MICHAEL ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28

Abstract: The invention relates to a method for treating a surface of an SiC semiconductor body (1, 2) produced by epitaxy. According to said method, the parts (4) of the epitactic layer (2) that are deposited in the final phase of the epitaxy are removed by etching and a wet chemical treatment is then carried out in order to remove a thin natural oxide on the surface. Alternatively, a metal layer (5) configured as a Schottky contact and/or as an ohmic contact can also be applied to the surface immediately after the removal process.

公开(公告)号：DE102019122614B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) aufweist, wobei das Randgebiet (180) das zentrale Gebiet (110) umgibt;Ausbilden einer Ablöseschicht (150) im zentralen Gebiet (110), wobei sich die Ablöseschicht (150) parallel zu zwei horizontalen Hauptoberflächen (101, 102) des Ausgangssubstrats (100) erstreckt und wobei die Ablöseschicht (150) modifiziertes Substratmaterial aufweist; undAusbilden einer Vertiefung (190) im Randgebiet (180), wobei die Vertiefung (190) das zentrale Gebiet (110) lateral umschließt, wobei die Vertiefung (190) schräg zur Ablöseschicht (150) verläuft,wobei ein Ausbilden der Vertiefung (190) einen laserunterstützten Materialabtrag aufweist, wobei der laserunterstützte Materialabtrag ein Richten eines Laserstrahls (800) ganz oder teilweise auf eine laterale äußere Oberfläche (103) des Ausgangssubstrats (100) aufweist, wobei die laterale äußere Oberfläche (103) die beiden Hauptoberflächen (101, 102) verbindet und wobei ein Winkel zwischen einer Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls (800) und einer horizontalen Ebene zumindest 30 Grad beträgt.

公开(公告)号：DE102019114140B4

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102019114140

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/027 ,  H01L21/762 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:ein Ausbilden einer Kohlenstoffstruktur (102) auf einem Handhabungssubstrat (104) an einer ersten Oberfläche (106) des Handhabungssubstrats (104);ein Anbringen einer ersten Oberfläche (110) eines Halbleitersubstrats (112) an der ersten Oberfläche (106) des Handhabungssubstrats (104);ein Bearbeiten des Halbleitersubstrats (112);ein Unterziehen des Handhabungssubstrats (104) einem Trennprozess, der dafür geeignet ist, das Handhabungssubstrat (104) vom Halbleitersubstrat (112) zu trennen, wobei der Trennprozess ein Modifizieren der Kohlenstoffstruktur (102) aufweist, und wobei ein Ausbilden der Kohlenstoffstruktur (102) aufweist:ein Ausbilden von Gräben (128) im Handhabungssubstrat (104) an der ersten Oberfläche (106); undein zumindest teilweises Füllen der Gräben (128) mit Kohlenstoff (130).

公开(公告)号：DE102018102415B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102018102415

申请日：2018-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  RUHL GÜNTHER ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/322

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, aufweisend:Bereitstellen eines Waferverbunds (900) aufweisend ein Hilfssubstrat (300), ein Spendersubstrat (100) und eine zwischen dem Spendersubstrat (100) und dem Hilfssubstrat (300) ausgebildete Opferschicht (250);Spalten des Spendersubstrats (100) entlang einer Ebene parallel zur Opferschicht (250), wobei eine Teilschicht des Spendersubstrats (100) eine Bauteilschicht (110) bildet, die mit dem Hilfssubstrat (300) verbunden bleibt, und wobei ein Hauptteil (180) des Spendersubstrats (100) vom Waferverbund (900) abgetrennt wird;Ausbilden, nach dem Spalten, von funktionalen Elementen (190) des Halbleiterbauteils in der Bauteilschicht (110); und Trennen des Hilfssubstrats (300) von der Bauteilschicht (110) durch Wärmeeintrag in die Opferschicht (250).

公开(公告)号：DE102014100083B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102014100083

申请日：2014-01-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  RUHL GÜNTHER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/30 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67 ,  H01L29/12

Abstract: Verbundwafer, aufweisend:- ein Substrat (11), das einen porösen Kohlenstoffsubstratkern (12) und eine Verkapselungsschicht (14) aufweist, wobei die Verkapselungsschicht (14) den Substratkern (12) im Wesentlichen sauerstoffdicht verkapselt; und- eine SiC-basierte Funktionsschicht (18), die an oder auf das Substrat (11) gebunden oder gebondet ist, wobei die SiC-basierte Funktionsschicht (18) an einer Grenzflächenregion (17) mit der Verkapselungsschicht (14) mindestens ein Carbid und/oder ein Silicid aufweist, die durch die Reaktion eines Abschnitts der SiC-basierten Funktionsschicht mit einem carbid- und silicidbildenden Metall gebildet ist, und wobei die Menge des carbid- und silicidbildenden Metalls, integriert über die Dicke der Funktionsschicht, 10-4mg / cm2bis 0,1 mg / cm2beträgt.