公开(公告)号：WO2012031858A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/EP2011/064098

申请日：2011-08-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EBERHARD, Franz ,  TAEGER, Sebastian ,  PERZLMAIER, Korbinian

Inventor： EBERHARD, Franz ,  TAEGER, Sebastian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Dünnschichtverkapselung (11) für einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit einer mittels eines PVD-Verfahrens abgeschiedenen PVD-Schicht (6), und einer mittels eines CVD-Verfahrens abgeschiedenen CVD-Schicht (10) angegeben. Weiterhin werden ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Dünnschichtverkapselung und ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtverkapselung angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种薄膜封装（11），用于光电子半导体本体具有沉积使用PVD工艺PVD层（6），和通过CVD法，CVD层（10）沉积。 此外，为了可以指定与薄膜封装和用于制造薄膜封装的方法的光电子半导体本体。

公开(公告)号：EP2697835B1

公开(公告)日：2019-09-04

申请号：EP12713140.7

申请日：2012-04-04

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

公开(公告)号：WO2022058217A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/EP2021/074706

申请日：2021-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  KLEMP, Christoph

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (16) angegeben umfassend einen Schichtenstapel (9) umfassend zumindest eine Seitenfläche (9A), eine erste Hauptfläche (9B) und eine zweite Hauptfläche (90), ein erstes, an der ersten Hauptfläche (9B) angeordnetes Kontaktmittel (12), das zur elektrischen Kontaktierung eines ersten Halbleiterbereichs (4) des Schichtenstapels (9) vorgesehen ist, - ein zweites, an der zweiten Hauptfläche (90) angeordnete Kontaktmittel (17), das zur elektrischen Kontaktierung eines zweiten Halbleiterbereichs (5) des Schichtenstapel (9) vorgesehen und strahlungsdurchlässig ist, und eine auf dem Schichtenstapel (9) angeordnete, elektrisch leitfähige Randschicht (11), die sich von dem zweiten Kontaktmittel (17) über die Seitenfläche (9A) bis an die erste Hauptfläche (9B) erstreckt, und - eine erste, zwischen der Randschicht (11) und dem Schichtenstapel (9) angeordnete dielektrische Schicht (10), wobei die zweite Hauptfläche (90) von der ersten dielektrischen Schicht (10) unbedeckt ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2018177807A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/EP2018/057001

申请日：2018-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  RAFAEL, Christine ,  TÅNGRING, Ivar

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.

公开(公告)号：WO2018041641A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2017/070853

申请日：2017-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  RAFAEL, Christine ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer darauf angeordneten Halbleiterschichtenfolge (10) erfolgt, welche zur Emission von Licht geeignet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) zumindest einen Trenngraben (3) umfasst, welcher sich zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge (10) von einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10) in Richtung des Aufwachssubstrats (2) erstreckt. In einem Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen einer Lackstruktur (4) im Trenngraben (3). In einem Verfahrensschritt C) erfolgt ein Anordnen eines Vergusses (6) auf der dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass der Verguss (6) mit zumindest einem Teil der Lackstruktur (4) seitlich in Kontakt ist.

Abstract translation:

它提供了一种用于制造光电子半导体器件，其特征在于，在方法步骤A）提供（2），其具有设置在其上的半导体层序列（10），其适合于发射光的生长衬底的方法， 其中半导体层序列（10）包括（3）通过半导体层序列（10）至少部分地延伸从生长衬底（2）侧（10a）的背向至少一个划界沟槽，所述的在生长衬底的方向半导体层序列（10）（2）。 在方法步骤B）中，在分离槽（3）中布置漆结构（4）。 在方法步骤C）上设置灌封化合物（6）在（背向生长衬底2）开出半导体层序列（10）的地方侧（10A），使得所述封装（6）与至少（在接触的一侧的抗蚀剂图案4）的一部分 是

公开(公告)号：WO2017072074A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/075555

申请日：2016-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN, Berthold ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), wobei die aktive Schicht (10) dazu eingerichtet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Weiter umfasst das Bauelement (100) eine erste Kontaktstruktur (11) und eine zweite Kontaktstruktur (12), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch kontaktierbar ist. Im Betrieb sind die Kontaktstrukturen (11, 12) mit einer Spannung beaufschlagt, wobei sich eine betriebsbedingte Spannungsdifferenz ΔU bet zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) ausbildet. Bei Erhöhung der Spannungsdifferenz tritt ein erster Überschlag in oder an dem Bauelement (100) zwischen den beiden Kontaktstrukturen (11, 12) auf. Eine bei dem ersten Überschlag entstehende Funkenstrecke (3) zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) verläuft dabei überwiegend durch ein Umgebungsmedium in Form von Gas oder Vakuum und/oder durch einen Verguss. Der erste Überschlag tritt frühestens bei einer Spannungsdifferenz von 2∙ΔU bet auf.

Abstract translation: 一种光电子器件（100）包括具有有源层（10）的半导体层序列（1），其中有源层（10）适于在正常操作期间产生电磁辐射 或吸收。 此外，部件（100）包括第一接触结构（11）和第二接触结构（12），半导体层序列（1）可以在期望的操作期间通过该第一接触结构和第二接触结构电接触。 在操作中，接触结构（11,12）经受电压，其中在接触结构（11,12）之间形成操作电压差ΔUmin。 随着电压差增大，第一翻转发生在两个接触结构（11,12）之间的装置（100）中或上。 在第一转向过程中在接触结构（11,12）之间出现的火花隙（3）主要通过气体或真空形式的环境介质和/或通过灌封。 第一次翻转最早出现在电压差为2？ΔU _{bet 的地方。}

公开(公告)号：WO2017032746A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/EP2016/069811

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0896 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3202 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/564

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, umfassend einen Träger (2), welcher einen Formkörper umfasst, einen lichtemittierenden Halbleiterkörper (3) mit einem ersten Segment (30) und einem zweiten Segment (31). Weiterhin umfasst das optoelektronische Bauelement (1) eine elektrische Leiterbahn (4a), welche auf einer dem Träger (2) zugewandten Seite (3b) des lichtemittierenden Halbleiterkörpers (3) auf dem ersten Segment (30) und auf dem zweiten Segment (31) angeordnet ist, und eine erste elektrische Verbindungsstruktur (5a) und eine zweite elektrische Verbindungsstruktur (5b), welche jeweils das erste Segment (30) und das zweite Segment (31) elektrisch miteinander verbinden und mittels der elektrischen Leiterbahn (4a) elektrisch miteinander verbunden sind, wobei das erste Segment (30) und das zweite Segment (31) antiparallel verschaltet sind, wobei die erste elektrische Verbindungsstruktur (5a), die zweite elektrische Verbindungsstruktur (5b) und die elektrische Leiterbahn (4a) vom Formkörper vollständig bedeckt sind.

Abstract translation: 这是上述的光电子器件（1），包括一个支撑件（2），其包括一个成形体，发光半导体主体（3），其具有第一区段（30）和第二段（31）。 此外，光电子器件（1）包括电导体（4a）中，其在朝向载体的一侧（2）侧的第2段（31），其设置（3b）的所述第一区段的半导体发光体（3）的（30）和 和第一电互连结构（5a）和第二电互连结构（图5B），这是在每种情况下，第一区段（30）和所述第二段（31）相互之间以及通过电导体片（4a）的是电连接至彼此电连接， 其中所述第一段（30）和所述第二段（31）反并联连接，所述第一电气互连结构（5a）中，所述第二电互连结构（5b）和所述电导体（4a）中完全被形体覆盖。

公开(公告)号：WO2017009332A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066526

申请日：2016-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben. Der Halbleiterkörper weist zumindest ein erstes Segment (210) und ein zweites Segment (220) auf, wobei die Segmente gleichartig aufgebaut sind. Der Träger enthält einen Formkörper (5) aus einem elektrisch isolierenden Kunststoff und eine Metallschicht (4), wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) aufweist und sich mindestens einer der Teilbereiche (41, 42) in der vertikalen Richtung durch den Formkörper hindurch zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers erstreckt. Das erste und zweite Segment sind in lateraler Richtung voneinander räumlich beabstandet und über eine Verbindungsstruktur (43) miteinander elektrisch leitend verbunden, wobei die Verbindungsstruktur, der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich an den Formkörper angrenzen und auf derselben Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von solchen Bauelements angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了包括支撑装置（100）（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2）。 该半导体主体包括至少一个第一区段（210）和第二段（220），其中所述段具有相同的结构。 该载体包括由电绝缘的塑料和金属层（4）的成型体（5），其中所述金属层包括在所述第一部分（41）和第二部分（42）和所述部分区域中的至少一个（41，42） 垂直方向通过所述模体穿过其中用于半导体本体的电接触延伸。 所述第一和第二区段间隔开在横向方向上彼此在空间和一个连接结构（43）导电地连接，其中所述连接结构中，所述第一部分和邻近于所述成型体和设置在所述半导体主体的同一侧的第二部分。 此外，提供了一种用于生产一种或多个这样的装置的设置的方法。

公开(公告)号：WO2017009085A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/065714

申请日：2016-07-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem p-Typ Halbleiterbereich (3), einem n-Typ Halbleiterbereich (5) und einer zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (3) und dem n-Typ Halbleiterbereich (5) angeordnetenaktiven Schicht (3) aufweist, - einen Träger (1), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, - eine p-Anschlussschicht (7) und eine n-Anschlussschicht (8), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, wobei die p- Anschlussschicht (7) die erste Durchkontaktierung (11) mit dem p-Typ Halbleiterbereich (3) verbindet und die n- Anschlusssicht (8, 8A) die zweite Durchkontaktierung (12) mit dem n-Typ Halbleiterbereich (5) verbindet, und - ein ESD-Schutzelement (15), daszwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei das ESD- Schutzelement (15) mit der ersten Durchkontaktierung (11) und der zweiten Durchkontaktierung (12) elektrisch leitend verbunden ist, und wobei eine Durchlassrichtung des ESD-Schutzelements (15) antiparallel zu einer Durchlassrichtung der Halbleiterschichtenfolge (2) ist.

Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - 一个半导体主体（1）具有与p型半导体区域的半导体层序列（2）（3），n型半导体区域（5）和一个p型半导体区域（3）之间 和n型半导体区域（5），其布置在所述活性层（3）， - （1），具有塑料和通过（11）的第一和通过（12）的第二，支撑 - p接触层（7 ）和n型接触层（8），其被布置成至少在区域（载体10之间）和半导体本体（1），其中，所述p接触层（7），通过（11第一）与p型半导体区域（3 ）连接，并且所述n端口概述（8，8A），其连接第二通路（12表示）与n型半导体区域（5），以及 - 一个ESD保护元件（15），所述载体（10）和半导体本体daszwischen（1 设置），其中所述 ESD保护元件（15）通过（11）所述第一和通过（12）所述第二导电连接，并且其中，所述ESD保护元件（15）的通道方向是反平行于该半导体层序列的向前方向（2）。