公开(公告)号：DE10239045A1

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：DE10239045

申请日：2002-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KARNUTSCH CHRISTIAN ,  STREUBEL KLAUS ,  STAUSS PETER

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: In a method of fabricating a radiation-emitting semiconductor chip based on AlGaInP, comprising the method steps of preparing a substrate, applying to the substrate a semiconductor layer sequence comprising a photon-emitting active layer, and applying a transparent decoupling layer comprising(Ga x (In y Al 1-y ) 1-x P wherein 0.8

公开(公告)号：DE112014002779B4

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE112014002779

申请日：2014-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  ROHDE PATRICK

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Siliziumoberfläche,- Aufwachsen einer Pufferschicht (2), die AlxInyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist, auf die Siliziumoberfläche,- Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Pufferschicht (2), wobei- die Pufferschicht (2) eine derart variierende Materialzusammensetzung aufweist, dass eine laterale Gitterkonstante der Pufferschicht (2) in einem ersten Bereich (2a) schrittweise oder kontinuierlich zunimmt und in einem zweiten Bereich (2b), der dem ersten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, und- die Pufferschicht (2) an einer Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge (3) eine kleinere laterale Gitterkonstante aufweist als eine an die Pufferschicht (2) angrenzende Halbleiterschicht (4) der Halbleiterschichtenfolge (3),- wobei das Nitridverbindungshalbleiter-Bauelement ein optoelektronisches Bauelement ist, und die Halbleiterschichtenfolge (3) eine Leuchtdiodenschichtenfolge ist, die eine aktive Schicht (5) aufweist.

公开(公告)号：DE112015001803A5

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：DE112015001803

申请日：2015-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRECHSEL PHILIPP ,  BERGBAUER WERNER ,  OFF JÜRGEN ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/32

公开(公告)号：DE102013114203A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102013114203

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRAI ASAKO ,  STAUSS PETER ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01L21/673 ,  C23C14/50 ,  H01L21/20

Abstract: Es wird ein Waferträger (1), der für einen Epitaxieprozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen vorgesehen ist, mit einem Grundkörper (2) und einer auf dem Grundkörper aufgebrachten Beschichtung (3) angegeben, wobei die Beschichtung (3) Bornitrid enthält. Des Weiteren werden ein Reaktor, der stellenweise mit Bornitrid beschichtet ist, sowie ein Verfahren zur Messung von Temperaturen während eines Epitaxieprozesses angegeben, wobei die Temperatur an einer mit Bornitrid beschichteten Messstelle gemessen wird.

公开(公告)号：DE10329515A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：DE10329515

申请日：2003-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  PIETZONKA INES ,  STAUSS PETER ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: A semiconductor layer row (8) having electromagnetic radiation discharging zone and outer layer (7) with n-conductivity type aluminum gallium indium phosphide (AlGaInP) or aluminum gallium indium arsenide (AlGaInAs) base, is formed by epitaxial growth. An electric contact (2) made of gold doped with germanium (Ge), silicon (Si), tin (Sn) or tellurium (Te) is adhered on outer layer and the outer layer is tempered. An independent claim is also included for thin-film LED.

公开(公告)号：DE10308322A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH ,  STEIN WILHELM ,  PIETZONKA INES ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L21/283

Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

公开(公告)号：DE102004004780A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  STAUSS PETER ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.

公开(公告)号：DE102015104700A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102015104700

申请日：2015-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/14

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

公开(公告)号：DE112014002779A5

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE112014002779

申请日：2014-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ROHDE PATRICK ,  BERGBAUER WERNER ,  STAUSS PETER ,  DRECHSEL PHILIPP

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：DE112014000633A5

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：DE112014000633

申请日：2014-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12