Abstract:
본 발명은 작업물 (W) 의 도금 처리를 위한 수직 시스템에 관한 것으로, 상기 수직 시스템은, 적어도 2 개의 처리 모듈 (100), 및 적어도 하나의 작업물 (W) 을 처리 모듈 (100) 로 이송하여 이 작업물 (W) 을 처리 모듈 (100) 의 유지 장치 (130) 로 전달하기 위한 적어도 하나의 운반 장치를 포함한다. 처리 모듈 (100) 에는 작업물 (W) 을 위한 유지 장치 (130) 가 제공된다. 운반 장치는 적어도 하나의 각각의 체결 장치 (20, 30) 에 의해 작업물 (W) 을 유지시키는 적어도 하나의 파지 장치 (10) 를 포함한다. 각각의 체결 장치 (20, 30) 는 작업물 (W) 의 일 측부와 각각 연관되는 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 및 제 2 클램핑 장치 (26) 를 포함한다. 작업물 (W) 의 제 1 측부와 연관되는 적어도 하나의 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 는, 작업물 (W) 의 제 1 측부의 위치가 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 에 의해 규정될 수 있도록 구성 및 배치된다. 작업물 (W) 의 제 2 측부와 연관되는 적어도 하나의 제 2 클램핑 장치 (26) 는 클램핑력이 상기 클램핑 장치에 의해 작업물 (W) 에 가해질 수 있도록 구성 및 배치된다. 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 및 제 2 클램핑 장치 (26) 의 양자는 이동가능하다. 본 발명에 따르면, 파지 장치 (10) 는, a) 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 가 접촉 위치를 점유하고, 따라서 작업물 (W) 의 제 1 측부의 위치가 규정되도록 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 를 이동시키는 단계, 및 b) 제 2 클램핑 장치 (26) 가 클램핑 위치를 점유하고, 따라서 작업물 (W) 은 적어도 하나의 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 와 함께 클램핑되도록 제 2 클램핑 장치 (26) 를 이동시키는 단계에 의해 구동된다. 이렇게 함에 있어서, 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 는, 제 2 클램핑 장치 (26) 가 클램핑 위치를 점유하기 전에 접촉 위치를 점유한다.
Abstract:
본 발명은, 2가 황을 포함하는 유기 화합물을 포함하지 않는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층이 성막되는 무광 구리 코팅의 성막 방법에 관한 것이다. 그 후에, 제 2 구리 층이, 제 1 및 제 2 수용성 황 함유 첨가물을 포함하는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층 상에 성막되고, 제 1 수용성 황 함유 화합물은 알킬 술폰산 유도체이고 제 2 수용성 황 함유 첨가물은 방향족 술폰산 유도체이다. 본 방법은, 장식 용도를 위한 균일하고 조정가능한 무광 외관을 갖는 구리 층들을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 수성 조성물 및 구리 및 구리 합금의 에칭 방법에 관한 것이다. 상기 수성 조성물은 Fe 3 + 이온, 산 및 N-알콕실화 폴리아미드를 포함한다. 상기 수성 조성물은 인쇄 회로 기판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조물을 제조하는데 있어서 특히 유용하다.
Abstract:
본 발명은 Fe(II) / Fe(III) 산화 환원계 및 황 함유 유기 첨가제를 함유하는 에칭 용액을 적용하는, 평활 구리 표면이 남겨진 회로 구조물로부터 원치 않는 구리를 효과적으로 제거하는 방식으로 구리 또는 구리 합금의 웨이퍼 기판 또는 인쇄 회로판 상의 회로 구조물을 에칭하는 개선된 방법에 관한 것이다. 상기 용액은 또한 에칭에 앞서 구리를 도금하는데 적용될 수 있다는 점이 본 발명의 이점이다.
Abstract:
인쇄 회로 판, IC 기판, 칩 패키지 등의 제조를 위한 복합재 빌드업 재료가 개시된다. 복합재 빌드업 재료는 마이크로칩과 같은 능동 소자를 임베딩하는데 적합하다. 복합재 빌드업 재료는 캐리어 층 (1), 보강재를 갖는 수지 층 (2) 및 보강재를 갖는 수지 층 (3) 을 포함한다. 능동 소자 (6) 는 상기 보강재를 갖지 않는 수지 층 (6) 속에 임베딩된다.
Abstract:
본 발명은 아연, 마그네슘, 알루미늄 또는 이들의 합금 중 하나로 이루어지는 표면을 갖는 기판용 부식 방지 코팅을 제조하는 방법에 관한 것으로, 처리될 표면은 크롬 (Ⅲ) 이온을 포함하는 2 개의 수성 처리 용액, 처리될 기판 표면의 금속 이온 및 적어도 하나의 착화제로 직접 연속적으로 접촉된다. 제 1 처리 용액은 1.0 ~ 4.0 의 범위의 pH 를 가지고, 제 2 처리 용액은 3.0 ~ 12.0 의 pH 를 가진다. 본 발명의 방법은 중금속으로 오염된 폐수의 보다 적은 양을 생산한다.
Abstract:
기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법으로서, i) 적어도 하나의 내부 층 콘택트 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, ii) 상기 적어도 하나의 콘택트 영역을 포함하는 전체 기판 영역을 상기 기판 표면 상의 전도성 층을 제공하는데 적합한 용액과 접촉시키는 단계, iii) 패턴화된 레지스트 층을 형성하는 단계, iv) 상기 내부 층 콘택트 영역 상에 주석 또는 주석 합금을 함유하는 솔더 성막 층을 전기도금하는 단계, v) 패턴화된 레지스트 층을 제거하는 단계, vi) 기판 표면 상에 솔더 레지스트 개구들을 갖는 솔더 레지스트 층을 형성하는 단계를 포함하는, 그 기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법이 개시된다.
Abstract:
인쇄 회로판의 제조 과정에서 구리 또는 구리 합금의 마이크로 에칭을 위한 조성물 및 상기 조성물을 적용하는 방법을 개시한다. 상기 조성물은 구리 염, 할로겐화물 이온 공급원, 완충계 및 에칭 리파이너인 벤조티아졸 화합물을 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법은 특히