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公开(公告)号：KR101526022B1
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020097025383
申请日：2008-06-03
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H01L21/67086 , B01F11/0014 , B01F11/0082 , B01F2215/004 , B01F2215/0096 , H01L21/67023 , H01L21/67057 , H05K3/0085 , H05K2203/0292 , H05K2203/0746 , H05K2203/1509 , H05K2203/1572
Abstract: 판형생산물 (W) 의표면에걸쳐균일한유동을보장하기위해서, 그안에배치되는판형생산물 (W) 의습식화학처리를위한처리장치 (100) 가제공된다. 이처리장치는적어도하나의패들형유동요소 (155) 를각각포함하는적어도하나의유동부재 (150) 를구비하고, 적어도하나의유동부재 (150) 는판형생산물 (W) 의표면에대향하여배치되고판형생산물 (W) 의표면에대해실질적으로평행하게이동할수 있다.
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公开(公告)号：KR101522154B1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020147027023
申请日：2013-02-06
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/387 , C23C18/1653 , C23C18/2006 , C23C18/2066 , C23C18/30 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D3/38 , C25D5/022 , C25D5/56 , C25D7/00 , C25D7/06 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K3/389 , H05K3/421 , H05K3/4644 , H05K2203/0789 , H05K2203/0793 , H05K2203/0796
Abstract: 본발명은인쇄회로판, IC 기판등의제조에서미세라인회로의제조방법에관한것이다. 본방법은, 빌드업층의매끄러운표면상의제 1 전도성층 및그 제 1 전도성층을성막한후에형성된적어도하나의개구의조면화된벽들상의전기전도성폴리머, 콜로이드귀금속및 전기전도성탄소입자들로부터선택된제 2 전도성층을이용한다.
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公开(公告)号：KR101520982B1
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020107000024
申请日：2008-06-03
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은 작업물 (W) 의 도금 처리를 위한 수직 시스템에 관한 것으로, 상기 수직 시스템은, 적어도 2 개의 처리 모듈 (100), 및 적어도 하나의 작업물 (W) 을 처리 모듈 (100) 로 이송하여 이 작업물 (W) 을 처리 모듈 (100) 의 유지 장치 (130) 로 전달하기 위한 적어도 하나의 운반 장치를 포함한다. 처리 모듈 (100) 에는 작업물 (W) 을 위한 유지 장치 (130) 가 제공된다. 운반 장치는 적어도 하나의 각각의 체결 장치 (20, 30) 에 의해 작업물 (W) 을 유지시키는 적어도 하나의 파지 장치 (10) 를 포함한다. 각각의 체결 장치 (20, 30) 는 작업물 (W) 의 일 측부와 각각 연관되는 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 및 제 2 클램핑 장치 (26) 를 포함한다. 작업물 (W) 의 제 1 측부와 연관되는 적어도 하나의 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 는, 작업물 (W) 의 제 1 측부의 위치가 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 에 의해 규정될 수 있도록 구성 및 배치된다. 작업물 (W) 의 제 2 측부와 연관되는 적어도 하나의 제 2 클램핑 장치 (26) 는 클램핑력이 상기 클램핑 장치에 의해 작업물 (W) 에 가해질 수 있도록 구성 및 배치된다. 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 및 제 2 클램핑 장치 (26) 의 양자는 이동가능하다. 본 발명에 따르면, 파지 장치 (10) 는, a) 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 가 접촉 위치를 점유하고, 따라서 작업물 (W) 의 제 1 측부의 위치가 규정되도록 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 를 이동시키는 단계, 및 b) 제 2 클램핑 장치 (26) 가 클램핑 위치를 점유하고, 따라서 작업물 (W) 은 적어도 하나의 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 와 함께 클램핑되도록 제 2 클램핑 장치 (26) 를 이동시키는 단계에 의해 구동된다. 이렇게 함에 있어서, 제 1 클램핑 장치 (25, 35) 는, 제 2 클램핑 장치 (26) 가 클램핑 위치를 점유하기 전에 접촉 위치를 점유한다.
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公开(公告)号：KR1020140119123A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020147022888
申请日：2012-11-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은, 2가 황을 포함하는 유기 화합물을 포함하지 않는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층이 성막되는 무광 구리 코팅의 성막 방법에 관한 것이다. 그 후에, 제 2 구리 층이, 제 1 및 제 2 수용성 황 함유 첨가물을 포함하는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층 상에 성막되고, 제 1 수용성 황 함유 화합물은 알킬 술폰산 유도체이고 제 2 수용성 황 함유 첨가물은 방향족 술폰산 유도체이다. 본 방법은, 장식 용도를 위한 균일하고 조정가능한 무광 외관을 갖는 구리 층들을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140091689A
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020147011962
申请日：2012-11-08
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/46 , C23F1/44 , H05K3/06 , H01L21/3213
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/44 , C23F1/46 , C25D5/34 , H01L21/32134 , H05K3/067 , H05K3/108 , H05K2203/0789
Abstract: 본 발명은 수성 조성물 및 구리 및 구리 합금의 에칭 방법에 관한 것이다. 상기 수성 조성물은 Fe
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+ 이온, 산 및 N-알콕실화 폴리아미드를 포함한다. 상기 수성 조성물은 인쇄 회로 기판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조물을 제조하는데 있어서 특히 유용하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140018086A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020127031537
申请日：2011-05-31
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18
CPC classification number: H05K3/22 , C23F1/18 , C25D3/38 , C25D5/48 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/7684 , H05K3/067 , H05K3/107 , H05K3/18
Abstract: 본 발명은 Fe(II) / Fe(III) 산화 환원계 및 황 함유 유기 첨가제를 함유하는 에칭 용액을 적용하는, 평활 구리 표면이 남겨진 회로 구조물로부터 원치 않는 구리를 효과적으로 제거하는 방식으로 구리 또는 구리 합금의 웨이퍼 기판 또는 인쇄 회로판 상의 회로 구조물을 에칭하는 개선된 방법에 관한 것이다. 상기 용액은 또한 에칭에 앞서 구리를 도금하는데 적용될 수 있다는 점이 본 발명의 이점이다.
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公开(公告)号：KR1020130140655A
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020137008255
申请日：2011-10-21
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/03 , H01L23/145 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/185 , H05K3/00 , H05K3/4673 , H05K2201/0195 , H05K2201/029 , H05K2203/1469 , Y10T156/10 , Y10T428/24967 , H01L2924/00
Abstract: 인쇄 회로 판, IC 기판, 칩 패키지 등의 제조를 위한 복합재 빌드업 재료가 개시된다. 복합재 빌드업 재료는 마이크로칩과 같은 능동 소자를 임베딩하는데 적합하다. 복합재 빌드업 재료는 캐리어 층 (1), 보강재를 갖는 수지 층 (2) 및 보강재를 갖는 수지 층 (3) 을 포함한다. 능동 소자 (6) 는 상기 보강재를 갖지 않는 수지 층 (6) 속에 임베딩된다.
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公开(公告)号：KR1020130109938A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020127030938
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C09D5/08 , C23C22/362 , C23C22/73 , C23C2222/10 , C25D5/36 , C25D11/38 , C23C22/05
Abstract: 본 발명은 아연, 마그네슘, 알루미늄 또는 이들의 합금 중 하나로 이루어지는 표면을 갖는 기판용 부식 방지 코팅을 제조하는 방법에 관한 것으로, 처리될 표면은 크롬 (Ⅲ) 이온을 포함하는 2 개의 수성 처리 용액, 처리될 기판 표면의 금속 이온 및 적어도 하나의 착화제로 직접 연속적으로 접촉된다. 제 1 처리 용액은 1.0 ~ 4.0 의 범위의 pH 를 가지고, 제 2 처리 용액은 3.0 ~ 12.0 의 pH 를 가진다. 본 발명의 방법은 중금속으로 오염된 폐수의 보다 적은 양을 생산한다.
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公开(公告)号：KR1020130084652A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：KR1020137000262
申请日：2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2924/00015 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/1134 , H01L23/488 , H01L23/481 , H01L23/498
Abstract: 기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법으로서, i) 적어도 하나의 내부 층 콘택트 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, ii) 상기 적어도 하나의 콘택트 영역을 포함하는 전체 기판 영역을 상기 기판 표면 상의 전도성 층을 제공하는데 적합한 용액과 접촉시키는 단계, iii) 패턴화된 레지스트 층을 형성하는 단계, iv) 상기 내부 층 콘택트 영역 상에 주석 또는 주석 합금을 함유하는 솔더 성막 층을 전기도금하는 단계, v) 패턴화된 레지스트 층을 제거하는 단계, vi) 기판 표면 상에 솔더 레지스트 개구들을 갖는 솔더 레지스트 층을 형성하는 단계를 포함하는, 그 기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1020130075729A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020127027382
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 인쇄 회로판의 제조 과정에서 구리 또는 구리 합금의 마이크로 에칭을 위한 조성물 및 상기 조성물을 적용하는 방법을 개시한다. 상기 조성물은 구리 염, 할로겐화물 이온 공급원, 완충계 및 에칭 리파이너인 벤조티아졸 화합물을 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법은 특히
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