公开(公告)号：KR1020140083266A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020120152813

申请日：2012-12-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  이근우 ,  신현범 ,  성호근 ,  강호관 ,  고철기

IPC: B29C59/02 ,  C23C28/04 ,  B82B3/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0046 ,  B82B3/00 ,  C23C30/00

Abstract: The present invention relates to a method for forming an aligned metal oxide nanostructure. The method for the aligned metal oxide nanostructure using an imprint lithography process or a KrF stepper, a KrF scanner, an i-line stepper, and an i-line scanner comprises: forming a metal oxide seed layer on a substrate; forming a resin pattern layer by the imprinting process; and exposing the metal oxide seed layer through a dry etching process or exposing the metal oxide seed layer by forming the resin pattern layer using the KrF stepper, the KrF scanner, the i-line stepper, and the i-line scanner to develop the metal oxide nanostructure from the metal oxide seed layer using a hydrothermal synthesis method. So the present invention has the advantage of making metal nanostructure of various shapes, sizes, and patterning; providing at a relatively low price; facilitating an alignment of large-scaled metal oxide nanostructure; preventing adhesion or deformation of the metal oxide nanostructure; and enabling an uniform formation and alignment of the nanostructure.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成对准的金属氧化物纳米结构的方法。 使用压印光刻工艺或KrF步进器，KrF扫描仪，i线步进机和i线扫描仪的对准的金属氧化物纳米结构的方法包括：在衬底上形成金属氧化物种子层; 通过印刷工艺形成树脂图案层; 并通过干式蚀刻工艺使金属氧化物种子层暴露或通过使用KrF步进器，KrF扫描器，i线步进器和i线扫描器形成树脂图案层来暴露金属氧化物晶种层，以开发金属 氧化物纳米结构由金属氧化物种子层采用水热合成法。 因此，本发明具有制造各种形状，尺寸和图案化的金属纳米结构的优点; 以相对较低的价格提供; 促进大规模金属氧化物纳米结构的排列; 防止金属氧化物纳米结构的粘合或变形; 并且能够均匀地形成和取向纳米结构。

公开(公告)号：KR101345109B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020110073391

申请日：2011-07-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  강호관 ,  윤홍민 ,  신현범 ,  성호근 ,  이종근 ,  고철기

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은기판또는박막에고분자층 및패터닝된감광성금속-유기물전구체층을형성하여박막의식각선택비에따른식각으로언더컷(Undercut)을형성하고, 3차원구조의나노구조체제조를위한금속또는금속산화막증착시 기판의회전유무를조절하여 3차원구조의나노구조체를제조하는임프린트리소그래피와리프트오프공정을이용한 3차원구조의정렬된나노구조체및 그제조방법에관한것으로, 임프린트리소그래피(Imprint Lithography) 공정과리프트오프(Lift-Off) 공정을이용하여 3차원형태의금속또는금속산화막나노구조체를제조하는방법에있어서, 기판에고분자층을형성하는단계, 고분자층 상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계, 패턴(Pattern)이형성된임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를준비하는단계, 감광성금속-유기물전구체층을임프린트용스탬프(Imprint Stamp)로가압하고, 가열또는빛 조사방법중 어느하나또는혼용한방법으로감광성금속-유기물전구체층을경화하여패턴층을형성하는단계, 임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를패턴층으로부터제거하는단계, 건식식각으로패턴층하부의고분자층을식각하여, 기판이노출되도록언더컷(Undercut)을형성하는단계, 패턴층상부또는노출된기판의상부에전자빔 증착기를이용하여금속또는금속산화막을형성하는단계및 용매를이용하여패턴층을리프트오프(Lift-Off)하여나노구조체를취득하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101296281B1

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：KR1020110118674

申请日：2011-11-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  송근만 ,  신현범 ,  신찬수 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/20 ,  B29C59/06 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O
2 가스에 대한 에칭 저항성 레진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시� ��는 단계를 포함함으로써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101249933B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020110076919

申请日：2011-08-02

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김창환 ,  박형호 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 감광성 금속-유기물 전구체의 열처리에 의해 패턴의 선폭 및 깊이 변경이 용이한 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용한 마이크로-나노 하이브리드 스탬프 및 그 제조방법에 관한 것으로, ㎛ 또는 ㎚ 크기 단위로 패턴이 형성된 기판을 제공하는 단계, 패턴이 형성된 기판에 감광성 금속-유기물 전구체를 도포하는 단계, 몰드로 기판에 도포된 감광성 금속-유기물 전구체를 가압하여, 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층에서 건식 또는 습식 식각으로 몰드를 제거하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층을 건식 또는 습식 식각하여, 기판 영역과 패턴 영역을 평탄화하는 단계, 패턴 영역에 매립된 금속-유기물 전구체층을 열처리하여, 패턴 영역에 ㎚ 크기 단위의 금속산화박막 패턴이 형성된 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 취득하는 단계, 폴리머로 이루어진 스탬프용 기판을 제공하는 단계, 스탬프용 기판 상부에 자외선 경화 수지(UV Curable Resin)를 증착 또는 코팅하는 단계, 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용해 자외선 경화 수지(UV Curable Resin) 상부에 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 형성하여 마이크로-나노 하이브리드 스탬프를 취득하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101205826B1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：KR1020100056268

申请日：2010-06-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  유승환 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기 ,  정상현 ,  신현범 ,  송호영 ,  장민철

IPC: B29C33/38 ,  B29C35/08 ,  B29C43/02

Abstract: 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.

公开(公告)号：KR1020130012291A

公开(公告)日：2013-02-04

申请号：KR1020110073391

申请日：2011-07-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  강호관 ,  윤홍민 ,  신현범 ,  성호근 ,  이종근 ,  고철기

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82B3/0038 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A 3-dimensional aligned nanostructure prepared by both imprint lithography and lift-off processes is provided to have a uniform size, various shape and constant arrangement by controlling the ratio of dry etching. CONSTITUTION: A manufacturing method a 3-dimensional aligned nanostructure comprises: a step of forming a polymer layer(102) on a substrate(101); a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer on the upper part of the polymer layer; a step of preparing an imprint stamp; a step of pressurizing the photosensitive metal-organic precursor layer by the imprint stamp; and a step of forming a metal oxide thin-film pattern(105)by hardening the metal-organic precursor layer; a step of removing the imprint stamp from the metal oxide thin film pattern; a step of forming an undercut(106) by etching the polymer layer; a step of forming a metal oxide film(107); and a step of lift-offing the metal oxide thin film pattern and etching the polymer layer with an under cut.

Abstract translation: 目的：通过压印和剥离工艺制备的三维对准的纳米结构通过控制干蚀刻的比例来提供均匀的尺寸，各种形状和恒定的布置。 构成：三维排列纳米结构体的制造方法包括：在基板（101）上形成聚合物层（102）的步骤; 在聚合物层的上部形成感光性金属 - 有机材料前体层的工序; 制作印记邮票的步骤; 通过压印印模对感光金属 - 有机前体层加压的步骤; 以及通过硬化所述金属 - 有机前体层形成金属氧化物薄膜图案（105）的步骤; 从所述金属氧化物薄膜图案去除所述压印印模的步骤; 通过蚀刻聚合物层形成底切（106）的步骤; 形成金属氧化物膜（107）的步骤; 以及剥离金属氧化物薄膜图案并用下切割蚀刻聚合物层的步骤。

公开(公告)号：KR1020110081385A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001525

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박용민 ,  김창주 ,  박상혁 ,  김신근 ,  성호근 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.

Abstract translation: 目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极 。 构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。 通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。 底部电极（270）形成在N型衬底上。 顶电极（260）形成在光伏电池上。

公开(公告)号：KR100991986B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020080103477

申请日：2008-10-22

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  강호관 ,  신현범 ,  김창주 ,  전영진

IPC: H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 태양전지가 개시된다. 제1 광전변환층은 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 제2 광전변환층은 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층의 전단에 배치되며, 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 집광장치는 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 배치되며, 제2 광전변환층을 통과한 태양광이 제1 광전변환층을 향하도록 태양광을 집속한다. 본 발명에 따르면, 태양광의 진행 경로상 집광장치의 전단에 배치된 광전변환층에서는 짧은 파장을 갖는 태양광을 흡수하고, 후단에 배치된 광전변환층에서는 긴 파장을 갖는 태양광을 흡수하므로 발열이 완화된다. 또한, 산란 후 재입사하는 태양광을 흡수할 수 있으므로, 효율 향상을 도모할 수 있게 되고, 각각의 광전변환층에서 특정한 파장 대역만을 흡수하므로 색수차가 덜 발생하게 된다.
태양전지, 턴뎀, 집광장치, 색수차

公开(公告)号：KR102060989B1

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：KR1020170122622

申请日：2017-09-22

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  강호관 ,  김창주 ,  신현범 ,  김영조 ,  김강호 ,  김현성 ,  박형호 ,  최재혁 ,  신찬수

IPC: H01L31/16 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/072

公开(公告)号：KR101711551B1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020150033954

申请日：2015-03-11

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  박형호 ,  김창환 ,  임웅선 ,  강호관 ,  최재혁 ,  박원규 ,  성호근 ,  신현범 ,  박경호 ,  이재진

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。