公开(公告)号：KR1020100063694A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020107000890

申请日：2008-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  야마모토카오루 ,  다가사토시

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  Y10T137/8158 ,  Y10T137/8376

Abstract: Provided is a raw gas supply system (6) for supplying a raw gas to a gas using system (2) set in a pressure-reduced atmosphere. The system comprises a material tank (40) for reserving a liquid material or a solid material, a material passage (46) connected at its one end to the material tank and at its other end to the gas using system, a carrier gas supply mechanism (54) for supplying a carrier gas to the inside of the material tank, ON/OFF valves (48 and 50) disposed midway of the material passage, a heater (64) for heating the material passage and the ON/OFF valves, and a temperature control unit (92) for controlling the heater. The material passage and the ON/OFF valves are formed of a metal material having an excellent heat conductivity.

Abstract translation: 设置有用于将原料气体供给到设置在减压气氛中的气体使用系统（2）的原料气体供给系统（6）。 该系统包括用于储存液体材料或固体材料的材料罐（40），其一端连接到材料罐并且在另一端连接到气体使用系统的材料通道（46），载气供应机构 （54），用于向所述材料罐的内部供给载气，设置在所述材料通道的中途的开/关阀（48和50），用于加热所述材料通道和所述通/断阀的加热器（64），以及 用于控制加热器的温度控制单元（92）。 材料通道和ON / OFF阀由具有优异导热性的金属材料形成。

公开(公告)号：KR1020090129444A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020097020116

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  요코야마오사무 ,  다나카도시마사 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: A gas supply method in which a solid raw material in a raw material container is heated and vaporized to produce raw material gas to be supplied to a consuming area. The gas supply method has a step (a) of causing carrier gas to flow to a processing gas supply path that communicates with the consuming area and measuring gas pressure in the processing gas supply path; a step (b) of heating the solid raw material contained in the raw material container to produce the raw material gas; a step (c) of supplying carrier gas which has the same flow rate as the carrier gas in the step (a) to the raw material container and measuring gas pressure in the processing gas supply path while causing the raw material gas together with the carrier gas to flow to the processing gas supply path; and a step (d) of calculating the flow rate of the raw material gas based on the pressure measurement value obtained in the step (a), the pressure measurement value obtained in the step (c), and the flow rate of the carrier gas.

Abstract translation: 将原料容器内的固体原料加热蒸发以产生供给到消耗区域的原料气体的气体供给方法。 气体供给方法具有使载气流入与消耗区域连通的处理气体供给路径并测量处理气体供给路径中的气体压力的步骤（a） （b）加热包含在原料容器中的固体原料以生产原料气体; 将与步骤（a）中的载气相同流量的载气供给到原料容器并测量处理气体供给路径中的气体压力同时使原料气体与载体一起的步骤（c） 气体流到处理气体供应路径; 以及步骤（d），其基于步骤（a）中获得的压力测量值，步骤（c）中获得的压力测量值和载气的流量来计算原料气体的流量 。

公开(公告)号：KR1020080106572A

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020087024696

申请日：2008-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  요코야마오사무 ,  다가사토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: A method of forming a film, comprising feeding vapor-phase molecules of a metallic carbonyl material onto a surface of substrate to be treated and decomposing them in the vicinity of the surface of substrate to be treated so as to deposit a metal film on the substrate surface, wherein in the deposition of metal layer on the surface of substrate to be treated, there is provided an operation for preferential decomposition of the metallic carbonyl material in an area adjacent to the peripheral portion of the substrate to thereby, in the vicinity of the peripheral portion of the substrate, locally increase the CO concentration of the atmosphere and suppress the deposition of metal film on the peripheral portion. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将金属羰基材料的气相分子进料到待处理的基板的表面上并在待处理的基板的表面附近分解，以便在基板上沉积金属膜 表面，其中在金属层沉积在待处理的基板的表面上时，提供了在与基板的周边部分相邻的区域中优选分解金属羰基材料的操作，从而在 衬底的周边部分局部地增加大气的CO浓度，并抑制金属膜在周边部分上的沉积。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080052956A

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020060124784

申请日：2006-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/02

Abstract: An apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and a method for operating the same are provided to reduce pollution between interfaces of deposited layers and to realize a structure suitable for a vapor deposition and a sample delivery in the same system. A deposition system(101) forms a deposition material on a substrate(125). The deposition system includes a first assembly, a second assembly, a substrate stage(120), and a sealing assembly. The first assembly has a process space(180) where materials are deposited. A second assembly is coupled to the first assembly. The second assembly has a transfer space(182) where the substrate is carried in and out of the deposition system. The substrate stage is connected to the second assembly. The substrate stage supports the substrate to change a size of the process space. The substrate is moved in parallel from a first position in the process space to a second position in the process space by the substrate stage. A sealing assembly has a seal, which controls a gas flow between the process space and the transfer space while the substrate is moved in parallel within the process space.

Abstract translation: 提供一种用于热和等离子体增强气相沉积的装置及其操作方法，以减少沉积层界面之间的污染，并实现适用于同一系统中气相沉积和样品输送的结构。 沉积系统（101）在衬底（125）上形成沉积材料。 沉积系统包括第一组件，第二组件，衬底台（120）和密封组件。 第一组件具有沉积材料的工艺空间（180）。 第二组件联接到第一组件。 第二组件具有传送空间（182），其中衬底被载入和离开沉积系统。 衬底台连接到第二组件。 衬底台支撑衬底以改变工艺空间的尺寸。 基板从处理空间中的第一位置平行移动到处理空间中的第二位置。 密封组件具有密封件，其在基板在处理空间内平行移动时控制处理空间与传送空间之间的气流。

公开(公告)号：KR1020070053142A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060113812

申请日：2006-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기상 증착 시스템의 제1 어셈블리를 제1 온도로 유지하고, 기상 증착 시스템의 제2 어셈블리를 상기 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지하고, 기판을 제2 어셈블리의 전달 공간으로부터 진공 격리된 제1 어셈블리의 공정 공간 내에 배치하며, 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 갖는 제1 어셈블리와, 제1 어셈블리에 결합되고 기상 증착 시스템의 내외로 기판을 운반하게 하는 전달 공간을 갖는 제2 어셈블리와, 제2 어셈블리에 접속되어 기판을 지지하도록 구성된 기판 스테이지와, 공정 공간을 전달 공간으로부터 분리하도록 구성된 실링 어셈블리를 포함한다. 제1 어셈블리는 제1 온도로 유지되도록 구성되고, 제2 어셈블리는 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지되도록 구성된다.

公开(公告)号：KR101662369B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 보이드등을발생시키지않고, 또한, 복잡한공정을거치거나배선간의리크전류의증대를수반하는일 없이, 일렉트로마이그레이션내성이높은 Cu 배선을얻을수 있는 Cu 배선의형성방법을제공한다. 트렌치를갖는웨이퍼 W의전면에배리어막을형성하는공정과, 배리어막위에 Ru막을형성하는공정과, Ru막위에 PVD에의해 Cu막을형성해서트렌치에 Cu막을매립하는공정과, Cu막위에, 부가층을형성하는공정과, CMP에의해전면을연마해서트렌치에 Cu 배선을형성하는공정과, 웨이퍼 W 전면에산화망간막으로이루어지는메탈캡을형성하는공정과, 메탈캡 위에유전체캡을형성하는공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020160016644A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020150107439

申请日：2015-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  나카무라간토 ,  기타다도오루 ,  스즈키야스노부 ,  후루카와신지

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: C23C14/0063 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/3405

Abstract: 금속산화막을피처리체상에형성하기위한성막장치가제공된다. 일실시형태의성막장치는금속타겟으로부터의금속을피처리체상에퇴적시키는스퍼터장치이다. 이성막장치는피처리체를보지하기위한보지부에제 1 히터를구비하고있다. 또한, 이성막장치는보지부를향해산소가스를공급하는도입기구를구비하고있다. 또한, 이성막장치는가열기구를구비하고있다. 가열기구는피처리체를가열하기위한제 2 히터, 및이동기구를갖고있다. 이동기구는제 2 히터를보지부의상방의제 1 공간내의영역과해당제 1 공간으로부터이격된제 2 공간내의영역과의사이에서이동시키도록구성되어있다.

Abstract translation: 提供了一种用于在物体上形成金属氧化物层的成膜装置。 实施例的成膜装置是将金属从金属靶材沉积在物体上的溅射装置。 成膜装置包括用于支撑物体的支撑部中的第一加热器。 此外，成膜装置包括用于将氧气供应到支撑部分的引入装置。 此外，成膜装置使第二加热器在支撑部分的上部的第一空间中的区域和与第一空间分离的第二空间中的区域之间移动。

公开(公告)号：KR101553424B1

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：KR1020107022362

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  조멘미호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판상에서구리응집을제어하고집적회로내의오목부를공극없이벌크구리금속으로충전하기위한방법을제공한다. 일실시형태에있어서, 본방법은적어도측벽면과바닥면을포함하는하나이상의오목부및 상면을포함하는토포그래피를갖는기판을제공하는단계와, 그기판토포그래피상에장벽막을증착하는단계와, 상기장벽막상에금속함유습윤막을증착하는단계를포함한다. 본방법은금속함유습윤막상에구리금속을증착하는단계를더 포함하고, 기판온도는금속함유습윤막상에매끄러운구리금속시드층을형성하기에충분히높다. 하나이상의오목부에는공극없는벌크구리금속이도금된다.

公开(公告)号：KR1020150050474A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020140149021

申请日：2014-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  후루카와신지 ,  나카무라간토 ,  오노가즈나가

IPC: H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3423 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447

Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 대략직사각형의복수의타겟이, 중심축선을중심으로하는원을따라균등하게배치되어있다. 또한, 셔터가, 복수의타겟과스테이지의사이에마련되어있다. 셔터는, 복수의타겟중 1개의타겟을스테이지에대하여선택적으로노출시키는것이가능한개구를갖고있다. 이셔터는, 회전축에결합되어있고, 이회전축은, 중심축선을따라연장되어있다. 이성막장치에서는, 중심축선을중심으로하는원에대한접선방향의셔터의개구의폭이, 복수의타겟중 해당중심축선에대하여둘레방향에있어서인접하는 2개의타겟의각각을부분적으로또한동시에노출시키는폭으로되어있다.

Abstract translation: 成膜装置技术领域本发明涉及一种成膜装置。 具有矩形形状的许多靶材基于中心轴线沿着圆周均匀地布置。 此外，在许多目标和阶段之间准备快门。 快门具有能够选择性地将舞台上的目标从许多目标曝光的孔。 快门与旋转轴组合，旋转轴沿着中心轴线延伸。 沿着中心轴线的圆的切线方向上的快门孔的宽度被设计为宽度，以在圆周方向上分别暴露两个附近的目标，用于部分地或在 同时。

公开(公告)号：KR1020150034143A

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：KR1020147037041

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다.