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公开(公告)号：KR1020070103310A
公开(公告)日：2007-10-23
申请号：KR1020070037375
申请日：2007-04-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: A liquid treatment device is provided to suppress the bounding of mists in a processing liquid by using a rotating cup to rotate together with a substrate. A liquid treatment device includes a substrate holding portion(1), a rotating cup(3), a rotating tool, a liquid supply tool, and an exhaust and drain portion(6). The substrate holding portion(1) holds a substrate in a horizontal direction and is rotated according to a rotation of the substrate. The rotating cup(3) encloses the substrate and is rotated according to a rotation of the substrate. The rotating tool integrally rotates the rotating cup(3) and the substrate holding portion(1). The exhaust and drain portion(6) performs an exhaust and a drain of the rotating cup. The exhaust and drain portion(6) includes a drain cup for receiving a processing solution from the substrate and an exhaust cup for receiving and exhausting gas components.
Abstract translation: 提供一种液体处理装置，通过使用旋转杯与基底一起旋转来抑制加工液体中的雾的界限。 液体处理装置包括基板保持部分（1），旋转杯（3），旋转工具，液体供应工具以及排出和排出部分（6）。 基板保持部（1）在水平方向上保持基板，并且根据基板的旋转而旋转。 旋转杯（3）包围基底并且根据基底的旋转而旋转。 旋转工具一体地旋转旋转杯（3）和基板保持部（1）。 排气和排出部分（6）执行旋转杯的排气和排水。 排气和排出部分（6）包括用于从基板接收处理溶液的排水杯和用于接收和排出气体组分的排气杯。
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公开(公告)号：KR100595082B1
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：KR1019980007355
申请日：1998-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 피처리기판을 소정 온도로 설정하고, 소정 온도로 설정된 피처리기판을 회전시키면서 레지스트액을 기판상에 도포하여 레지스트막을 기판상에 형성하며, 레지스트막이 형성된 피처리기판을 가열하고, 이 가열처리후에 피처리기판을 소정 온도로 냉각하는 레지스트 처리방법에 있어서, 가열처리와 냉각처리와의 사이에서 피처리기판상의 레지스트막의 막두께가 측정된다.
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公开(公告)号：KR1020060085188A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020060005910
申请日：2006-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/00 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , G03F7/168 , G03F7/3042 , G03F7/70716
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020010067414A
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1020000078204
申请日：2000-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0208 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , H01L21/0271
Abstract: PURPOSE: A coating film forming device and coating film forming method are provided to enhance the in-plane uniformity of a film thickness of a resist film in a resist liquid applying device, for example. CONSTITUTION: The coated region of a wafer is divided into three regions and the coating film of a resist liquid is formed per the divided region of the wafer surface by moving the wafer and/or driving a supply nozzle in a specified application order and/or an application direction so that the application initiating positions of the adjacent divided regions do not adjoin to each other and/or the resist liquid is not continuously applied to the application ending position of one of the adjacent divided regions and the application initiating position of the other adjacent divided region in this order, when the application ending position and the application initiating position adjoin to each other. Consequently, such a phenomenon that the resist liquid is drawn to the application initiating position side, resulting in the increased film thickness of the part on this part, occurs only in the region where the application initiating position is present.
Abstract translation: 目的：提供涂膜形成装置和涂膜形成方法，以提高例如抗蚀剂涂布装置中的抗蚀剂膜的膜厚的面内均匀性。 构成：将晶片的被覆区域分割为三个区域，通过以规定的施加顺序移动晶片和/或驱动供给喷嘴，并且/或者以特定的施加顺序驱动供给喷嘴，并且每个晶片表面的分割区域形成抗蚀剂液体的涂膜，和/或 使得相邻分割区域的应用开始位置彼此不相邻和/或抗蚀剂液体不连续地施加到相邻分割区域中的一个的应用结束位置和另一个的应用开始位置的应用方向 当应用程序结束位置和应用程序启动位置彼此相邻时，该顺序相邻的分区。 因此，抗蚀剂液体被吸引到施加开始位置侧，导致在该部件上的部件的膜厚度增加的现象仅发生在存在施加开始位置的区域中。
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公开(公告)号：KR1020000077484A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1020000029242
申请日：2000-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: 레지스트도포막을가진기판이놓이는얹어놓는대와, 이얹어놓는대상의기판에현상액을공급하는노즐과, 이노즐에현상액을공급하는액공급기구와, 노즐과기판을상대적으로이동시키는이동기구를구비하는현상장치로서, 노즐은, 액공급기구에연이어통하는액입구와, 이액입구를통하여상기액공급기구로부터공급된현상액을잠정적으로저장시켜두는액저장부와, 이액저장부의바닥부로연이어통하며, 액저장부로부터의현상액을압력손실시키는좁은유로와, 이좁은유로에연이어통하는토출구유로를가진직선상태의액토출부와, 토출구유로내에설치되고, 또한좁은유로의출구근방에배치되며, 좁은유로에서나온현상액의기세를약하게하여, 상기토출구로부터토출되는현상액이상기레지스트도포막에주는충격력을저감시키는완충부재를구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990023420A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980032057
申请日：1998-08-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/16
Abstract: 도포 및 형상장치는 기판을 재치하는 제 1 재치대와 기판을 재치하고 냉각하는 제 2 재치대가 층을 이루는 복합유니트를 포함하는 복수의 처리유니트를 가지는 처리유니트그룹을 포함하여 구성된다. 복수의 처리유니트가 기판의 도포와 현상을 위해 필요한 처리를 개별적으로 수행한다. 복수의 처리유니트는 다중층으로 되어 있다. 먼저, 기판이 복수의 기판을 저장하고 있는 기판 저장부재로부터 제 1 재치대로 운반된다. 다음으로, 기판은 제 1 재치대로부터 반출되어 도포 및 현상된다. 그후, 도포 및 현상된 기판은 제 2 재치대로 운반되고, 제 2 재치대로부터 기판 저장부재로 반입된다.
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公开(公告)号：KR1019980087295A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019980018498
申请日：1998-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
처리장치, 처리방법 및 불순물제거장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
케미컬필터를 사용하는 일없이 기액접촉에 의해서 분위기중의 알칼리성분등의 불순물을 효율적으로 제거하여, 기판에 대한 처리를 적합하게 실시할 수 있는 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공기조절된 클린룸내의 격리된 처리공간내에서 기판을 처리하는 처리장치으로서, 처리공간내의 공기의 적어도 일부를 회수하여, 회수한 공기로부터 불순물을 제거하는 복수의 제거부(130, 150, 330, 350)를 갖는 제거장치(101, 201, 301, 302, 501, 601)와, 이들 복수의 제거부는 직렬로 배치되고 또한 각각이 회수한 공기와 접촉하여 불순물을 제거하는 불순물제거액을 공급하는 공급기구(135A, 197A, 394∼399)를 갖는 것과, 제거장치에 의해 불순물제거된 공기의 온도를 조정하는 온도조정장치(173, 174, 203a, 203b, 204a, 204b, 391, 404, 405, 561, 557, 602)와, 온도조정장치에 의해 온도조정된 공기를 상기 처리공간내에 되돌리는 리턴회로(66,74)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼의 도포현상처리등에 사용됨.-
公开(公告)号：KR1019980024314A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970045669
申请日：1997-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/304
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 대하여 레지스트액을 도포하고, 도포 레지스트를 현상하기 위한 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기판의 반송중 또는 처리중에, 기판에 부착한 이물질을 최종적으로 제거할 수 있는 동시에, 케미컬필터의 사용량을 저감시킬 수가 있도록 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
레지스트 처리방법은 (a) 기판을 처리하기 위한 프로세스부와 카세트로부터 기판을 꺼내어 프로세스부로 반송하는 수단과, 프로세스부에서 처리된 기판을 최종 세정하기 위한 세정부와, 프로세스부로부터 세정부로 기판을 받아넘기는 수단과, 세정부로부터 기판을 받아넘겨 받아서 카세트에 기판을 수납하는 수단을 준비하며, (b) 카세트로부터 기판을 꺼내고, (c) 꺼낸 기판을 프로세스부로 반송하며, (d) 프로세스부에 있어서는 최소한 기판에 도포된 도포레지스를 현상하는 처리공정을 포함하고, (e) 최소한 현상처리 공정 후에 기판을 프로세스부로부터 세정부로 받아넘기며, (f) 세정부에서는, 최소한 기판의 비레지스트 도포면에 세정액을 뿌려서, 기판의 비레지스트 도포면을 최종 세정하여, (g) 이 최종세정된 기판을 카세트에 수납한다.
4. 발명의 중요한 용도
레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 이용한다.-
公开(公告)号：KR1019980019186A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019970043252
申请日：1997-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와, 이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공� �� 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다.
정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와, 이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과, 이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.-
公开(公告)号：KR100112878B1
公开(公告)日：1997-03-10
申请号：KR1019890007138
申请日：1989-05-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 테루큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: G03F7/16
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