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    Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements mit einem abgeschirmten Gate
    31.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements mit einem abgeschirmten Gate 未知

    公开(公告)号：DE102015121532A1

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：DE102015121532

    申请日：2015-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

    IPC: H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

    Abstract: Es wird ein Siliziumkarbidhalbleitersubstrat mit einer Vielzahl erster dotierter Gebiete, die seitlich voneinander beabstandet und unterhalb einer Hauptoberfläche sind, und einem zweiten dotierten Gebiet gebildet, das sich von der Hauptoberfläche zu einem dritten dotierten Gebiet erstreckt, das oberhalb der ersten dotierten Gebiete ist. Es werden vierte dotierte Gebiete gebildet, die sich von der Hauptoberfläche zu den ersten dotierten Gebieten erstrecken. Es wird ein Gategraben mit einem Boden gebildet, der über einem Abschnitt eines der ersten dotierten Gebiete angeordnet ist. An dem Substrat wird ein Hochtemperaturschritt durchgeführt, um Siliziumkarbidatome entlang von Seitenwänden des Grabens neu auszurichten und abgerundete Ecken im Gategraben herzustellen. Eine Oberflächenschicht, die sich während des Hochtemperaturschritts entlang der Seitenwände des Gategrabens bildet, wird vom Substrat entfernt.

    SIC-GRABEN-TRANSISTORVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    35.
    发明专利
    SIC-GRABEN-TRANSISTORVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE102019129545A1

    公开(公告)日：2020-05-20

    申请号：DE102019129545

    申请日：2019-10-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ELLINGHAUS PAUL ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GRASSE FLORIAN ,  LEENDERTZ CASPAR ,  NIU SHIQUIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst die Vorrichtung (100) Gategräben (104), die in einem SiC-Substrat (102) ausgebildet sind und sich der Länge nach parallel in einer ersten Richtung (x1) erstrecken. Reihen von Sourcegebieten (114) eines ersten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet und erstrecken sich der Länge nach parallel in einer zweiten Richtung (x2), die zur ersten Richtung (x1) quer ist. Reihen von Bodygebieten (120) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps sind im SiC-Substrat (102) unter den Reihen von Sourcegebieten (114) ausgebildet. Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet. Die Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) erstrecken sich der Länge nach parallel in der zweiten Richtung (x2). Erste Abschirmgebiete (138) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) tiefer als die Reihen der Bodygebiete (120) ausgebildet.

    HALBLEITERVORRICHTUNG, DIE EINE GRABEN-GATESTRUKTUR ENTHÄLT, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    36.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG, DIE EINE GRABEN-GATESTRUKTUR ENTHÄLT, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102018123164B3

    公开(公告)日：2020-01-23

    申请号：DE102018123164

    申请日：2018-09-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  AICHINGER THOMAS ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

    Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) weist eine Graben-Gatestruktur (102) auf, die sich entlang einer vertikalen Richtung (y) von einer ersten Oberfläche (104) in einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (106) erstreckt. Ein Bodygebiet (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps grenzt an eine Seitenwand (110) der Graben-Gatestruktur (102) und umfasst ein erstes Body-Teilgebiet (1081), das an die Seitenwand (110) grenzt, und ein zweites Body-Teilgebiet (1082), das an die Seitenwand (110) grenzt. Zumindest ein Profil von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (y) enthält eine erste Dotierungsspitze im ersten Body-Teilgebiet (1081) und eine zweite Dotierungsspitze in dem zweiten Body-Teilgebiet (1082). Eine Dotierungskonzentration der ersten Dotierungsspitze ist größer als eine Dotierungskonzentration der zweiten Dotierungsspitze.

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