公开(公告)号：DE102007062046A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102007062046

申请日：2007-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  BARCHMANN BERND ,  LINDER NORBERT ,  PLOESL ANDREAS ,  EISSLER DIETER

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: The light-emitting component arrangement (10) comprises multiple light-emitting components with an epitaxially growing layer sequence (12), which has an active layer for producing light and a main radiation surface (12a). An auxiliary support element, which is arranged on the opposite surface, and comprises a matrix material (14), in which multiple contact holes filled with an electrically conducting material are arranged, which contacts the multiple contact elements (15,16). The contact holes have materials, such as copper, tungsten, aluminum or polysilicon. An independent claim is included for a method for producing a light-emitting component arrangement.

公开(公告)号：DE102007057672A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102007057672

申请日：2007-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ ,  STRASBURG MARTIN ,  EICHLER CHRISTOPH

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: The body has an epitaxic semiconductor layer sequence with an active layer (4) producing and/or receiving electromagnetic radiation. The sequence has aluminum indium gallium nitride and n-type layers (1, 5), where the layer (4) is arranged between the n-type layers. An electrical contact layer (7) is arranged in the layer (5). An extension (70) of the contact layer extends to the layer (1) through a gap (40) of the layer (4). A Schottky contact (9) is formed between the extension and the layer (1) and operated in a reverse direction during operation of the layer (4) in a flow direction.

公开(公告)号：DE102007031926A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：DE102007031926

申请日：2007-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  PETER MATTHIAS ,  STRAUS UWE

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34

公开(公告)号：DE102012101409A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012101409

申请日：2012-02-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01S5/34

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertig gestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102011114641A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011114641

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  PLOESL ANDREAS ,  VON MALM NORWIN ,  LINKOV ALEXANDER ,  HOEPPEL LUTZ ,  KOELPER CHRISTOPHER

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102008062933A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102008062933

申请日：2008-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MALM NORWIN VON ,  STREUBEL KLAUS ,  RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN

IPC: H01L27/15 ,  G02B21/00 ,  G02B26/00 ,  G09F9/33

Abstract: Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.

公开(公告)号：DE102008039790A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008039790

申请日：2008-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  RODE PATRICK ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00

Abstract: The component (1) has an epitaxially produced layer sequence (10) with a main side that is turned towards a main radiation direction and another main side that is turned away from the direction. A carrier substrate (40) is transparent for light emitted in the direction and mechanically stabilizes the layer sequence. The carrier substrate is arranged on the former main side and connected with the sequence layer. Two connecting terminals (20, 21) are provided for supplying charge carriers to partial layers (11, 12) of the layer sequence and arranged on the latter main side. An independent claim is also included for a method for producing an optoelectronic component.

公开(公告)号：DE102008028036A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：DE102008028036

申请日：2008-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

公开(公告)号：DE102007029370A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：DE102007029370

申请日：2007-06-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ ,  EICHLER CHRISTOPH ,  SABATHIL MATTHIAS ,  WEIMAR ANDREAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: A semiconductor chip with a semiconductor body has a semiconductor layer sequence with an active region provided for generating radiation. A mirror structure that includes a mirror layer and a dielectric layer that is arranged at least in regions between the mirror layer and semiconductor body is arranged on the semiconductor body.

公开(公告)号：DE102007022947A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102007022947

申请日：2007-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: An optoelectronic semiconductor body includes a semiconductor layer sequence which has an active layer suitable for generating electromagnetic radiation, and a first and a second electrical connecting layer. The semiconductor body is provided for emitting electromagnetic radiation from a front side. The first and the second electrical connecting layer are arranged at a rear side opposite the front side and are electrically insulated from one another by means of a separating layer. The first electrical connecting layer, the second electrical connecting layer and the separating layer laterally overlap and a partial region of the second electrical connecting layer extends from the rear side through a breakthrough in the active layer in the direction of the front side. Furthermore, a method for producing such an optoelectronic semiconductor body is specified.