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41.发明公开진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积形成纳米结构图案的方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及由此制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012385A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/58 , G01N27/4141 , H01L21/0337 , H01L29/0665 , H01L29/78
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR1020170113796A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036138
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/022425 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.
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公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。
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公开(公告)号：KR1020170073007A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150181162
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H02S50/00 , H01L31/05 , H01L31/042 , G05D23/19
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은온도검출부를포함하는태양전지모듈및 시스템에관한것으로서, 복수의태양전지셀 어레이, 상기태양전지셀 어레이에각각연결되어, 각각연결된태양전지셀 어레이를바이패스시킬수 있는복수의셀 바이패스소자, 및상기셀 바이패스소자에각각연결된복수의온도검출부를포함하되, 상기온도검출부는하나이상의태양전지셀에대한온도를감지하고, 감지된온도가미리설정된범위를벗어나는경우, 상기셀 바이패스소자를구동시키는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 온도감지를통해바이패스소자를구동시킴으로써, 태양전지모듈의효율을높이고, 안정적으로태양전지시스템을운용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池模块和包括温度检测器，多个太阳能电池阵列，其中所述太阳能电池被连接到单元阵列的系统中，每个所述多个小区中的连接的太阳能电池阵列旁路sikilsu绕过 元件，并包括：多个温度检测器，每个耦合至所述电池旁路设备中，当温度检测器检测到一个或更多个太阳能电池的温度，并且检测到的温度在预设范围外，则电池旁通 从而驱动设备。 根据本发明，通过经由温度检测驱动所述旁路元件，以提高太阳能电池模块的效率，就可以可靠地操作该太阳能电池系统。
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公开(公告)号：KR101673971B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR1020160083257A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不需要荧光体施加处理的（无磷）白色发光元件。 其制造方法包括：在GaN衬底上的掩模层的第一步骤; 图案化掩模层以形成暴露GaN衬底的一部分的纳米图案的第二步骤; 第三步骤，根据纳米图案在GaN衬底上选择性地生长GaN以生长GaN纳米结构以暴露彼此不同的晶体面; 以及在GaN纳米结构上生长包括有源层的纳米结构层的第四步骤，其中在有源层中，有效组成的含量随GaN纳米结构的晶面而变化。 因此，可以调节发光波长。 因此，调整有源层的暴露的结晶面以控制每个有效成分的含量以调节有源层的发光波长，并且在单个元件的外延生长过程中诱导蓝色和黄色的发光 体现白光发射。
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公开(公告)号：KR1020150046912A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/308 , H01L33/22 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을상기나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을경화하여레진패턴층또는금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기나노임프린트용스탬프를상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造高功率红色发光二极管的方法，包括：在薄膜的上层上形成介电掩模层的步骤; 在介电掩模的上层形成聚合物层的步骤; 在聚合物层的上层形成紫外线固化性树脂层或感光性金属有机前体层的工序; 通过用光照射固化紫外线固化树脂层或感光金属 - 有机前体层来形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层的步骤，加热方法或光辐射和加热方法的混合方法; 从树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层去除纳米压印印模的步骤; 通过使用树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层，聚合物层和介电掩模层作为干蚀刻掩模来干蚀刻薄膜的步骤; 去除残留电介质掩模层的步骤; 以及通过剥离处理在去除的电介质掩模层区域的一部分上形成电极图案的步骤。 本发明在制造红色发光二极管时，使用纳米压印加工和干法蚀刻在薄膜表面上形成大的均匀的表面凹凸，并引起纳米粗糙化，从而提供具有提高的光提取效率的发光二极管。
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49.发明授权정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法
公开(公告)号：KR101477038B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130159283
申请日：2013-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.
Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤， 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。
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公开(公告)号：KR101357087B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110135977
申请日：2011-12-16
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체에 관한 것으로, 본 발명의 3차원 나노구조체 제조방법은 기판 또는 박막의 상부에 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계와, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 제1 패턴이 형성된 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계와, 상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 상기 제1 임프린트용 스탬프와 다른 제2 패턴을 가진 이종의 제2 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계를 포함하여, 이종의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성함으로써, 복수의 임프린트 스탬프를 사용하여 다양한 형태의 3차원 패턴형성이 가능하여 저가 및 대면적으로 나노점, 나노튜브, 나노원뿔 등과 같은 다양한 3차원 나노구조체 제조를 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
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