公开(公告)号：DE112014001679A5

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE112014001679

申请日：2014-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  MAUTE MARKUS ,  HARTUNG GEORG

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44

公开(公告)号：DE102012102148A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102012102148

申请日：2012-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIMAR ANDREAS ,  HERTKORN JOACHIM ,  ENGL KARL

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/30

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2) sowie einen Bragg-Spiegel (3) mit mindestens einer ersten Teilschicht (31) und mit mindestens einer zweiten Teilschicht (32). Eine auf Galliumnitrid basierende, funktionale Halbleiterschichtenfolge (6) ist auf dem Bragg-Spiegel (3) aufgebracht und beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (60) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Der Bragg-Spiegel (3) ist auf dem Träger (2) aufgebracht. Die ersten Teilschichten (31) des Bragg-Spiegels (3) umfassen ein Metallnitrid oder ein III-Nitrid oder bestehen hieraus.

公开(公告)号：DE102011114670A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011114670

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ENGL KARL ,  HAHN BERTHOLD ,  WEIMAR ANDREAS ,  STAUS PETER

IPC: H01L33/30 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), – Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und – Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).

公开(公告)号：DE102011112000A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102011112000

申请日：2011-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  GEHRKE KAI ,  WALTER ROBERT ,  ENGL KARL ,  WEISS GUIDO ,  MAUTE MARKUS ,  RAMMELSBERGER STEFANIE

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

公开(公告)号：DE102009006177A1

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：DE102009006177

申请日：2009-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JUERGEN ,  MALM NORWIN VON ,  RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  ENGL KARL

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/60

公开(公告)号：DE102008051048A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：DE102008051048

申请日：2008-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor body for emitting electromagnetic radiation from the front side with a semiconductor layer sequence and a first electrical contact layer, wherein the semiconductor layer sequence comprises at least one opening that penetrates fully through the semiconductor layer sequence in the direction from the front side to the rear side that is opposite the front side, the first electrical contact layer is arranged at the rear of the semiconductor body, a section of the first electrical contact layer extends from the rear side through the opening to the front side and covers a first sub-region of a front-side main face of the semiconductor layer sequence, and a second sub-region of the front-side main face is not covered by the first electrical contact layer.

公开(公告)号：DE102008030584A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：DE102008030584

申请日：2008-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  STRASBURG MARTIN ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

公开(公告)号：DE102008022542A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：DE102008022542

申请日：2008-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  WINDISCH REINER ,  WIRTH RALPH ,  ENGL KARL

IPC: H01L33/50

Abstract: The component has a LED-chip (1) including an active layer for generating of electromagnetic radiation, where the LED-chip emits primary radiation with a wave length. Conversion layers (2, 3) include conversion elements for converting portions of the primary radiation sent by the LED chip into secondary radiation, respectively. The conversion layers are arranged on portions (4, 5) of the LED-chip. A control layer is arranged on a third portion (6) of the LED-chip, for the electromagnetic radiation. A wavelength of the secondary radiation lies in a red spectral range. An independent claim is also included for a method for manufacturing a radiation-emitting component.

公开(公告)号：DE102007062046A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102007062046

申请日：2007-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  BARCHMANN BERND ,  LINDER NORBERT ,  PLOESL ANDREAS ,  EISSLER DIETER

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: The light-emitting component arrangement (10) comprises multiple light-emitting components with an epitaxially growing layer sequence (12), which has an active layer for producing light and a main radiation surface (12a). An auxiliary support element, which is arranged on the opposite surface, and comprises a matrix material (14), in which multiple contact holes filled with an electrically conducting material are arranged, which contacts the multiple contact elements (15,16). The contact holes have materials, such as copper, tungsten, aluminum or polysilicon. An independent claim is included for a method for producing a light-emitting component arrangement.

公开(公告)号：DE102007057672A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102007057672

申请日：2007-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ ,  STRASBURG MARTIN ,  EICHLER CHRISTOPH

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: The body has an epitaxic semiconductor layer sequence with an active layer (4) producing and/or receiving electromagnetic radiation. The sequence has aluminum indium gallium nitride and n-type layers (1, 5), where the layer (4) is arranged between the n-type layers. An electrical contact layer (7) is arranged in the layer (5). An extension (70) of the contact layer extends to the layer (1) through a gap (40) of the layer (4). A Schottky contact (9) is formed between the extension and the layer (1) and operated in a reverse direction during operation of the layer (4) in a flow direction.