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公开(公告)号：KR1020070095830A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：KR1020070028048
申请日：2007-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532
Abstract: A plasma processing apparatus is provided to securely remove an insulation layer on a ground electrode by securely generating an electric field with a predetermined intensity in a portion of a process space confronting the ground electrode. A substrate processing chamber(11) has a process space in which a plasma treatment is performed on a substrate. An RF electrode applies RF power to the process chamber. A DC electrode applies a DC voltage to the process space. A ground electrode is exposed to the process space. An insulation part is positioned between the ground electrode and the RF electrode. The distance between the ground electrode and the RF electrode falls within a range of 0~10 mm. The insulation part can include an insulator or a vacuum space.
Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，通过在与接地电极相对的处理空间的一部分中牢固地产生具有预定强度的电场来牢固地去除接地电极上的绝缘层。 基板处理室（11）具有对基板进行等离子体处理的处理空间。 RF电极向处理室施加RF功率。 直流电极向工艺空间施加直流电压。 接地电极暴露于工艺空间。 绝缘部分位于接地电极和RF电极之间。 接地电极和RF电极之间的距离在0〜10mm的范围内。 绝缘部件可以包括绝缘体或真空空间。
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公开(公告)号：KR1020040035813A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020047003954
申请日：2002-09-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32688
Abstract: 자장 형성 기구(21)의 각 자석 세그먼트(22)가 도 3a에 도시하는 바와 같이 각 자석 세그먼트(22)의 자극이 진공 챔버(1)측을 향한 상태로부터, 도 3b, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 인접하는 자석 세그먼트(22)가 동기하여 반대 방향, 따라서 하나 건너 하나씩의 자석 세그먼트(22)가 동일한 방향으로 회전하여, 진공 챔버(1)내에 형성되는 반도체 웨이퍼(W)의 주위의 멀티폴 자장의 상태를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 이것에 의해서, 플라즈마 처리 프로세스의 종류에 따라서 적절한 멀티폴 자장의 상태를 용이하게 제어, 설정할 수 있어, 양호한 처리를 용이하게 실행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101888728B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020150092004
申请日：2015-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063
Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.
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公开(公告)号：KR101697285B1
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020100085685
申请日：2010-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: ESC의외주부에퇴적된 CF 베이스며 Si 및 Al를함유하는숄더퇴적물을효율적으로제거하는챔버내 클리닝방법을제공한다. O가스와 F 함유가스와의혼합가스를 ESC(24)의외주부(24a)를향하여압력 400 ~ 800 mTorr로공급하고, 상기혼합가스로부터생성된플라즈마를 ESC(24)의외주부(24a)에선택적으로조사하고또한, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면에마스킹가스로서 O단가스를공급하고, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면의 F 래디컬에의한피폭을방지하면서상기외주부(24a)에부착된숄더퇴적물(50)을분해, 제거한다.
Abstract translation: 提供一种能够有效地除去沉积在ESC外周上的含有Si和Al的CF系肩层沉积物的室清洗方法。 在约400mTorr至约800mTorr的压力下，向ESC24的外周边24a供应O 2气体和F气体的混合气体; 从混合气体产生的等离子体照射到ESC24的外周24a上; 作为掩模气体的O 2单体气体除外周边24a供给到ESC24的上表面; 并且附着在外周24a上的肩部沉积物50被分解除去，同时防止除了外周边24a之外的ESC 24的顶面暴露于F基。
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公开(公告)号：KR1020160094306A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020160010019
申请日：2016-01-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 마스크의개구의애스펙트비가높아도, 피처리체상에형성되는실리콘산화막의막 두께의불균일을저감시킨다. 일실시형태의방법은, (a) 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 할로겐화규소가스를포함하는제 1 가스의플라즈마를생성하여피처리체상에반응전구체를형성하는제 1 공정과, (b) 제 1 공정후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 2 공정과, (c) 제 2 공정후에, 처리용기내에서산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마를생성하여실리콘산화막을형성하는제 3 공정과, (d) 제 3 공정후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 4 공정을포함하는시퀀스를반복하여실리콘산화막을성막한다.
Abstract translation: 即使当掩模的开口的纵横比高时，形成在待处理物体上的氧化硅层的厚度的均匀性降低。 根据本发明实施例的处理被处理物体的方法通过重复以下顺序形成氧化硅层：a）通过产生等离子体在待处理物体上形成反应性前体的第一种方法 包括等离子体处理装置的处理容器内的卤化硅气体的第一气体; b）在第一处理之后在处理容器内产生惰性气体的等离子体的第二过程; c）通过在所述第二工艺之后通过在所述处理容器内产生包括氧气的第二气体的等离子体来形成氧化硅层的第三工艺; 以及d）在第三处理之后在处理容器内产生惰性气体的等离子体的第四过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160003565A
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：KR1020150092004
申请日：2015-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063
Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.
Abstract translation: 提供了一种加工工件的方法。 一种实施方式的方法是处理工件以形成通过来自氧化区域的两个提升区域到达下层的开口。 该方法包括以下处理：（1）形成在氧化区域中的两个隆起区域之间露出氮化物区域的第二部分的开口; 和（2）在开口和第二部分内蚀刻硅氧烷氧化物的残留物。 在蚀刻残留物和第二部分的过程中，将工件暴露于含有氢的气体和含有NF_3气体的气体混合物的等离子体，其影响残留物和第二部分以形成受影响区域，然后影响受影响区域 被删除。
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公开(公告)号：KR1020150131967A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020150062914
申请日：2015-05-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/02167 , H01L21/02274 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/67069
Abstract: 에칭에의해형성되는라인의거칠기를억제하고, 또한, 에칭후에잔존하는포토레지스트의높이를유지하는것. 플라즈마에칭방법은, 퇴적공정과, 에칭공정을포함한다. 퇴적공정은, 하지층과, 미리정해진패턴을갖는포토레지스트가순서대로적층된피처리체의포토레지스트에대하여, 4염화규소가스, 메탄가스및 수소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에의해규소및 탄소를포함하는보호층을퇴적시킨다. 에칭공정은, 보호층이퇴적된포토레지스트를마스크로하여, 제1 처리가스와는상이한제2 처리가스의플라즈마에의해하지층을에칭한다.
Abstract translation: 本发明抑制由蚀刻形成的线的粗糙度，并且保持蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度。 等离子体蚀刻方法包括沉积工艺和蚀刻工艺。 在沉积工艺中，包括硅和碳的保护层通过包括四氯化硅气体，甲烷气体和氢气的第一处理气体的等离子体沉积在加工对象物体的光致抗蚀剂上，其中基层和 具有预定图案的光致抗蚀剂依次层压在处理目标物体上。 在蚀刻工艺中，通过使用其上沉积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模，通过与第一处理气体不同的第二处理气体的等离子体蚀刻基底层。
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公开(公告)号：KR1020150069514A
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：KR1020140157914
申请日：2014-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/76802 , H01L21/76813
Abstract: 실리콘산화막을하드마스크를통해에칭함으로써, 피처리체에 50 이상의애스펙트비를갖는공간을형성하는에칭방법이제공된다. 이방법은, (a) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 피처리체를플루오로카본계의가스의플라즈마에노출시키는제1 공정과, (b) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 플루오로카본계의가스의플라즈마에피처리체를더 노출시키는제2 공정을포함한다. 이방법에서는, 제2 공정에서의배치대와상부전극사이의거리는, 제1 공정에서의배치대와상부전극사이의거리의 5/3배이상으로설정된다.
Abstract translation: 提供了通过硬掩模蚀刻氧化硅膜来形成待蚀刻对象物的纵横比为50以上的空间的蚀刻方法。 该方法包括：（a）在具有上电极和下电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中将物体暴露于氟碳基气体的等离子体的第一工序; 以及（b）在具有形成下电极和上电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中，使物体等离子体更多地暴露于氟碳系气体的等离子体的第二工序。 在该方法中，将第二工序的支架和上电极之间的距离设定为比第一工序的支架与上电极的距离长5/3以上的时间。
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公开(公告)号：KR1020140092257A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020140004404
申请日：2014-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32477
Abstract: The present invention is provided to improve the ability to control a film thickness according to the temperature of a member. A plasma processing method includes: a film forming process, a plasma process, and a removal process. The film forming process forms a silicon oxide film on a surface of a member provided within a chamber with plasma of a silicon-containing gas without oxygen while controlling the temperature of the member to be lower than a temperature of another member. The plasma process performs a plasma process on a target object loaded into the chamber with plasma of a processing gas after the silicon oxide film is formed on the surface of the member. The removal process removes the silicon oxide film from the surface of the member with a fluorine-containing gas plasma after the target object on which the plasma process is performed, is unloaded to an outside of the chamber.
Abstract translation: 提供本发明以提高根据构件的温度来控制膜厚度的能力。 等离子体处理方法包括：成膜工艺，等离子体处理和去除工艺。 成膜工艺在设置在具有无氧的含硅气体的等离子体的室内的构件的表面上形成氧化硅膜，同时将构件的温度控制在低于另一构件的温度。 等离子体处理对于在该构件的表面上形成氧化硅膜之后的处理气体的等离子体，对装载到该室中的目标物体进行等离子体处理。 除去过程在执行等离子体处理的目标物体之后，用含氟气体等离子体从构件的表面除去氧化硅膜，卸载到室外。
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公开(公告)号：KR101097025B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020090027835
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
Abstract: 진공 가능한 처리용기내에서 제 1 전극과 제 2 전극을 소정의 간격을 두고 평행하게 배치하고, 상기 제 1 전극에 대향시켜 피처리 기판을 제 2 전극으로 지지하고, 상기 처리용기내를 소정의 압력으로 진공 배기하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 사이의 처리공간에 에천트 가스를 포함하는 제 1 처리 가스를 공급하고, 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극에 고주파를 인가하여 상기 처리공간에서 상기 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마 하에서 상기 기판상의 피가공막을 그 피가공막의 위에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭하는 플라즈마 처리 방법으로서, 상기 처리용기 내에 부재를 마련하는 공정과, 상기 처리용기내에서 상기 기판에 대해 상기 피가공막의 에칭 처리보다도 전에 실행되는 레지스트 개질 처리로서, 상기 � �리용기내를 소정의 압력으로 진공 배기하는 공정과, 상기 처리공간에 제 2 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 상기 고주파를 인가하여 상기 처리공간에서 상기 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴의 에칭 내성을 향상시키도록, 상기 처리용기내에서 상기 기판으로부터 떨어진 장소에서 플라즈마에 노출되는 상기 부재에 부극성의 직류 전압을 인가하고, 상기 부재로부터 방출된 전자를 상기 기판상의 레지스트 패턴에 주입하는 공정을 갖는, 플라즈마 처리 방법이 제공된다.
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