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公开(公告)号：KR101757922B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101757920B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서전기적으로플로팅상태에놓이는코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로임의로제어하기때문에, 콘덴서를갖는플로팅코일(70)이 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장더 나아가서는챔버(10)내에서생성되는도넛형상의플라즈마의플라즈마밀도분포에대해소극적인작용혹은적극적인작용을얻는다.
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公开(公告)号：KR101720373B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 장치의구성을간소화할수 있음과아울러, 플라즈마의생성효율의저하를방지할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치(10)는, 챔버(11)와, 상기챔버(11)의내부에배치되어기판 S를탑재하는탑재대(12)와, 챔버(11)의외부에있어서탑재대(12)와대향하도록배치되어고주파전원(26)에접속되는 ICP 안테나(13)와, 탑재대(12) 및 ICP 안테나(13)의사이에개재하는, 도전체로이루어지는창 부재(14)를구비하며, 창부재(14)는복수의분할편(27)으로분할되고, 복수의분할편(27)은서로절연됨과아울러도선(29)이나콘덴서부착된도선(30)으로접속되어폐회로(31)를형성한다.
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公开(公告)号：KR101687565B1
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020100027761
申请日：2010-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32697
Abstract: 플라즈마밀도분포제어의성능및 자유도를대폭개선하여플라즈마밀도분포및 프로세스특성의가급적인균일성향상을실현시킨다. 용량결합형플라즈마처리장치는, 서셉터(12) 상의플라즈마밀도분포를제어하기위한툴로서챔버하부실(25)에플라즈마밀도분포제어기(72)를설치하고있다. 이플라즈마밀도분포제어기(72)는서셉터(12)의배면의원하는부위에상면을향하여배치되는도체판(제 1 도체)(74)과, 이도체판(74)을그 아래에서보지하고, 또한전기적으로접지하는도체봉(제 2 도체)(76)을가진다. 도체봉(76)의상단(제 1 접속부)은도체판(74)의하면의임의의부위에고착되어있다. 도체봉(76)의하단(제 2 접속부)은챔버(10)의저벽(10b)에고착또는접촉되어설치된다.
Abstract translation: 通过大大提高性能和控制等离子体密度分布的自由度，提高了等离子体密度分布和工艺特性的均匀性。 电容耦合等离子体处理装置包括安装在室下室中的等离子体密度分布控制器，用于控制基座上的等离子体密度分布。 等离子体密度分布控制器包括导电板（第一导体），该导电板（第一导体）被放置在基座的后表面处于与基座相对的特定位置处;以及导电棒（第二导体），其将导电板向上支撑并电接地。 导电棒的上端（第一连接部）固定在导电板的底面的某一部分上，导电棒的下端（第二连接部）固定在底部 一个房间的墙壁
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公开(公告)号：KR1020160130728A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够通过使用简单的校正线圈来自由且精确地控制等离子体密度分布。 在电感耦合等离子体处理装置中，在RF天线54周围的电介质窗52下方的环形状中产生电感耦合等离子体，然后在大的处理空间中扩散，使得等离子体的密度在基座12周围变得均匀 （即，在半导体晶片W上），特别是在径向方向上。 RF天线54通过校正线圈70对所生成的RF磁场进行电磁场校正，并且根据预定的处理参数控制切换机构110在校正线圈70中流动的感应电流的占空比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101247833B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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公开(公告)号：KR1020120107520A
公开(公告)日：2012-10-02
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120032439A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：KR1020110097440
申请日：2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to easily uniformly process plasma by controlling a wavelength effect in an RF antenna. CONSTITUTION: An RF antenna(54) is installed in a dielectric window(52) to generate inductively-coupled plasma. The RF antenna is divided into an inner coil(58), a middle coil(60), and an external coil(62) to a diameter direction. The inner coil has an inner coil segment(59) of a single connection or serial connection. The middle coil has middle two coil segments(61(1),61(2)) electrically connected in parallel. The external coil has three outside coil segments(63(1),63(2), 63(3)) electrically connected in parallel.
Abstract translation: 目的：通过控制RF天线中的波长效应，提供等离子体处理装置以容易地均匀地处理等离子体。 构成：将RF天线（54）安装在电介质窗口（52）中以产生电感耦合等离子体。 RF天线沿直径方向分为内线圈（58），中线圈（60）和外线圈（62）。 内部线圈具有单个连接或串联连接的内部线圈段（59）。 中间线圈具有并联电连接的中间两个线圈段（61（1），61（2））。 外部线圈具有并联电连接的三个外部线圈段（63（1），63（2），63（3））。
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公开(公告)号：KR1020120032436A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：KR1020110097325
申请日：2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to improve plasma generating efficiency by reducing RF power loss within a high frequency supply unit. CONSTITUTION: A processing container(10) has a dielectric window(52). A disc shaped susceptor(12) supporting a semiconductor wafer serves as a high frequency electrode. The susceptor is supported by a cylindrical supporting part(14) having an insulating property. A processing gas supply part supplies a desired process gas into the processing container to process desired plasma on a substrate A plurality of antennas(54) is installed outside the dielectric window to generate the plasma of the process gas in the processing container. A high frequency supply unit(62) supplies high frequency power suitable for the high frequency discharging of the process gas to a plurality of antennas.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过降低高频率供应单元内的RF功率损耗来提高等离子体产生效率。 构成：处理容器（10）具有电介质窗口（52）。 支撑半导体晶片的盘形基座（12）用作高频电极。 基座由具有绝缘性的圆柱形支撑部件（14）支撑。 处理气体供给部件将期望的处理气体供应到处理容器中以处理基板上的所需等离子体多个天线（54）安装在电介质窗口外部以产生处理容器中的处理气体的等离子体。 高频电源单元（62）向多个天线提供适用于处理气体的高频放电的高频电力。
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公开(公告)号：KR1020120009515A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.
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