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公开(公告)号：KR1020060034177A
公开(公告)日：2006-04-21
申请号：KR1020040083337
申请日：2004-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 본 발명은 홈 네트워크, 텔레메틱스, 지능망교통시스템 및 위성 인터넷 등에 적용되는 협대혁 마이크로스트립형 대역통과필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 신호가 입력되는 입력단자; 특성 대역의 선택신호가 출력되는 출력단자; 상기 입력단자의 적어도 일부와 전계결합되는 제1 공진기; 상기 제1 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제2 공진기; 및 상기 출력단자 및 상기 제2 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제3 공진기를 포함하여 구성되며, 또한 서로 인접하지 않은 공진기 간에는 교차결합 갭 혹은 교차결합선로로 자계결합을 형성함으로써, 밀리미터파 부품의 저가격 구현하기 위하여 설계 및 제조공정을 최적화하여 패턴을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 부품의 소형으로 생산 단가를 개선할 수 있으며, 대량 생산이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
대역통과필터, 마이크로스트립, 교차결합 갭, 병렬결합, 감쇠극, 감쇠주파수, 전계결합, 자계결합, 교차결합선로-
公开(公告)号：KR1020050064104A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030095386
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F15/16
Abstract: 공유 파일을 이용한 비동기적 데이터 전달 방법 및 그 시스템이 개시된다. 적어도 하나 이상의 시스템에 전달하고자 하는 데이터를 공유 파일에 기록하고, 각각의 시스템으로 전달되는 공유 파일에 관한 정보를 포함하는 공유 정보 파일을 각각의 시스템별로 생성하고 관리하며 공유 정보 파일을 기초로 각각의 시스템으로 데이터 전달이 완료된 공유 파일을 파악하고 삭제한다. 이로써, 시스템간에 데이터를 비동기적으로 전달할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020049160A
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1020000078262
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H03H2/001
Abstract: PURPOSE: A magnetostatic wave filter is provided to expand the bandwidth of a transfer frequency and the ripple by adjusting the pattern of input and output electrodes. CONSTITUTION: A transmission line(210) and an energy conversion line(211) of an input electrode and a transmission line(212) and an energy conversion line(213) of an output electrode are formed on a low-loss dielectric substrate(214,214-1) having a lower grounding plate(221). A multi-layer ferrimagnetic substance(220) is arranged on the energy conversion lines(211,213) between shielding screens(215,216) for shielding an input unit and output unit. The respective shielding screens(215,216) have a hole for allowing the passage of a magnetic thin film.
Abstract translation: 目的：提供静电波滤波器，通过调整输入和输出电极的图案来扩展传输频率和纹波的带宽。 构成：输入电极和输出电极的传输线（212）和能量转换线（213）的传输线（210）和能量转换线（211）形成在低损耗电介质基板（214,214 -1）具有下接地板（221）。 在屏蔽输入单元和输出单元的屏蔽屏蔽（215,216）之间的能量转换线（211,213）上布置有多层亚铁磁物质（220）。 各个屏蔽屏幕（215,216）具有用于允许磁性薄膜通过的孔。
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公开(公告)号：KR1020170094814A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020160015725
申请日：2016-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 도재원 , 김해천 , 민병규 , 임종원 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 신민정 , 안호균 , 윤형섭 , 이상흥 , 이종민 , 장유진 , 정현욱 , 조규준 , 주철원
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/66
Abstract: 반도체소자는, 기판상에순차적으로제1 반도체층과제2 반도체층을형성하고, 상기제2 반도체층상에그래핀층을형성하고, 상기그래핀층상에서로이격된소스전극과드레인전극을형성하고, 상기소스전극과상기드레인전극을마스크로하여그래핀층을패터닝하고, 상기제2 반도체층상면에절연막을형성하고, 상기제2 반도체층상면에게이트전극을형성함으로써제조될수 있다.
Abstract translation: 一种半导体器件，其特征在于，在衬底上依次形成第一半导体层的半导体层的第一半导体层，在第二半导体层上形成石墨烯层，在石墨烯层上形成源电极和漏电极， 使用源电极和漏电极作为掩模来图案化石墨烯层;在第二半导体层上形成绝缘膜;以及在第二半导体层上形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170071074A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150178966
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/293
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F2001/212
Abstract: 마흐-젠더전기광학변조기의제조방법은능동영역및 수동영역을구비하는 III-V족화합물반도체기판상에 III-V족화합물반도체를포함하는진성반도체층을형성하는단계; 상기능동영역에대응하는진성반도체층에제1 불순물을도핑하여, 상기기판상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은코어층, 및상기코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된영역을포함하는상부클래드층을형성하는단계; 및상기코어층, 및상기상부클래드층을패터닝하는단계를포함할수 있다. 상기코어층은상기능동영역에배치되는능동코어층, 및상기수동영역에배치되는수동코어층을포함할수 있다. 상기상부클래드층은상기능동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된능동상부클래드층, 및상기수동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은수동상부클래드층을포함할수 있다. 상기능동상부클래드층및 상기수동상부클래드층은동일한두께를가질수 있다.
Abstract translation: 的制造方法的马赫 - 曾德尔电光调制器包括：形成包括具有有源区域和无源区域中的III-V族化合物半导体衬底上的III-V族化合物半导体的本征半导体层; 设置在所述基板上且未掺杂有所述第一杂质的核心层和布置在所述核心层上且掺杂有所述第一杂质的第二杂质区域; 形成包含上覆层的上覆层; 并且图案化芯层和上部包层。 芯层可以包括设置在有源区中的有源芯层和设置在无源区中的无源芯层。 上包覆层可以包括设置在有源芯层上并掺杂有第一杂质的有源上包覆层以及设置在无源芯层上并且不掺杂第一杂质的无源上包覆层。 有源上部包层和无源上部包层可以具有相同的厚度。
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公开(公告)号：KR1020160119328A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150046989
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/60
Abstract: 본발명은 RF 전력소자내부정합형패키지용정합회로설계에적용하기위하여 RF 전력소자의특성을추출하는방법과이를이용하여구현한정합회로를포함하는전력증폭장치에관한것이다. 구체적으로, 본발명은전력소자의특성추출기준점을제안하고이를이용하여전력소자의특성추출을기존의모델링과디임베딩방식이아닌기준점을달리한측정방식을활용하여전력소자의특성을정확히추출한후 정합회로설계에활용하는방법및 이를통해구현된전력증폭장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150108147A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020140030970
申请日：2014-03-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 안테나와 송수신 칩 및 디지털 신호처리 칩을 하나의 패키지로 소형화, 집적화, 경량화하기 위해 단일 기판 위에 안테나와 레이더 온 칩으로 패키징하는 밀리미터파용 레이더 온 패키지에 관한 것으로, 밀리미터파용 레이더 온 패키지는, 다층 기판; 상기 다층 기판의 일면에 배치되는 RFIC 송신 모듈과 RFIC 수신 모듈로 구성되는 RFIC 칩; 및 상기 다층 기판의 타면에 형성되어 안테나 송신부와 안테나 수신부를 구성하며, 유전체 공진기 안테나의 노출 영역인 다수의 멀티 어레이 안테나를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于毫米波的雷达，其能够在单个基板上封装天线和雷达，用于将天线，发射和接收芯片以及数字信号处理芯片小型化，集成和照明，以便将其作为 一包 用于毫米波的包装雷达包括：多层基板; RFIC芯片，其由布置在所述多层基板的一侧上的RFIC传输模块和RFIC接收模块构成; 并且形成在多层基板的另一侧上的多个多阵列天线包括天线发送单元和天线接收单元，并且是介质谐振器天线的曝光区域。
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公开(公告)号：KR101363174B1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020090075209
申请日：2009-08-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F2200/222
Abstract: 본 발명은 전력 증폭기는 게이트 단으로 입력된 신호를 증폭하여 드레인 단으로 출력하는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)와, 상기 게이트 단과 접지 사이에 연결되는 입력 정합 회로와, 그리고 상기 드레인 단과 접지 사이에 연결되는 직류 바이어스 회로를 포함한다.
상술한 구성을 통하여 음전압을 제공하기 위한 바이어스 수단 없이, 단일 직류 바이어스 회로만으로 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 바이어스 할 수 있다. 또한, 션트 인덕터와 초크 인덕터를 통하여 다양한 동작 주파수 대역에서 우수한 정합 특성이 제공될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100061607A
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020080120192
申请日：2008-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L25/167 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/48137 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A high speed optical wiring element is provided to form an optical has high speed, low power, and low price without a serializer, a parallelizer, and a modulator by using a multi-channel fiber. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(301) is formed on a SOI(Silicon On Insulator) substrate(200). An optical emitter(302) outputs a multiple optical signal by receiving a multiple electric signal from the first semiconductor chip on the SOI substrate. An optical detector(304) changes the multi optical signal of the SOI substrate into the multiple electric signal. A second semiconductor chip(305) receives a multiple electric signal transformed with the optical detector of the SOI substrate. The SOI substrate comprises a first SOI substrate, a second semiconductor chip, and a second SOI substrate. The first SOI substrate and the second SOI substrate are arranged to be separated.
Abstract translation: 目的：通过使用多通道光纤，提供高速光配线元件以形成具有高速度，低功率和低价格的光学，而不需要串行器，并行器和调制器。 构成：在SOI（绝缘体上硅）衬底（200）上形成第一半导体芯片（301）。 光发射器（302）通过从SOI衬底上的第一半导体芯片接收多个电信号来输出多个光信号。 光检测器（304）将SOI衬底的多光信号改变为多电信号。 第二半导体芯片（305）接收用SOI衬底的光检测器变换的多电信号。 SOI衬底包括第一SOI衬底，第二半导体芯片和第二SOI衬底。 第一SOI衬底和第二SOI衬底被布置成分离。
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