公开(公告)号：CN102160163A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137097.8

申请日：2009-06-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  满仓一行 ,  增子崇 ,  加藤木茂树

IPC: H01L21/52 ,  C09J4/00 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  C09J201/00

CPC classification number: C08G73/1082 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/106 ,  C08L63/00 ,  C08L79/08 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/22 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14806 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明目的在于提供一种耐热性优异的半导体装置。提供一种半导体装置，其为半导体元件和被粘物经由图形化的薄膜状感光性粘接剂被热压接而成的半导体装置，图形化的薄膜状感光性粘接剂在即将热压接前的水分量为1.0重量％以下。

公开(公告)号：CN102134451A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110040150.1

申请日：2008-03-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 中村祐树 ,  北胜勉 ,  片山阳二 ,  畠山惠一

IPC: C09J7/00 ,  C09J179/08 ,  C09J183/10 ,  C09J7/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L23/29

CPC classification number: C09J183/10 ,  C08G73/106 ,  C08G77/26 ,  C08G77/452 ,  C09D183/08 ,  C09J179/08 ,  C09J183/08 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/296 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2826 ,  Y10T428/2896 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。

公开(公告)号：CN101471240B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810186926.9

申请日：2004-06-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 稻田祯一 ,  增野道夫 ,  宇留野道生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  C09J7/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27

Abstract: 本发明提供一种粘合片的切割方法，是通过扩张进行粘贴在半导体晶片上的粘合片的切割，其包括特定工序I)至III)以及IV)或者包括特定工序I’)至II)以及IV)，并且，所述粘合片包括高分子量成分、热硬化性成分以及填料；其中，所述高分子量成分是，其玻璃化温度为-30℃～50℃，其重均分子量为5万～100万，其含量为粘合片总重量除去填料重量后的50重量％以下，所述填料其含量为粘合片总重量的5～70重量％。本发明提供的切割方法能在通常的切断条件同时切断晶片与粘合片，因此可以高效率地进行切割过程。

公开(公告)号：CN101490813B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780027317.2

申请日：2007-07-19

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 渡部功治 ,  正原和幸 ,  松田匠太 ,  福冈正辉 ,  竹部义之

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2891 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供下述切片及芯片键合带，在对半导体晶片进行切片、并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，能够容易并且确实地拾取半导体芯片。一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm2。

公开(公告)号：CN101523561B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200780037298.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  佐佐木晓嗣 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。

公开(公告)号：CN102057473A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121608.7

申请日：2009-06-10

Applicant: 汉高有限公司

Inventor： H·俞

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供将涂料沉积到半导体晶片整个背面上的方法。本发明的方法解决了一般与在半导体晶片背面上沉积涂料有关的不足。因为本发明的方法产生其中涂料自始至终地被分配至晶片边缘的晶片，所以使切割期间的芯片飞扬最小化，以及晶片破损和芯片破损最小化。另外，当与传统的旋转涂布方法相比时，本发明的方法导致损耗的显著减小。

公开(公告)号：CN101563756B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200680018779.3

申请日：2006-06-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 孙明 ,  龚德梅

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/4951 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开一种制造覆晶于半导体组件封装之晶圆级无凸块式方法，其包含下列步骤：将半导体晶粒的正面进行防焊漆涂布，并利用防焊漆涂布以提供若干个栅极接触窗与若干个源极接触窗，再由凹涡的标地区域以对导线架进行图案化，依据栅极接触窗与源极接触窗的位置，以在导线架的相对位置上制造出凹涡，再将导电性的环氧树脂印刷在导线架上的凹涡中，再把导线架与半导体硅晶圆晶粒一同进行烘烤固化，并且将硅芯片切割成块状以形成半导体组件封装结构。

公开(公告)号：CN101040023B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200580034993.3

申请日：2005-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 田中麻衣子 ,  宇留野道生 ,  松崎隆行 ,  古谷凉士 ,  增野道夫 ,  稻田祯一

IPC: C09J7/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L24/28 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/2839 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种粘接片，其为具备剥离基材10、基材薄膜14、及配置于剥离基材10与基材薄膜14之间的第1粘接着层12的粘接片；剥离基材10上，由第1粘接着层12侧的面形成环状的切入部分D，第1粘接着层12为按覆盖剥离基材10的所述切入部分D的内侧面整体而层叠，所述切入部分D的切入深度d为小于剥离基材10的厚度，且为25μm以下。

公开(公告)号：CN101950736A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010225359.0

申请日：2010-07-12

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： 克里斯托夫·赛里 ,  劳伦特·巴罗 ,  文森特·贾里 ,  帕特里克·乌格龙

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  C08K7/06 ,  C08L63/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种通过球附着到其前表面而表面安装的硅芯片，其中该芯片的前后表面覆盖有具有如下特性的热硬性环氧树脂：该树脂包含重量在45到60％的比例范围的由碳纤维颗粒形成的负载，其中碳纤维颗粒的最大尺寸为20μm，其最大部分的直径范围在2和8μm之间，在前表面侧，所加载的树脂覆盖了球高度的45％到60％，在后表面侧，所加载的树脂厚度范围在80到150μm之间。

公开(公告)号：CN1645597B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200410044719.1

申请日：2004-05-17

Applicant: 卡西欧迈克罗尼克斯株式会社

Inventor： 纳谷欣一

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/544 ,  B23K26/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 按照本发明，一种半导体器件具有其上形成有外部连接电极的上表面和与上表面相对并处于镜面态的下表面(10)(#a)。在部分下表面(10)(#a)形成由激光标记打毛的粗糙区(14)。粗糙区(14)包括半导体器件自身的产品信息标记(14)(#a)。产品信息标记(14)(#a)由激光标记印制。确定粗糙区(14)的数量、尺寸、形状和配置位置，以当用光辐照下表面(10)(#a)时，可以从粗糙区(14)和镜面抛光区(12)之间的光反射差读取产品信息。