公开(公告)号：CN106169463A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329719.9

申请日：2016-05-18

Applicant: 普罗科技有限公司

Inventor： 崔承焕 ,  韩太燮

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明提供一种形成电磁干扰屏蔽层的方法和用于所述方法的基带，且更确切地说，提供一种在具有下表面(在下表面上形成多个焊料球)的BGA半导体封装的上表面和侧表面上形成用于阻挡EMI的屏蔽层的方法以及在所述方法中使用的基带。该方法包括：提供球栅阵列半导体封装；提供基带；通过抵着基带按压球栅阵列半导体封装；通过在封装‑带组合件上溅镀导电层；从封装‑带组合件移除基带。根据形成BGA半导体封装的EMI屏蔽层的方法，可以通过使用基带在BGA半导体封装上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽层，由此不仅提高过程效率而且显着减少制造成本。

公开(公告)号：CN106129029A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610553610.3

申请日：2016-07-14

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 李永彬 ,  龚锦林 ,  许丽清 ,  谢新根

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L23/552 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/4817 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明是一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，射频引脚采用共面波导—垂直挂孔—共面波导的结构，通过在射频引脚两侧分布密集的接地孔，抑制高阶模式的传输，从而消除高频谐振,腔体中芯片粘贴区设置阵列接地通孔，以增加射频引脚间的隔离度。优点：可根据用户使用要求，确定射频引脚的数量和位置，射频引脚采用共面波导—垂直挂孔—共面波导的传输结构，射频引脚两侧的密集接地孔，一方面实现相邻射频引脚间的良好隔离，另一方面可以抑制高频时电磁场的向外辐射。芯片粘贴区也采用密集的接地通孔阵列，以实现相对的两个射频引脚之间较高的隔离度。

公开(公告)号：CN106057688A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610218946.4

申请日：2016-04-08

Applicant: 星科金朋有限公司

Inventor： 韩丙浚 ,  沈一权 ,  朴敬熙 ,  林耀剑 ,  具敎王 ,  尹仁相 ,  蔡升龙 ,  曺成源 ,  金成洙 ,  李勋泽 ,  梁悳景

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128

Abstract: 一种集成电路封装系统及其制造方法包括：基板，在基板顶侧、基板底侧与竖直侧部之间具有内部电路；集成电路，其联接到内部电路；模制封装体，其直接形成于集成电路和基板的基板顶侧上；以及，导电适形屏蔽结构，其直接施加到模制封装体上、竖直侧部上，并且在基板底侧下方延伸以联接到内部电路。

公开(公告)号：CN106024760A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610389241.9

申请日：2016-06-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  谢晓明

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上表面的第一超导层；位于第一超导层表面的第一介电层；位于第一介电层表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构；位于霍尔结构表面的第二介电层；位于第二介电层表面的第二超导层；位于衬底上表面，并与霍尔结构连接的金属接触电极；第一、第二超导层的长宽小于第一、第二介电层的长宽，第一、第二介电层的长宽均小于等于霍尔结构的长宽，且霍尔结构的长宽小于衬底的长宽。通过本发明提供的一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，解决了利用现有技术中当二维半导体薄膜应用在新型微纳电子器件中时易受环境中电磁场的干扰，进而影响器件工作的问题。

公开(公告)号：CN103296010B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201210371173.5

申请日：2012-09-28

Applicant: 美国博通公司

Inventor： 桑帕施·K·V·卡里卡兰 ,  胡坤忠 ,  赵子群 ,  雷佐尔·拉赫曼·卡恩 ,  彼得·沃伦坎普 ,  陈向东

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本发明中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔（TSV）、以及电磁屏蔽物。TSV将电磁屏蔽物连接到第一固定电位上。所述电磁屏蔽物可以包括侧向延伸横过屏蔽插入机构的导电层格栅。所述屏蔽插入机构还可以包括连接到另一固定电位上的另一个电磁屏蔽物。本发明还公开了具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。

公开(公告)号：CN103346134B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210359588.0

申请日：2006-06-14

Applicant: 丘费尔资产股份有限公司

Inventor： 约翰·特雷扎 ,  约翰·卡拉汉 ,  格雷戈里·杜多夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/427 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18308 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了插柱和穿透互连方式。一种物理地和电气地互连两个芯片的方法，包括：将第一芯片上的导电触点与第二芯片上对应的导电触点对准，该第一芯片的导电触点为刚性材料，该第二芯片的导电触点为与该刚性材料相对的韧性材料；使对准的该第一芯片上的导电触点与该第二芯片上相应的导电触点接触；将该第一和第二芯片的触点提高至低于至少该刚性材料的液化温度，同时向该第一和第二芯片施加足够的压力，以使该刚性材料穿透该韧性材料从而形成两者之间的导电连接；以及在形成导电连接之后，冷却该第一和第二芯片的触点至环境温度。

公开(公告)号：CN103178031B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310019765.5

申请日：2006-06-14

Applicant: 丘费尔资产股份有限公司

Inventor： 约翰·特雷扎 ,  约翰·卡拉汉 ,  格雷戈里·杜多夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L23/427 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/427 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18308 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种将第一晶片上的第一接触点与第二晶片上的第二接触点电连接的方法，第一接触点包括刚性材料，第二接触点包括相对于该刚性材料为韧性的材料，因此当叠在一起时刚性材料将穿进韧性材料，该刚性和韧性材料都是导电材料，所述方法涉及使刚性材料与韧性材料接触，向第一接触点或第二接触点中的一个接触点施加力从而使刚性材料穿进韧性材料，加热刚性和韧性材料从而使韧性材料软化，和将韧性材料限制到预定区域内。

公开(公告)号：CN105900228A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480069649.7

申请日：2014-12-16

Applicant: 汉高知识产权控股有限责任公司

Inventor： M·N·阮 ,  J·布兰迪 ,  E·巴里奥

IPC: H01L23/36 ,  G06F1/20 ,  H05K7/20

CPC classification number: G06F1/203 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了组合物以及用所述组合物组装的电子设备，所述组合物由基质和分散在所述基质中的胶囊化的相变材料颗粒制成。

公开(公告)号：CN105895535A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510247656.8

申请日：2015-05-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I.埃舍尔-珀佩尔 ,  E.福伊尔古特 ,  P.帕尔姆

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481

Abstract: 本发明涉及包括金属块的电子器件封装。一种制造电子器件封装的方法包括对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层。将半导体芯片放置到所述开口中的至少一些中。在所述结构化的金属层和所述半导体芯片上方施加密封材料来形成密封体。将所述密封体分离成多个电子器件封装。

公开(公告)号：CN105830204A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201380081727.0

申请日：2013-12-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川口安人

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/298 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明缓和功率半导体芯片表面的电场强度，实现制造工序内缺陷的减少、以及可靠性的提高。本发明具有配置在绝缘基板(2)之上的功率半导体芯片(4)，本发明还具有：配线(5)，其与功率半导体芯片的元件区域(4A)处的表面导体图案连接；低介电常数膜(8)，其配置在配线与周边区域(4B)之间；以及封装材料(6)，其是覆盖绝缘基板、功率半导体芯片、配线以及低介电常数膜而形成的，低介电常数膜具有比封装材料低的介电常数。