公开(公告)号：KR1019950008732A

公开(公告)日：1995-04-19

申请号：KR1019940023395

申请日：1994-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  니시무라도시하루

IPC: C30B29/06

Abstract: 다수의 반도체 웨이퍼를 간격을 두고 수직방향으로 겹친상태에서 웨이퍼보트에 유지하고, 이 웨이퍼 보트를 종형 열처리장치의 프로세스 챔버내에 반입하고, 프로세스 챔버 내를 감압 분위기로 유지한 상태에서 300~530℃로 가열하고, 프로세스 챔버 내에 디실란 가스의 유량이 300SCCM이상이 되도록 디실란가스를 포함하는 처리가스를 공급하여 실리콘막의 성막을 한다.

公开(公告)号：KR1020160002613A

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020150178053

申请日：2015-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라까미히로끼 ,  와따나베요오스께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45525

Abstract: 본발명은극박막상태이어도, 물리적인특성및 전기적인특성이우수한질화실리콘막을성막하는것이가능한질화실리콘막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체의표면상에질화실리콘막을성막하는질화실리콘막의성막방법이며, 질화실리콘막을피처리체의표면상에성막하기전에, 적어도아미노실란계가스를사용하여, 피처리체의표면상에질화실리콘막의시드가되는시드층을형성한다(스텝 2 내지스텝 4).

Abstract translation: 本发明提供一种形成氮化硅膜的方法，其能够形成具有优异的物理和电学特征的氮化硅膜，尽管具有超薄膜状态。 形成氮化硅膜的方法是在被处理物的表面上形成氮化硅膜。 该方法包括在待处理物体的表面上形成氮化硅膜之前，至少使用氨基硅烷系气体，在被处理体的表面上形成作为氮化硅膜的种子的种子层（ 步骤2至步骤4）。

公开(公告)号：KR1020150083426A

公开(公告)日：2015-07-17

申请号：KR1020140193424

申请日：2014-12-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  츠노무라다카아키 ,  하야카와다카시 ,  모치키히로마사 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 희생막과다른물질의막의적층구조를형성한후, 건식의제거수단에의해제거할수 있는희생막을이용한반도체장치의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 기판의한쪽면측에절연막을형성하는절연막형성공정과, 상기절연막형성공정에서형성된절연막상에카본막을형성하는카본막형성공정과, 상기절연막형성공정및 상기카본막형성공정을복수회반복하여, 상기기판의한쪽면측에상기절연막과상기카본막이교대로복수층적층된절연막-카본막적층체를형성하는절연막-카본막적층체형성공정과, 상기절연막-카본막적층체를구성하는상기카본막을제거하는카본막제거공정과, 상기카본막제거공정에서상기카본막이제거된영역에전극막을형성하고, 상기절연막과상기전극막이복수층적층된절연막-전극막적층체로하는전극막형성공정을 포함하는반도체장치의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种通过使用牺牲膜制造半导体器件的方法，该牺牲膜可以在形成其它材料的膜层状结构之后通过干燥去除装置除去。 一种制造半导体器件的方法包括：在基板的一个表面上形成绝缘体的绝缘膜形成工艺; 在绝缘膜形成工序中形成的绝缘膜上形成碳膜的碳膜形成工序; 绝缘膜 - 碳膜层叠体形成工艺，其中通过重复绝缘膜形成工艺和碳膜形成工艺，在绝缘膜 - 碳膜层压板上形成绝缘膜 - 碳膜层压体，其中绝缘膜和碳膜在衬底的一个表面上交替布置 处理; 去除形成绝缘膜 - 碳膜层压体的碳膜的碳膜去除工艺; 以及在除去碳膜的工序中在除去了碳膜的区域上形成电极膜的电极膜形成工序，其中绝缘膜 - 碳膜层叠体中绝缘膜和碳膜排列成一层 。

公开(公告)号：KR1020140011970A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020130084742

申请日：2013-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라유도 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01N29/14 ,  G01N29/11 ,  G01N29/40 ,  G01N29/42 ,  G01N29/4427 ,  G01N2291/0237

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film crack detecting device which recognizes possibility of a particle in real time by detecting a film crack of an unnecessary film attached to a probe unit which is installed within a processing container. The present invention is a film crack detecting device (40) which has a processing container (4) for receiving a processed body (W) and performs film crack detection operation by being installed in a film forming device (2) for forming a thin film on the surface of the processed body. The film crack detecting device comprises; a probe unit (41) which is installed within the processing container; an elastic wave detection unit (42) which detects an elastic wave by be attached to the end of the probe unit; and a determination unit (44) which determines the necessity of maintenance of the processing container based on a detection result of the elastic wave detection unit. Therefore, the film crack detecting device recognizes possibility of the particle in real time by detecting the film crack of the unnecessary film attached to the probe unit which is installed within the processing container. [Reference numerals] (10) (Maintenance unit) wafer board; (2) Film formation unit; (28) Gas supply system; (36) Discharge system; (38) Heating unit; (4) Processing container; (40) Film crack detecting device; (41) Probe unit; (42) Elastic wave detection unit; (44) Determination unit; (45) Display unit; (46) Vertical probe unit; (48) Probe main body; (4A) Internal container; (4B) External container; (50) Attachment back end unit; (68) Strength filter unit; (74) Equipment control unit; (76) Storage medium; (AA) Gas; (BB) Vacuum exhaust; (CC) Cooling gas

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种薄膜裂纹检测装置，其通过检测安装在处理容器内的探针单元上附着的不必要膜的膜裂纹来实时识别颗粒的可能性。 本发明是一种薄膜裂纹检测装置（40），其具有用于接收加工体（W）的处理容器（4），并且通过安装在用于形成薄膜的成膜装置（2）中进行薄膜裂纹检测操作 在加工体表面。 薄膜裂纹检测装置包括： 安装在处理容器内的探针单元（41）; 弹性波检测单元，其通过附接到探针单元的端部来检测弹性波; 以及基于弹性波检测单元的检测结果确定处理容器的维护必要性的确定单元（44）。 因此，膜裂纹检测装置通过检测安装在处理容器内的探针单元上附着的不必要膜的膜裂纹来实时识别粒子的可能性。 （附图标记）（10）（维护单元）晶片板; （2）成膜单元; （28）供气系统; （36）放电系统; （38）加热单元; （4）加工容器; （40）薄膜破裂检测装置; （41）探头单元; （42）弹性波检测单元; （44）确定单位; （45）显示单元; （46）垂直探头单元; （48）探头主体; （4A）内部容器; （4B）外部容器; （50）附件后端单元; （68）强度过滤器单元; （74）设备控制单元; （76）存储介质; （AA）气; （BB）真空排气; （CC）冷却气体

公开(公告)号：KR101242274B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은, 실리콘 소스 가스와 금속 소스 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 용기의 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 금속 도프된 실리콘 함유 절연막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 절연 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 실리콘 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 금속 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 금속 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제2 절연 박층을 형성하는 공정을 구비한다.
절연 박층, 금속 박층, 실리콘 소스 가스, 금속 소스 가스, 성막 장치

公开(公告)号：KR101201632B1

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020070105427

申请日：2007-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  나까지마시게루 ,  오가와쥰

IPC: C23C8/10 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 산화 장치는, 처리 용기의 처리 영역의 한쪽측에서 피처리 기판에 근접하는 가스 공급구로부터 처리 영역에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 가스 공급계를 포함한다. 가스 공급구는 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐 배열된 복수의 가스 분사 구멍을 포함한다. 처리 용기의 주위에 처리 영역을 가열하는 히터가 배치된다. 제어부는, 산화성 가스 및 환원성 가스를 반응시켜 처리 영역 내에서 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시키고, 산소 활성종과 수산기 활성종을 사용하여 피처리 기판의 표면에 대해 산화 처리를 행하도록 미리 설정된다.
산화 장치, 처리 영역, 처리 용기, 가스 분사 구멍, 히터

公开(公告)号：KR1020120106650A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to fill a space without a void by forming an oxide silicon film in a line space pattern. CONSTITUTION: A plurality of substrates(W) with a pattern including a concave part are mounted in a reaction tube. An oxide silicon film(61) is formed on the plurality of the substrates by supplying silicon containing gas and oxygen containing gas to the reaction tube. The oxide silicon film is etched by supplying fluoride-containing gas and ammonia gas to the reaction tube. A film forming process and an etching process are alternatively repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，以通过在线空间图案中形成氧化硅膜来填充空隙而不产生空隙。 构成：具有包括凹部的图案的多个基板（W）安装在反应管中。 通过向反应管供给含硅气体和含氧气体，在多个基板上形成氧化物硅膜（61）。 通过向反应管供给含氟化物的气体和氨气来蚀刻氧化物硅膜。 交替重复成膜处理和蚀刻处理。

公开(公告)号：KR101141891B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020070088269

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/005 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: In an oxidation method for a semiconductor process, target substrates are placed at intervals in a vertical direction within a process field of a process container. An oxidizing gas and a deoxidizing gas are supplied to the process field from one side of the process field while gas is exhausted from the other side. One or both of the oxidizing gas and the deoxidizing gas are activated. The oxidizing gas and the deoxidizing gas are caused to react with each other, thereby generating oxygen radicals and hydroxyl group radicals within the process field. An oxidation process is performed on the surfaces of the target substrate by use of the oxygen radicals and the hydroxyl group radicals.

公开(公告)号：KR101140069B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020070088261

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  주파오-화 ,  우메자와고오따 ,  가도나가겐따로오 ,  장패리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: An insulating film is formed on a target substrate by CVD, in a process field to be selectively supplied with a first process gas containing a silane family gas, a second process gas containing a nitriding gas or oxynitriding gas, a third process gas containing a boron-containing gas, and a fourth process gas containing a carbon hydride gas. A first step performs supply of the first process gas and a preceding gas, which is one of the third and fourth process gases, while stopping supply of the second process gas and a succeeding gas, which is the other of the third and fourth process gases. A second step performs supply of the succeeding gas, while stopping supply of the second process gas and the preceding gas. A third step performs supply of the second process gas while stopping supply of the first process gas.

公开(公告)号：KR101133402B1

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020080099371

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치는 반응실 내에서 피처리 기판을 지지하도록 설정된 복수의 지지 레벨을 갖는 지지 부재와, 반응실에 성막 가스를 공급하는 가스 분산 노즐을 포함하는 성막 가스 공급계와, 반응실 내에 부착된 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 반응실 내를 배기하는 배기계를 구비한다. 클리닝 가스 공급계는 반응실의 저부 근방에서 상향으로 지향된 가스 공급구를 상단부에 갖는 가스 노즐을 포함하고, 가스 공급구는 지지 부재의 지지 레벨의 최하 레벨보다도 아래에 위치한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막