公开(公告)号：DE10329515A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：DE10329515

申请日：2003-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  PIETZONKA INES ,  STAUSS PETER ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: A semiconductor layer row (8) having electromagnetic radiation discharging zone and outer layer (7) with n-conductivity type aluminum gallium indium phosphide (AlGaInP) or aluminum gallium indium arsenide (AlGaInAs) base, is formed by epitaxial growth. An electric contact (2) made of gold doped with germanium (Ge), silicon (Si), tin (Sn) or tellurium (Te) is adhered on outer layer and the outer layer is tempered. An independent claim is also included for thin-film LED.

公开(公告)号：DE10308322A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH ,  STEIN WILHELM ,  PIETZONKA INES ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L21/283

Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

公开(公告)号：DE102004004780A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  STAUSS PETER ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.

公开(公告)号：DE10245631A1

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：DE10245631

申请日：2002-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  SCHMID WOLFGANG ,  EISERT DOMINIK

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/022

Abstract: A semiconductor component having a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact locations and a vertically or horizontally patterned carrier substrate, and a method for producing a semiconductor component are disclosed for the purpose of reducing or compensating for the thermal stresses in the component. The thermal stresses arise as a result of temperature changes during processing and during operation and on account of the different expansion coefficients of the semiconductor and carrier substrate. The carrier substrate is patterned in such a way that the thermal stresses are reduced or compensated for sufficiently to ensure that the component does not fail.

公开(公告)号：DE10040448A1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：DE10040448

申请日：2000-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01S5/02

Abstract: The invention relates to the production of semiconductor chips with thin layer technology. An active layer (2) is grown on a substrate, with contact layers on the rear face thereof, comprising a base layer (3), reinforced by a reinforcing layer (4) the total thickness of which is at least as thick as the active layer (2). Finally an auxiliary support layer (5) is produced, which permits the further processing of the active layer (2). The reinforcing layer (4) and the auxiliary support layer (5) replace the mechanical support used in conventional methods.

公开(公告)号：DE112020004395A5

公开(公告)日：2022-06-02

申请号：DE112020004395

申请日：2020-03-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  FEIX FELIX ,  KLEMP CHRISTOPH ,  PIETZONKA INES ,  SUNDGREN PETRUS ,  BERGER CHRISTIAN ,  KANEVCE ANA

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30

公开(公告)号：DE102018122545A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122545

申请日：2018-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  HALBRITTER HUBERT ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: G09G3/32 ,  G09F9/33 ,  G09G3/3233

Abstract: Es wird ein LED-Display (10) mit einer Vielzahl von Pixeln (11, 12, 13) beschrieben, wobei die Pixel jeweils zumindest eine anorganische LED (3) und zumindest eine organische LED (2) enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zum Betrieb des LED-Displays (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102018101389A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101389

申请日：2018-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/36 ,  H01L33/52 ,  H01S5/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben mit- einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,- einem Reflektor (3), der dazu ausgebildet ist, einen Teil der elektromagnetischen Strahlung zu reflektieren,- zumindest einer Kavität (4), die mit einem Material befüllt ist, das einen Brechungsindex von höchstens 1,1 aufweist, und- einer Versiegelung (5), die für das Material undurchlässig ist, wobei- die zumindest eine Kavität (4) zwischen dem Reflektor (3) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112017000965A5

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE112017000965

申请日：2017-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MATHY DAVID ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H05B44/00

公开(公告)号：DE102014117764A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117764

申请日：2014-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  ILLEK STEFAN ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  GÖÖTZ BRITTA

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit – einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, – einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, – einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, – einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei – die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und – die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.