公开(公告)号：KR1020080035984A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020070105427

申请日：2007-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  나까지마시게루 ,  오가와쥰

IPC: C23C8/10 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: An oxidation apparatus and an oxidation method for a semiconductor process are provided to improve film forming ratio and in-plane uniformity, and highly maintain thickness uniformity of a film on a wafer while making it not necessary to adjust gas flow rates. An oxidation apparatus(32) for a semiconductor process comprises: a process container(34) having a process region(35) for accommodating a plurality of target substrates(W) in a state that the target substrates are vertically stacked with being spaced from one another; a gas supply system for supplying an oxidative gas and a reductive gas to the process region from a gas supply port formed adjacently to the target substrates at one side of the process region; a heater(82) disposed around the process container to heat the process region; an exhaust system(84) for exhausting gas from the process region through an exhaust port(74) formed oppositely to the gas supply port with the process region interposed between the exhaust port and the gas supply port; and a control part(92) for controlling an optional operation of the apparatus, wherein the gas supply port includes a plurality of gas ejection holes(62A,64A) arranged along a length in a vertical direction corresponding to the process region, and wherein the control part is preset to generate oxygen radicals and hydroxyl group radicals within the process region by reacting the oxidative gas and the reductive gas with each other, and to perform an oxidation process on the surfaces of the target substrates by using the oxygen radicals and the hydroxyl group radicals.

Abstract translation: 提供氧化装置和半导体工艺的氧化方法，以提高成膜比和面内均匀性，并且高度保持晶片上的膜的厚度均匀性，同时不需要调节气体流速。 一种用于半导体工艺的氧化设备（32）包括：处理容器（34），其具有处理区域（35），用于在目标衬底垂直堆叠的状态下容纳多个目标衬底（W） 另一个; 气体供给系统，用于从处理区域一侧的与靶基板相邻形成的气体供给口向工艺区域供给氧化性气体和还原性气体; 设置在处理容器周围以加热处理区域的加热器（82）; 排气系统（84），用于通过与排气口和气体供给口之间插入的处理区域与气体供给口相对地形成从排出口（74）排出来自处理区域的气体; 以及用于控制装置的可选操作的控制部分（92），其中气体供给口包括沿着对应于处理区域的垂直方向上的长度布置的多个气体喷射孔（62A，64A），并且其中 控制部分被预设为通过使氧化气体和还原气体彼此反应而在工艺区域内产生氧自由基和羟基自由基，并且通过使用氧自由基和羟基在目标衬底的表面上进行氧化过程 群体激进。

公开(公告)号：KR1020080022518A

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020070089845

申请日：2007-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: A film formation method and apparatus for a semiconductor process are provided to form a silicon oxide layer with good thickness uniformity by repeating a series of cycles of preliminary process step, an absorption step and an oxidation step. In a process region in which a first process gas comprising a film source element and not an amino group, a second process gas comprising an oxidation gas, and a third process gas comprising a preliminary process gas are selectively supplied, an oxide layer is formed on a substrate through chemical vapor deposition. A first process includes an excitation period in which the third process gas excited by an excitation device is supplied. In a second process, the first process gas is supplied, and thus the film source element is absorbed on a surface of the substrate. A third process includes an excitation period in which the second process gas excited by the excitation device is supplied, and thus the film source element absorbed on the surface of the substrate is oxidized by a radical of the generated oxidation gas.

Abstract translation: 提供半导体工艺的成膜方法和装置，通过重复一系列预处理步骤，吸收步骤和氧化步骤的循环来形成具有良好厚度均匀性的氧化硅层。 在其中选择性地提供包含膜源元件而不是氨基的第一处理气体，包括氧化气体的第二处理气体和包括预处理气体的第三处理气体的处理区域中，在 通过化学气相沉积的衬底。 第一工序包括供给由励磁装置激励的第三工艺气体的励磁时段。 在第二工序中，供给第一工艺气体，因此膜源元件被吸收在衬底的表面上。 第三工艺包括激发周期，其中由激发装置激发的第二工艺气体被供应，因此吸收在衬底表面上的膜源元件被产生的氧化气体的基团氧化。

公开(公告)号：KR100779823B1

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020047018897

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404

Abstract: 본 발명은 피처리체를 수용하는 반응실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 피처리체에 박막을 형성하는 박막 형성 장치를 세정하는 방법이며, 상기 반응실 내에 질소를 포함하는 활성화 가능한 질소계 가스를 공급하여 상기 반응실 내를 퍼지하는 퍼지 공정을 구비한다. 상기 퍼지 공정은 상기 질소계 가스를 활성화시켜 상기 반응실 내의 부재의 표면을 질화시키는 공정을 구비한다.
박막 형성 장치, 질소계 가스, 퍼지 공정, 열처리 장치

公开(公告)号：KR100744590B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060065513A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050119270

申请日：2005-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4408

Abstract: 예를 들어 질화실리콘막을 형성할 때, 성막 처리 후에 상기 성막 처리에 대응한 퍼지 레시피에 의해 반응 용기 내의 퍼지 처리를 행하여 반응 용기 내에 부착된 가스나 파티클의 원인이 되는 막의 표층부를 제거하여 가스나 파티클의 발생을 저감시키는 것이다.
다수매의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(25)에 보유 지지시켜 반응 용기(2) 내에 반입하고, 예를 들어 Si
2 Cl
2 가스와 NH
3 가스를 성막 가스로서 이용한 성막 레시피(1)의 성막 처리를 행한다. 계속해서 이 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피(1)를 자동적으로 선택하고, 상기 퍼지 레시피(1)에 따라서 반응 용기(2)의 퍼지 처리를 행한다. 성막 처리의 종별마다 퍼지 레시피를 준비하여 각 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피를 자동적으로 선택하여 퍼지 처리를 행함으로써 불필요한 퍼지 시간의 발생을 억제한 상태에서 각 성막 처리에 대응한 적절한 퍼지 처리를 행할 수 있다.
성막 레시피, 퍼지 레시피, 반응 용기, 웨이퍼 보트, 플랜지, 인젝터

公开(公告)号：KR1020060050163A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050063650

申请日：2005-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: Si 함유 가스와 산화성 가스와 환원성 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 금속 표면을 갖는 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 산화막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 동시에 행하는 한편, 처리 영역에 대한 Si 함유 가스의 공급을 정지한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 덮개부, 밀봉부, 히터

公开(公告)号：KR1020060048790A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050068174

申请日：2005-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  초우파오화 ,  김채호 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

公开(公告)号：KR1020050049377A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020040094867

申请日：2004-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.

公开(公告)号：KR1020050037954A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.

公开(公告)号：KR1020050031058A

公开(公告)日：2005-04-01

申请号：KR1020047004687

申请日：2002-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이또다까노리 ,  마끼야도시유끼 ,  오사나이히사에이 ,  다끼자와쯔요시 ,  시마즈도모히사 ,  하세베가즈히데 ,  야마모또히로유끼 ,  사이또유끼마사 ,  야마가겐이찌

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67098

Abstract: A thermal treatment apparatus, characterized by comprising a heating furnace body having an opening part provided at the upper end thereof, a heating means installed on the inner wall of the heating furnace body, a reaction container formed of a single tube stored inside the heating furnace body, an exhaust pipe connection part formed at the upper part of the reaction container, and a first temperature control means installed on the peripheral surface of the exhaust pipe connection part.

Abstract translation: 一种热处理装置，其特征在于，包括：加热炉体，其具有设置在其上端的开口部;加热装置，其安装在所述加热炉体的内壁;反应容器，由容纳在所述加热炉内的单管形成的反应容器 形成在反应容器的上部的排气管连接部以及安装在排气管连接部的周面的第一温度控制装置。