公开(公告)号：KR1020160004206A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020150093138

申请日：2015-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도다사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: 벽부(62)에의해에칭영역이구획된 SiO층(61)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭하는것에즈음하여, 러프니스및 마이크로로딩을개선한다. 처리용기(1)에탑재된웨이퍼(W)에대해, HF 가스와 NH가스를미리혼합한혼합가스를간헐적으로공급한다. 혼합가스를간헐적으로공급함으로써, 혼합가스와 SiO의반응생성물에의해형성되는보호막이혼합가스의공급정지기간에진공배기에의해승화(휘발)한다. 그때문에, 패턴의소밀에관계없이, 에칭속도가동일하여, 마이크로로딩이개선된다. 또한, HF 가스와 NH가스를미리혼합하여웨이퍼(W)에공급함으로써, 웨이퍼(W)의표면에부착되는 HF 농도의편차가억제되어, 러프니스가개선되는동시에, 마이크로로딩의가일층의개선을도모할수 있다.

Abstract translation: 当蚀刻区域被壁部分（62）分割的SiO 2层（61）被蚀刻直到到达较低层之前的中间步骤时，粗糙度和微载荷得到改善。 将与HF气体和NH 3气体混合的混合气体间歇地供给到安装在处理容器（1）中的晶片（W）。 随着混合气体间歇地供给，在停止供给混合气体的期间，通过真空排气使由SiO 2与混合气体的反应物形成的保护膜升华（挥发）。 因此，无论图案的密度如何，蚀刻速度都是相同的，微负载得到改善。 此外，由于HF气体和NH 3气体被预混合以供应到晶片（W），所以抑制附着在晶片表面（W）上的HF的浓度偏差，以改善粗糙度， 加载。

公开(公告)号：KR100564168B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, the thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.

公开(公告)号：KR1020170134287A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020170156290

申请日：2017-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/683

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

Abstract translation: 当安装安装目标外延处理衬底并且衬底被处理气体处理时，进一步确保了均匀性。 用于在作为真空气氛下的被处理基板的晶片W上进行处理气体的处理的基板处理装置5包括：被保持在真空气氛下且用于接收晶片W的腔室40， 用于将含有处理气体的气体导入腔室40内的气体导入部件42和用于将晶片W载置于腔室40内的气体导入部件42， 在上腔室41内的包含晶圆W的区域形成划分处理空间S的隔壁的隔壁构件44，以及使隔壁构件44升降的升降工具45。

公开(公告)号：KR101678266B1

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：KR1020137014027

申请日：2011-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 기판의표면의 SiN막을할로겐원소를포함하는가스를이용해서에칭하여반도체장치를제조하는방법으로서, 상기 SiN막의표면에상기할로겐원소를포함하는가스를공급하는공정의초기의단계에서, 염기성가스를포함하는가스를공급한다. 상기에칭의초기의단계에서상기염기성가스를포함하는가스를공급함으로써, 상기 SiN막(4)의표면을덮고있던 SiNO로이루어지는막 부분을, 주로플루오로규산암모늄((NH)SiF)과수분(HO)을포함하는반응생성물로변화시킨다.

公开(公告)号：KR100825848B1

公开(公告)日：2008-04-28

申请号：KR1020060028559

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사다게이지 ,  니시나카야마야스히코 ,  이케다가쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F9/7011 ,  H01L21/681

Abstract: 예컨대 포화 데이터 등의 이상 데이터에 기인하는 노이즈 부분을 기판 주연부에 형성된 절결 마크로 오판정하는 것을 방지하는 동시에 절결 마크의 판정 정밀도를 향상시킨다.
회전 적재대(210)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 광 투과형 센서(250)에 의해 검출하고, 그 검출값을 기판 주연부 형상 데이터로서 취득하며, 기판 주연부 형상 데이터로부터 돌발적인 이상 데이터를 검출하여 검출된 돌발적인 이상 데이터를 삭제하고, 그 부분에 그 주변 데이터에 기초하여 얻어지는 예측 데이터를 보간하는 노이즈 저감 처리와, 노이즈 저감 처리 후의 기판 주연부 형상 데이터로부터 절결 마크 후보를 검출하여, 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군을 곡선 근사(曲線近似)하여 얻어지는 근사 곡선과 상기 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군의 오차가 소정의 판정 조건을 만족하는지의 여부를 판정하는 절결 마크 판정 처리와, 소정의 판정 조건을 만족하는 절결 마크에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하는 기판 위치 결정 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1020060135678A

公开(公告)日：2006-12-29

申请号：KR1020067012645

申请日：2005-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구치후미히코 ,  다카하시히로유키 ,  고아키테루 ,  유홍규 ,  야마시타아사오 ,  감바라히로미츠

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/31116 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/67098 ,  H01L2924/00

Abstract: A method and system for trimming a feature on a substrate is described. During a chemical treatment of the substrate, the substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. An inert gas is also introduced, and the flow rate of the inert gas is selected in order to affect a target trim amount during the trimming of the feature.

Abstract translation: 描述了用于修整衬底上的特征的方法和系统。 在基板的化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基板暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流量以便在修整特征期间影响目标修整量。

公开(公告)号：KR101840923B1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR1020160017030

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다.표면에실리콘산화막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여실리콘산화막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

Abstract translation: 在其表面形成有氧化硅膜（202）的晶片（W）容纳在腔室（40）中，并将氟化氢（HF）气体引入腔室（40）中， 供应气体和氨气以将氧化硅膜202变为反应产物AFS的COR步骤和停止向腔室40中供应氟化氢气体并将氮气供应到腔室40中的步骤 使COR过程中产生的反应产物升华并将其从晶片W中除去的PHT过程被重复多次。

公开(公告)号：KR101785783B1

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020150093138

申请日：2015-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도다사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: 벽부(62)에의해에칭영역이구획된 SiO층(61)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭하는것에즈음하여, 러프니스및 마이크로로딩을개선한다. 처리용기(1)에탑재된웨이퍼(W)에대해, HF 가스와 NH가스를미리혼합한혼합가스를간헐적으로공급한다. 혼합가스를간헐적으로공급함으로써, 혼합가스와 SiO의반응생성물에의해형성되는보호막이혼합가스의공급정지기간에진공배기에의해승화(휘발)한다. 그때문에, 패턴의소밀에관계없이, 에칭속도가동일하여, 마이크로로딩이개선된다. 또한, HF 가스와 NH가스를미리혼합하여웨이퍼(W)에공급함으로써, 웨이퍼(W)의표면에부착되는 HF 농도의편차가억제되어, 러프니스가개선되는동시에, 마이크로로딩의가일층의개선을도모할수 있다.

Abstract translation: 上的到达的SiO层61，由所述壁部62的下部层上定义的蚀刻区域，从而提高了粗糙度和微负载之前期间的相位被称为的场合。 预先混合了HF气体和NH 3气体的混合气体被间歇地供给到载置在处理容器1上的晶片W. 由通过对由混合气体的反应产物和SiO形成的混合气体的供给停止期间的真空排气间歇地供给的混合气体中，（易失性）升华保护膜。 因此，不管图案的密度如何，蚀刻速度是相同的，并且微负载被改善。 此外，HF气体和通过将所述混合物供给到晶片（W）的预先NH气体，被抑制，其中附着在晶片（W）的表面HF浓度的变化，同时，所述粗糙度得以改善，微负载的gailcheung的改善 我可以做到。

公开(公告)号：KR1020160012942A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020150104285

申请日：2015-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

Abstract translation: 本发明是为了在将待处理的基板安装在安装单元上以通过使用处理气体处理基板时确保优异的均匀性。 一种用于在真空气氛下作为待处理基板的晶片（W）上使用处理气体进行预设处理的基板处理装置（5）包括容纳在真空下支撑的晶片（W）的室（40） 将所述晶片（W）放置在所述室（40）内的基板安装单元（41），将包括处理气体的气体供给到所述室（40）内的气体导入部件（42），隔壁部件 44），其在所述基板安装单元（41）的上部中形成用于限定包括所述晶片（W）的区域中的处理空间（S）的分隔壁;以及升降装置（45），其用于 使分隔壁构件（44）上下移动。

公开(公告)号：KR1020130141566A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020137014027

申请日：2011-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 기판의 표면의 SiN막을 할로겐 원소를 포함하는 가스를 이용해서 에칭하여 반도체 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 SiN막의 표면에 상기 할로겐 원소를 포함하는 가스를 공급하는 공정의 초기의 단계에서, 염기성 가스를 포함하는 가스를 공급한다. 상기 에칭의 초기의 단계에서 상기 염기성 가스를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 SiN막(4)의 표면을 덮고 있던 SiNO로 이루어지는 막 부분을, 주로 플루오로 규산 암모늄((NH
4 )
2 SiF
6 )과 수분(H
2 O)을 포함하는 반응 생성물로 변화시킨다.

Abstract translation: 通过使用含有卤素元素的气体在衬底的表面上蚀刻SiN膜来制造半导体器件的方法包括在用于将含有卤素元素的气体供给的工序的初始阶段供给含有碱性气体的气体 SiN膜的表面。 通过在蚀刻的初始阶段供给含有碱性气体的气体，覆盖SiN膜表面的SiNO膜变为主要包括水（H 2 O）和六氟硅酸铵（（NH 4）2 SiF 6）的反应产物的膜。